像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器及驱动方法技术

本发明专利技术提供一种像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器及驱动方法，像素电路包括有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管以及第一至第四开关晶体管。其中，驱动晶体管用以根据储存电容上存有的电荷量产生像素电流以驱动有机发光二极管产生对应的亮度；第一至第四开关晶体管的导通／截止状态由同一扫描信号控制，且通过第一至第四开关晶体管的电性耦接关系使得流过有机发光二极管的像素电流与电源电压及驱动晶体管的临界电压无关且可随着有机发光二极管长时间操作其跨压上升而提高。本发明专利技术还提供采用前述像素电路的主动式矩阵有机发光二极管显示器以及像素电路的驱动方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种有机发光二极管显示
，且特别是有关于一种像素电路、主动式矩阵有机发光二极管显示器以及驱动方法。
技术介绍
主动式矩阵有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器的像素一般以晶体管搭配储存电容来储存电荷，以控制有机发光二极管的亮度表现。请参见图1，其为传统像素电路的示意图。像素电路200包括P型驱动晶体管202、 N型开关晶体管204、储存电容Cst以及有机发光二极管210。驱动晶体管202的源极S电性耦接至电源电压OVDD;开关晶体管204的栅极G因电性耦接关系而接收扫描信号SCAN,漏极D因电性耦接关系而接收数据电压Vdata，源极S电性耦接至驱动晶体管202的栅极；储存电容Cst的两端跨接于驱动晶体管202的栅极G与源极S的间，其电容跨压标示为Vsg;有机发光二极管210的阳极电性耦接至驱动晶体管202的漏极D，阴极电性耦接至另一电源电压OVSS。前述像素结构通过电容跨压V,g控制流过驱动晶体管202的电流大小，即流过有机发光二极管210的像素电流I。led=K*(Vsg-VTH)2;其中，K为常数，Vsg的大小相关于电源电压OVDD及数据电压Vdata的大小，VTH为驱动晶体管202的临界电压。由于主动式矩阵有机发光二极管显示器上的电源电压OVDD于每个像素间都相连接在一起，当驱动有机发光二极管210发亮时，电源电压OVDD金属在线会有电流流过，而由于本身OVDD金属在线具有阻抗，所以会有电源电压降(IR-drop)存在，使得每一颗像素的电源电压OVDD会有差异，造成像素与像素之间会有像素电流1。,ed差异，流过OLED的电流不同其所产生的亮度就会不同，造成面板显示不均匀。另外，由于制造工艺的影响，每一个像素的驱动晶体管202的临界电压Vth均不相同，导致即使给予相同的数据电压Vdata，其所产生的像素电流仍然会有差异，造成面板显示不均匀。此外，有机发光二极管210随着使用时间增加会产生材料衰减问题以致于有机发光二极管210的跨压上升，如此便会造成像素电流I。,ed下降，进而导致面板的整体显示亮度下降。
技术实现思路
本专利技术的目的的一就是在提供一种像素电路，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。本专利技术的再一目的是提供一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。本专利技术的又一目的是提供一种像素电路的驱动方法，以改善面板显示不均匀的问题以及有机发光二极管的材料衰减问题。本专利技术一实施例提出的一种像素电路，其包括有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管以及第四开关晶体管。其中，储存电容包括第一端及第二端；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管；第一开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至预设电压，第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端；第二开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收前述扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第三开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收前述扫描信号，其第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第四开关晶体管的栅极因电性耦接关而接收前述扫描信号，其的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极因电性耦接关系而接收数据电压。在本专利技术的一实施例中，前述的第一开关晶体管及第二开关晶体管的导通/截止状态与第三开关晶体管及第四开关晶体管的导通/截止状态相反。进一步地，第一开关晶体管及第二开关晶体管可为P型晶体管，第三开关晶体管及第四开关晶体管可为N型晶体管。本专利技术再一实施例提出的一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，其包括数据驱动电路、扫描驱动电路以及至少一像素。其中，像素包括有机发光二极管、储存电容、驱动晶体管、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管及第四开关晶体管。储存电容包括第一端及第二端；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管；第一开关晶体管的栅极透过扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至预设电压，第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端；第二开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第三开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极；第四开关晶体管的栅极透过前述扫描线电性耦接至扫描驱动电路，第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二源/漏极透过数据线电性耦接至数据驱动电路。再者，第一开关晶体管及第二开关晶体管的栅极开启电压与第三开关晶体管及第四开关晶体管的栅极开启电压互为反相。进一步地，第一幵关晶体管及第二开关晶体管可为P型晶体管，第三开关晶体管及第四开关晶体管可为N型晶体管。本专利技术又一实施例提出一种像素电路的驱动方法，此像素电路包括有机发光二极管、储存电容及驱动晶体管；驱动晶体管用以驱动有机发光二极管发亮，其第一源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二源/漏极电性耦接至有机发光二极管。其中，驱动方法包括步骤提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通；提供数据电压至储存电容的第二端，并使储存电容的第一端透过驱动晶体管及有机发光二极管放电至有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使储存电容存有一电荷量；以及再提供预设电压至储存电容的第一端以及使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通，以致于驱动晶体管根据储存电容上的电荷量产生像素电流驱动有机发光二极管发亮。在本专利技术的一实施例中，当像素更包括第一开关晶体管及第二开关晶体管，且第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至预设电压，第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至储存电容的第一端，第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极时，前述提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通的步骤包括导通第一开关晶体管及第二开关晶体管。