半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。其中，该半导体装置在第１绝缘膜上将第１布线排列为其连接焊盘部形成外侧的环状，使第２布线通过第１布线的连接焊盘部之间而延伸，并将其连接焊盘部排列为在比外侧的环状靠内侧形成至少１个环状，在包括第１及第２布线上的第１绝缘膜上，设置在与第１及第２布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部的第２绝缘膜，在经由第２绝缘膜的开口部而露出的第１及第２布线的连接焊盘部上表面以及其周围的第２绝缘膜上，设置有具有比第１及第２布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸的柱状电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
存在日本特开2008-84919号公报中，例如图13所示，存在被称为CSP(芯片尺寸封装，chip size package)的技术，其中，在上表面具有多个连接焊盘32的半导体基板31上设置有绝缘膜33以及保护膜34，在保护膜34的上表面与连接焊盘32连接地设置有布线35，在布线35的连接焊盘部上表面设置有柱状电极36，在包括布线35的保护膜34的上表面设置有密封膜37，密封膜37的上表面与柱状电极36的上表面成为一个面，在柱状电极36的上表面设置有焊料球38。此时，布线35包括与连接焊盘32连接的连接部35a、前端的连接焊盘部35b以及它们之间的引线部35c。然而，在日本特开2008-84919号公报中， 一般的，多个柱状电极36即成为其底座的多个布线35的连接焊盘部35b被配置为矩阵状，在配置在半导体基板31上的周边部的相邻的布线35的连接焊盘部35b之间，配置有布线35的引线部35c，该布线35具有成为配置在半导体基板31上的中央部的柱状电极36的底座的连接焊盘部。此处，对上述构成的半导体装置的尺寸的一个例子进行说明。在布线35的引线部35c的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具有：　半导体基板，在一个面形成有集成电路；　多个连接焊盘，沿着上述半导体基板的至少相对置的一侧边，分别与上述集成电路连接；　第１绝缘膜，设置在上述半导体基板的上方；　多个第１布线，设置在上述第１绝缘膜上，分别排列为 连接焊盘部形成外侧的环状；　第２布线，通过上述第１布线的连接焊盘部之间而延伸，排列为连接焊盘部在上述外侧的环状的内侧形成至少１个环状；　第２绝缘膜，设置在包括上述第１及第２布线上的上述第１绝缘膜上，在与上述第１及第２布线的连接焊盘部对应 的部分具有开口部；以及　柱状电极，设置在经由上述第２绝缘膜的开口部露出的上述第１及第２布线的连接焊盘部上表面...

【技术特征摘要】
JP 2008-9-1 223028/20081.一种半导体装置，具有半导体基板，在一个面形成有集成电路；多个连接焊盘，沿着上述半导体基板的至少相对置的一侧边，分别与上述集成电路连接；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板的上方；多个第1布线，设置在上述第1绝缘膜上，分别排列为连接焊盘部形成外侧的环状；第2布线，通过上述第1布线的连接焊盘部之间而延伸，排列为连接焊盘部在上述外侧的环状的内侧形成至少1个环状；第2绝缘膜，设置在包括上述第1及第2布线上的上述第1绝缘膜上，在与上述第1及第2布线的连接焊盘部对应的部分具有开口部；以及柱状电极，设置在经由上述第2绝缘膜的开口部露出的上述第1及第2布线的连接焊盘部上表面及其周围的上述第2绝缘膜的上方，具有比上述第1及第2布线的连接焊盘部的平面尺寸大的平面尺寸。2. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，在上述柱状电极与上述第1及第2布线的连接焊盘部之间，设置有基 底金属层。3. 如权利要求2所述的半导体装置，其中， 上述基底金属层具有与上述柱状电极相同的平面尺寸。4. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，上述第2布线的一部分通过与上述柱状电极的正下方对应的区域而延 伸到上述外侧的环状的内侧。5. 如权利要求1所述的半导体装置，其中，在上述第2绝缘膜上以覆盖上述柱状电极的周围的方式设置有密封膜。6. 如权利要求5所述的半导体装置，其中， 在上述柱状电极上设置有焊料球。7. —种半导体装置的制造方法，包括如下步骤准备半导体基板的步骤，该半导体基板在一个面形成有集成电路，并 形成有沿着至少相对置的一侧边、分别与上述集成电路连接的多个连接焊盘；第1绝缘膜形成步骤，在上述半导体基板的上方形成具有将上述连接 焊盘的至少一部分露出的开口部的第1绝缘膜；布线形成步骤，在形成在上述半导体基板上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金子纪彦，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]