半导体器件及其制造方法以及半导体密封用树脂技术

本发明专利技术的目的在于提供一种提高引线和密封体树脂（模树脂）的粘合性、不引起剥离、可靠性高的半导体器件。所述半导体器件具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分；所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和／或具有环己烷环的化合物；在所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和／或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件及该半导体器件的制造方法以及半导体密封用树脂。
技术介绍
专利文献l中公开了 一种密封半导体芯片的方法，在由Cu合金形成的引线基质上作为基底镀覆进行Cu触击电镀，之后部分镀覆用于引线接合或管芯焊接的银、金、钯等，用树脂等密封连接有引线的半导体芯片。非专利文献l为涉及固体物理学的古典文献，其中登载了晶格常数(最邻近原子间距离等)。非专利文献2中，关于在高分子材料的浸湿性、摩擦 磨蚀特性、粘接性、生物适应性等方面高分子固体表面的构造和物性的控制，记载了通过使用放射光的表面X射线衍射、扫描力显微镜的分析技术。专利文献1特开平9 - 195068号公报非专利文献1第5版Kittel固体物理学入门(上)p. 28、丸善抹式会社(1978年)。非专利文献2Denso Technical Review: vol. 12、 No. 2、 pp. 3 ~ 12(2007年)
技术实现思路
即使如专利文献l中所记载，实施在引线基质上镀覆铜、银、金、钯等后用树脂等密封半导体芯片的方法，由上述镀覆表面和树脂等形成的密封体的粘合性也不充分，有时引起剥离。由于使用需要比现有温度更高的回本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和／或具有环己烷环的化合物，所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和／或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。

【技术特征摘要】
JP 2008-9-1 2008-2229791、一种半导体器件，具有半导体芯片和与所述半导体芯片电连接的以金属作为主构成材料的多根引线、以及密封所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多根引线具有从所述树脂中露出的外引线部分和埋入所述树脂中的内引线部分，所述树脂含有具有苯环的芳香族化合物和/或具有环己烷环的化合物，所述内引线部分的表面材料与所述树脂接触的界面上的所述树脂中含有的苯环和/或环己烷环、和作为所述内引线部分的表面材料的主构成材料的金属原子重叠排列。2、 如权利要求l所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面材料含有选自硼、锰和硅中的一种元素作为添加元素。3、 如权利要求2所述的半导体器材，其特征在于，作为所述内引线 部分的表面材料的主构成材料的金属是铜或镍。4、 如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，作为所述内引线 部分的表面材料的主构成材料的金属是铂、钯或钌。5、 如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，作为所述内引线 部分的表面材料的主构成材料的金属是金或银。6、 如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述添加元素的 含有率在所述添加元素为硼时为0.5 ~ 12at%,所述添加元素为锰时为 0.2~13at°/。，所迷添加元素为珪时为0.2~ 13at%,所述树脂是含有苯环 的芳香族化合物。7、 如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面晶体组织具有铜或镍的(111)晶体取向。8、 如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述内引线部分 的表面材料含有氧，所述树脂是在含有40at。/。以上苯环的芳香族化合物 中仅添加l ~ 20at。/o的环己烷分子的树脂。9、 如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述添加元素的 含有率在所述添加元素为硼时为O.l ~ 12at%，所述添加元素为4孟时为 0.2~13at%、所述添加元素为硅时为0.4~ 13at%，所述树脂是含有苯环的芳香族化合物。10、 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩崎富生，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]