在本专利技术的一实施例中，当像素更包括第三开关晶体管及第四开关晶体管，且第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至驱动晶体管的第二源/漏极，第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至驱动晶体管的栅极，第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至储存电容的第二端，第四开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至数据电压时，前述提供数据电压至储存电容的第二端，并使储存电容的第一端透过驱动晶体管及有机发光二极管放电至有机发光二极管的导通电流几乎为零为止，以使储存电容存有电荷量的步骤包括截止第一开关晶体管及第二开关晶体管，并导通第三开关晶体管及第四开关晶体管。进一步地，前述提供预设电压至储存电容的第一端，并使储存电容的第二端与驱动晶体管的栅极相通的步骤更本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，其特征在于，所述的像素电路包括：　一有机发光二极管；　一储存电容，包括一第一端及一第二端；　一驱动晶体管，用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体管的第一源／漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端 ，所述的驱动晶体管的第二源／漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；　一第一开关晶体管，所述的第一开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收一扫描信号，所述的第一开关晶体管的第一源／漏极电性耦接至一预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源／漏极电 性耦接至所述的储存电容的所述的第一端；　一第二开关晶体管，所述的第二开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第二开关晶体管的第一源／漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源／漏极电性耦 接至所述的驱动晶体管的栅极；　一第三开关晶体管，所述的第三开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第三开关晶体管的第一源／漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的第二源／漏极，所述的第三开关晶体管的第二源／漏极电性耦接 至所述的驱动晶体管的所述的栅极；以及　一第四开关晶体管，所述的第四开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第四开关晶体管的第一源／漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源／漏极因电性耦 接关系而接收一数据电压。...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，其特征在于，所述的像素电路包括一有机发光二极管；一储存电容，包括一第一端及一第二端；一驱动晶体管，用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端，所述的驱动晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；一第一开关晶体管，所述的第一开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收一扫描信号，所述的第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至一预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端；一第二开关晶体管，所述的第二开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的栅极；一第三开关晶体管，所述的第三开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的第二源/漏极，所述的第三开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极；以及一第四开关晶体管，所述的第四开关晶体管的栅极因电性耦接关系而接收所述的扫描信号，所述的第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源/漏极因电性耦接关系而接收一数据电压。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述的第一开关晶体管 及所述的第二开关晶体管的导通/截止状态与所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管的导通/截止状态相反。3. 如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管为p型晶体管，所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管为N型晶体管。4. 一种主动式矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于，所述的显示器 包括一数据驱动电路； 一扫描驱动电路；以及 至少一像素，包括 一有机发光二极管；一储存电容，包括一第一端及一第二端；一驱动晶体管，用以驱动所述的有机发光二极管发亮，所述的驱动晶体 管的第一源/漏极电性耦接至所述的储存电容的所述的第一端，所述的驱动晶 体管的第二源/漏极电性耦接至所述的有机发光二极管；一第一开关晶体管，所述的第一开关晶体管的栅极透过一扫描线电性耦 接至所述的扫描驱动电路，所述的第一开关晶体管的第一源/漏极电性耦接至 一预设电压，所述的第一开关晶体管的第二源/漏极电性耦接至所述的储存电 容的所述的第一端；一第二开关晶体管，所述的第二开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电 性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第二开关晶体管的第一源/漏极电性耦 接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第二开关晶体管的第二源/漏极 电性耦接至所述的驱动晶体管的栅极；一第三开关晶体管，所述的第三开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电 性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第三开关晶体管的第一源/漏极电性耦 接至所述的驱动晶体管的所述的第二源/漏极，所述的第三开关晶体管的第二 源/漏极电性耦接至所述的驱动晶体管的所述的栅极；以及一第四开关晶体管，所述的第四开关晶体管的栅极透过所述的扫描线电 性耦接至所述的扫描驱动电路，所述的第四开关晶体管的第一源/漏极电性耦 接至所述的储存电容的所述的第二端，所述的第四开关晶体管的第二源/漏极 透过一数据线电性耦接至所述的数据驱动电路；其中，所述的第一开关晶体管及所述的第二开关晶体管的栅极开启电压 与所述的第三开关晶体管及所述的第四开关晶体管的栅极开启电压互为反 相。5. 如权利要求4所述的主动式矩阵有机发光二极管显示器，其特征在于， 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗廷，吴元均，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]