高精度高频压电式压力传感器制造技术

技术编号:4152257 阅读:390 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种高精度高频压电式压力传感器,它包括膜片、电极片、第一晶体片、第二晶体片、绝缘套、芯柱、插头及壳体,芯柱下端自上而下依次设置第一晶体片、电极片及第二晶体片并封装于一弹性缸套内,第一晶体片、电极片及第二晶体片与弹性缸套间通过绝缘套隔离,插头中心位置芯柱上部内设置绝缘芯套,上述压电元件施加预紧力与芯柱用等离子焊接成一体。第二晶体片下方且于弹性缸套内设置有温补片。弹性缸套为弹性金属筒。膜片单独焊接在壳体上。本实用新型专利技术不仅可避免压电元件施加预紧力对膜片产生变形,还可对环境温度变化的影响进行补偿,提高动态频率响应,保证了传感器的高精度,且结构简单、成本低廉、性能稳定可靠。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种传感器,尤其涉及一种高精度高频压电式压力传感器
技术介绍
随着科学技术的发展与进步,对传感器测量的准确度、稳定性、可靠性和实时性的要求越来越高。如今,所有自动化测控系统,都需要传感器提供准确可靠的信息。高精度高频压电式压力传感器广泛应用于航空航天、石油化工、内燃机、发动机、军事、爆炸物理、反应工程等领域。常用作燃烧、爆炸、冲击波、喷射等动态压力的测量。据悉,目前国际上此类产品的最高精度为千分之五。而我国高水平的高频压电式压力传感器,网上公布的精度指标为千分之八,与国际先进水平还有较大差距。我国的此类产品与国外的同类产品相比较,在其精度和技术性能方面都存在明显不足。传统的压电式压力传感器,其结构是将压电元件(如传力块、晶体片、电极片、晶体片)由下而上一一安装在一个膜片的小室内,再通过给膜片施加预紧力的方式与壳体焊成一体。缺点是膜片受力后产生弯曲变形,造成传感器的线性度和动态性能变坏。此外,当膜片受环境温度影响发生变形时,压电元件的预紧应力也将发生变化,使输出出现不稳定现象。
技术实现思路
本技术的目的在于为了克服压电元件在施加预紧力过程中引起膜片变形和膜片受环境温度影响而发生变形,针对传统传感器之上述不足,提供一种可对压电元件施加预紧力以增加温度补偿片消减温度变化的影响、精度高、稳定性好且结构简单的高精度高频压电式压力传感器。 本技术的目的通过以下方案实现它包括膜片、电极片、第一晶体片、第二晶体片、绝缘套、芯柱、插头及壳体,芯柱下端自上而下依次设置第一晶体片、电极片及第二晶体片并封装于一弹性缸套内,第一晶体片、电极片及第二晶体片与弹性缸套间通过绝缘套隔离,插头中心位置芯柱上部内设置绝缘芯套,上述压电元件施加预紧力与芯柱用等离子焊接成一体。 本技术所述第二晶体片下方且于弹性缸套内设置有温补片。 本技术所述弹性缸套为弹性金属筒。 本技术所述膜片单独焊接在壳体上。 本技术不仅可避免压电元件施加预紧力对膜片产生变形,还可对环境温度变化的影响进行补偿,提高动态频率响应,保证了传感器的高精度,且结构简单、成本低廉、性能稳定可靠。附图说明附图为本技术结构示意图。具体实施方式以下结合实施例并对照附图对本技术进行详细说明。 本实施例由膜片1、温补片2、电极片3、第一晶体片41、第二晶体片42、绝缘套5、芯柱8、弹性金属筒的弹性缸套6、插头10及壳体7构成。芯柱8下端自上而下依次设置第一晶体片41、电极片3、第二晶体片42及温补片2,并封装于弹性缸套6内,第一晶体片41、电极片3及第二晶体片42与弹性缸套6间通过绝缘套5隔离,插头10中心位置芯柱上部内设置绝缘芯套9,上述压电元件施加预紧力与芯柱8用等离子焊接成一体。膜片l单独焊接在壳体7上。 本实施例固有频率大于100KHz,正弦压力校准频率大于20KHz,动态压力的测试精度为千分之五。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度高频压电式压力传感器,包括膜片(1)、电极片(3)、第一晶体片(41)、第二晶体片(42)、绝缘套(5)、芯柱(8)、插头(10)及壳体(7),其特征在于:芯柱(8)下端自上而下依次设置第一晶体片(41)、电极片(3)及第二晶体片(42)并封装于一弹性缸套(6)内,第一晶体片(41)、电极片(3)及第二晶体片(42)与弹性缸套(6)间通过绝缘套(5)隔离,插头(10)中心位置芯柱(8)上部内设置绝缘芯套(9),上述压电元件施加预紧力与芯柱(8)用等离子焊接成一体。

【技术特征摘要】
一种高精度高频压电式压力传感器,包括膜片(1)、电极片(3)、第一晶体片(41)、第二晶体片(42)、绝缘套(5)、芯柱(8)、插头(10)及壳体(7),其特征在于芯柱(8)下端自上而下依次设置第一晶体片(41)、电极片(3)及第二晶体片(42)并封装于一弹性缸套(6)内,第一晶体片(41)、电极片(3)及第二晶体片(42)与弹性缸套(6)间通过绝缘套(5)隔离,插头(10)中心位置芯柱(8)上部...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈斌陈世春肖江民曾令钢曾金福
申请(专利权)人:江西鑫源传感器有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:36[中国|江西]

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