具有承载环的CVD反应器或用于基板的承载环制造技术

本发明专利技术涉及一种布置在CVD反应器中的承载环(20)，所述承载环是用于支承布置在基座之上的基板(10)的支承装置的一部分并且由基座供应热量，其中重要的是，热量通过承载环(20)的环形接片(33)从基座传递至承载环(20)的径向外部区域(21)或径向内部区域(22)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种在cvd反应器中使用的承载环，所述承载环具有径向内部区域和径向外部区域，所述径向内部区域具有用于支撑在基板支架的支撑凸缘上的下侧和与所述下侧相对置的支撑面，贴靠面与所述支撑面相邻接，所述径向外部区域具有上侧和与所述上侧相对置的下侧，该下侧与在圆柱罩面上延伸的外壁相邻接，其中，所述外壁由环形接片构成，所述环形接片构造有与所述外壁相对置的内壁，其中，在中空圆柱内表面上延伸的所述内壁与所述径向内部区域的在内壁的径向以内延伸的下侧相邻接。本专利技术还涉及一种由这种承载环和基板支架构成的装置和一种cvd反应器，所述cvd反应器具有一个或多个这种装置。

技术介绍

1、文献us2010/0071624a1公开了一种具有基座的cvd反应器。该基座具有上侧，在该上侧上可以放置待涂层的基板。该基板的边缘突出于基座的环绕的凹空，承载环的径向内部区域与该凹空嵌接。承载环的径向外部区域突出于环形接片。

2、文献de 10 2013 012 082 a1描述了一种cvd反应器，其具有从下侧加热的基座，该基座承载基板支架，基板可以被放置到该基板支架上。在一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于在基板(10)上沉积SiC层的CVD反应器，所述CVD反应器具有壳体(1)、布置在壳体中的基座组件(3)、用于加热基座组件(3)的加热装置(6)、布置在处理室顶部(4)和基座组件(3)之间的处理室(2)以及用于将处理气体送入处理室(2)中的进气机构(5)，其中，所述基座组件(3)具有至少一个支承装置，用于支承在所述处理室(2)中待处理的基板(10)，所述支承装置具有圆盘形的基板支架(12)和由基板支架(12)的支撑凸缘(13)承载的承载环(20)，所述基板支架具有上侧(32)和与所述上侧相对置的下侧(12')以及在圆柱罩面上延伸的周向壁(19)，其中，所述承载环(20)具有径...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于在基板(10)上沉积sic层的cvd反应器，所述cvd反应器具有壳体(1)、布置在壳体中的基座组件(3)、用于加热基座组件(3)的加热装置(6)、布置在处理室顶部(4)和基座组件(3)之间的处理室(2)以及用于将处理气体送入处理室(2)中的进气机构(5)，其中，所述基座组件(3)具有至少一个支承装置，用于支承在所述处理室(2)中待处理的基板(10)，所述支承装置具有圆盘形的基板支架(12)和由基板支架(12)的支撑凸缘(13)承载的承载环(20)，所述基板支架具有上侧(32)和与所述上侧相对置的下侧(12')以及在圆柱罩面上延伸的周向壁(19)，其中，所述承载环(20)具有径向内部区域(22)，所述径向内部区域的下侧(22")放置在所述支撑凸缘(13)上，并且所述径向内部区域的与下侧(22")相对置的上侧构成用于支撑所述基板(10)的边缘(10')的支撑面(23)，其中，所述承载环(20)具有径向外部区域(21)，所述径向外部区域具有上侧(26)和与所述上侧(26)相对置的下侧(30')，该下侧(30')与在圆柱罩面上延伸的外壁(36)邻接，并且其中，所述支撑面(23)由具有第一直径(d1)的贴靠面(24)限定边界，其特征在于，设有环形接片(33)，所述环形接片具有在中空圆柱内表面上延伸的内壁(34)，所述内壁具有第二直径(d2)并且沿着周向壁(19)延伸，其中，所述第一直径(d1)仅以所述基板(10)的直径公差的量大于所述第二直径(d2)，并且所述环形接片(33)的从下侧(22")至环形接片(33)的下边缘(37)测得的高度(d)小于所述支撑凸缘(13)与所述基板支架(12)的下侧(12')间的距离(b)。

2.根据权利要求1所述的cvd反应器，其特征在于，所述高度(d)小于所述距离(b)的100％，但是等于所述距离(b)的至少50％或至少80％或至少90％。

3.一种在用于在基板(10)上沉积sic层的cvd反应器中使用的承载环(20)，所述承载环具有径向内部区域(22)和径向外部区域(21)，所述径向内部区域具有用于支撑在基板支架(12)的支撑凸缘(13)上的下侧(22")和与所述下侧(22")相对置的支撑面(23)，具有第一直径(d1)的贴靠面(24)与所述支撑面相邻接，所述径向外部区域具有上侧(26)和与所述上侧(26)相对置的下侧(30')，该下侧(30')与在圆柱罩面上延伸的外壁(36)相邻接，其中，所述外壁(36)由环形接片(33)构成，所述环形接片构造有与所述外壁(36)相对置的内壁(34)，其中，在中空圆柱内表面上延伸的所述内壁(34)与所述径向内部区域(22)的在内壁(34)的径向以内延伸的下侧(32")相邻接，其特征在于，所述第一直径(d1)仅以基板(10)的直径公差的量大于所述内壁(34)的第二直径(d2)。

4.一种用于在cvd反应器中支承基板(10)的支承装置，所述支承装置具有圆形的基板支架(12)和由基板支架(12)的支撑凸缘(13)承载的承载环(20)，所述基板支架具有在圆柱罩面上延伸的周向壁(19)，其中，所述承载环(20)具有径向内部区域(22)，所述径向内部区域的下侧(22")放置在所述支撑凸缘(13)上，并且所述径向内部区域的与下侧(22")相对置的上侧构成用于支撑所述基板(10)的边缘(10')的支撑面(23)，其中，所述承载环(20)具有径向外部区域(21)，所述径向外部区域具有上侧(26)和与所述上侧(26)相对置的下侧(30')，该下侧(30')与在圆柱罩面上延伸的外壁(36)邻接，并且其中，所述支撑面(23)由具有第一直径(d1)的贴靠面(24)限定边界，其特征在于，设有环形接片(33)，所述环形接片构造有在中空圆柱内表面上延伸的内壁(34)，所述内壁具有第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·L·霍尔茨瓦尔思，M·科尔伯格，M·穆基诺维奇，S·斯特劳克，
申请(专利权)人：艾克斯特朗欧洲公司，
类型：发明
国别省市：