一种无机介孔KIT-6/P(TFE-HFP)介电复合膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种无机介孔KIT‑6/P(TFE‑HFP)介电复合膜及其制备方法。所述KIT‑6/P(TFE‑HFP)介电复合膜是以P(TFE‑HFP)作为基体，介孔材料KIT‑6作为填料，其中介孔材料KIT‑6和P(TFE‑HFP)基体的质量比为0.005～0.03:1。本发明专利技术以介孔材料KIT‑6作为填料，通过填料内部交错的介孔，同时用来改善P(TFE‑HFP)的介电性能、极化性能、储能性能和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种p(tfe-hfp)基介电复合薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，随着电子技术的飞速发展，信息产业的需求与发展无线技术革命，低介电常数材料已成为当今世界最重要的课题之一。在信号传输的过程中，有信号延时和电路的损失。信号延迟与介电材料的介电常数的关系如下式所示。

2、td＝kdk0.5

3、式中td表示信号延迟，k为系数，dk表示介电材料的介电常数。可以看出，介电材料的介电常数越低，信号延迟越低，信号保真度越高。因此，在5g的背景下对第五代通信进行了深入的开发技术上，低介电材料的使用已成为一种趋势，并且是减小信号滞后时间的有效方法。一般来说，电介质常用的领域是具有相对低介电材料的微电子学。低介电材料意味着介电常数为高于空气(1.0)，低于二氧化硅(3.9)，取值范围为1.0～3.9。低介电高分子材料由于它们的几个优点，包括可加工性，热稳定性和电绝缘性，在电子领域得到了广泛的应用，包括电气工程、电子集成、印刷电路板、通讯材料等领域。根据报道所知，聚四氟乙烯(ptfe)、液晶聚酰亚胺(lcp)、聚酰亚胺(pi)等广本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种KIT-6/P(TFE-HFP)介电复合膜，其特征在于：所述KIT-6/P(TFE-HFP)介电复合膜是以P(TFE-HFP)作为基体，介孔材料KIT-6作为填料，其中介孔材料KIT-6和P(TFE-HFP)基体的质量比为0.005～0.03:1。

2.如权利要求1所述的KIT-6/P(TFE-HFP)介电复合膜，其特征在于：所述介孔材料KIT-6是以聚丙烯酸单体和Pluronic P123单体为软模板，其中聚丙烯酸单体与Pluronic P123单体的投料质量比为0-0.5：1，正丁醇为共溶剂，浓盐酸为酸碱调节剂，正硅酸四乙酯单体为前驱体，通过水热合成法获得。...

【技术特征摘要】

1.一种kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜是以p(tfe-hfp)作为基体，介孔材料kit-6作为填料，其中介孔材料kit-6和p(tfe-hfp)基体的质量比为0.005～0.03:1。

2.如权利要求1所述的kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述介孔材料kit-6是以聚丙烯酸单体和pluronic p123单体为软模板，其中聚丙烯酸单体与pluronic p123单体的投料质量比为0-0.5：1，正丁醇为共溶剂，浓盐酸为酸碱调节剂，正硅酸四乙酯单体为前驱体，通过水热合成法获得。

3.如权利要求2所述的kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述聚丙烯酸单体与pluronic p123单体的投料质量比为0.5：1。

4.如权利要求2或3所述的kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述pluronicp123单体、正丁醇、浓盐酸、正硅酸四乙酯单体的投料质量比为0.4-0.5：0.4-0.5：1.55-1.75：1。

5.如权利要求2或3所述的kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述水热合成法的水热反应温度为100-150℃，水热反应时间为24-48h。

6.如权利要求5所述的kit-6/p(tfe-hfp)介电复合膜，其特征在于：所述水热合成法具体按照如下步骤实施：往反应容器中加入聚丙烯酸单体、pluronic p123单体和去离子水，并控制温度在30-40℃，搅拌...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶会见，马泽华，徐立新，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：