一种LPCVD软着陆双层炉管机构制造技术

本技术公开了一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其技术方案要点是，包括炉体，炉体一侧设有炉口，另一侧设有炉尾，所述炉体内还设有石英管，所述石英管内设有金属管，所述炉体靠近炉口一端通过第一法兰组分别与石英管及金属管连接，所述炉体靠近炉尾一端还通过第二法兰组与石英管及金属管连接，所述金属管与第二法兰组之间还设有金属波纹管，所述金属管内还设有支撑装置，所述支撑装置上还设有放置装置，本技术减少内石英管的损伤，通过对内石英管内壁上加装金属管有效的保证石英管的使用寿命，同时降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片薄膜生产设备领域，具体涉及一种lpcvd软着陆双层炉管机构。

技术介绍

1、topcon电池工艺一般为：先正面制绒、硼扩，再进行背面隧穿层、掺杂多晶硅层制备，之后再正面al2o3膜层制备、正反面sinx膜制备，最后金属化；与perc时代时工艺路线之争相似，topcon工艺路线同样存在诸多争议与分歧。整体看，topcon工艺的核心争议在掺杂多晶硅层的制备方法上，分为lpcvd/pecvd/pvd路线；隧穿层sio2膜的制备方法可以是lpcvd、pecvd、ald等方式；多晶硅层制备，从工序角度可分为原位掺杂、非原位掺杂。原位掺杂，即在同一工步完成多晶硅层沉积、多晶硅层磷掺杂；非原位掺杂，即在多晶硅层沉积后，通过扩散炉或者离子注入的方法进行磷掺杂。从制备方法上，多晶硅层制备可分为，lpcvd、pecvd、pvd、apcvd等。

2、而其中lpcvd是低压化学气相沉积(low-pressure chemical vapor deposition)的缩写，低压主要是相对于常压的apcvd而言，主要区别点就是工作环境的压强，lpcvd的压强本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LPCVD软着陆双层炉管机构，包括炉体(1)，炉体(1)一侧设有炉口(2)，另一侧设有炉尾(3)，其特征在于：所述炉体(1)内还设有石英管(4)，所述石英管(4)内设有金属管(5)，所述炉体(1)靠近炉口(2)一端通过第一法兰组(6)分别与石英管(4)及金属管(5)连接，所述炉体(1)靠近炉尾(3)一端还通过第二法兰组(7)与石英管(4)及金属管(5)连接，所述金属管(5)与第二法兰组(7)之间还设有金属波纹管(8)，所述金属管(5)内还设有支撑装置(9)，所述支撑装置(9)上还设有放置装置(10)；

2.根据权利要求1所述的一种LPCVD软着陆双层炉管机构，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种lpcvd软着陆双层炉管机构，包括炉体(1)，炉体(1)一侧设有炉口(2)，另一侧设有炉尾(3)，其特征在于：所述炉体(1)内还设有石英管(4)，所述石英管(4)内设有金属管(5)，所述炉体(1)靠近炉口(2)一端通过第一法兰组(6)分别与石英管(4)及金属管(5)连接，所述炉体(1)靠近炉尾(3)一端还通过第二法兰组(7)与石英管(4)及金属管(5)连接，所述金属管(5)与第二法兰组(7)之间还设有金属波纹管(8)，所述金属管(5)内还设有支撑装置(9)，所述支撑装置(9)上还设有放置装置(10)；

2.根据权利要求1所述的一种lpcvd软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述支撑装置(9)包括两端分别与第一法兰组(6)及第二法兰组(7)连接的固定杆(91)、位于固定杆(91)顶端设有的放置槽(92)及位于放置槽(92)之间设有的支撑杆(93)。

3.根据权利要求2所述的一种lpcvd软着陆双层炉管机构，其特征在于：所述放置装置(10)包括位于支撑杆(93)上设有的放置舟(101)、位于放置...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘永法，刘敏星，高维扬，
申请(专利权)人：赛瑞达智能电子装备无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：