【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机电致发光器件(oled)，具体说是一种三线态激子中转库材料及应用。
技术介绍
1、有机电致发光技术已经广泛用于智能手机等平板显示，具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、视角宽、响应速度快、可实现柔性显示等诸多优点。在有机电致发光器件中，电子和空穴分别由电极注入而在有机分子中复合而形成激子，从而激子通过辐射而发光，理论上按照统计分布，产生激发三重态和激发单重态的比例是3:1。因此充分利用其中的单、三线态激子是获得高效率发光器件的必要途径。目前途径主要有1)将不能直接发光的三线态，通过三线态－三线态融合(ttf，有的文献也称为三线态-三线态湮灭即tta)而形成发光的单线态，来提高发光效率的荧光发光材料；2)利用重原子诱导三线态发光的磷光发光材料；3)通过分子设计控制homo与lumo能级的分离，从而实现三线态到单线态的有效反转，也就是所说的tadf材料，可以充分利用所有的激发态，从而促进oled效率大幅度提高。在全色显示领域中，蓝光作为三基色之一，不但是白光的重要组成部分，也可以作为激发光以实现绿光以及红光的显示。但是蓝色发光材料相比与绿色和红色发光材料，由于能带较宽，其三线态激子能量高而造成不稳定，故蓝色发光材料中磷光及tadf都存在稳定性的问题还没有解决。
2、目前蓝色发光器件一般采用荧光作为发光客体，其三线态激子能级不高，并通过ttf利用其部分的三线态激子。为了解决蓝色发光器件中高三线态能量高而不稳定的难题，必须1)减少处于三线态激子状态的时间，快速转为单线态激子，即
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种三线态激子中转库材料。该中转库材料可以降低发光材料中高三线态激子的浓度，从而改善蓝色发光器件的稳定性。
2、为达到以上目的，本专利技术采取的技术方案是：
3、一种三线态激子中转库材料，其特征在于，为如下式(1)所示物质的衍生物：
4、
5、其特征在于，所述三线态激子中转库材料的结构为：上式(1)中所示的三个苯环结构中至少有一个苯环上的至少一个c被n取代；
6、上式(1)中，ar为稠环芳烃，cz为咔唑衍生物。
7、在上述方案的基础上，
8、式(1)中所示的三个苯环结构中至少有一个苯环被吡啶环或二嗪环或三嗪环取代。
9、在上述方案的基础上，
10、式(1)中所示的三个苯环结构中c被n取代后具体为：三联吡啶，如下式(2)：
11、
12、上式(2)中，三联吡啶的各吡啶环的n原子分别位于2-6位中的任意一位、1’、3’、5’位中的任意一位和2”-6”位中的任意一位；
13、或者为：苯基联吡啶：如下式(3)：
14、
15、上式(2)中，苯基联吡啶的各吡啶环的n原子分别位于2-6位中的任意一位和2”-6”位中的任意一位；
16、或者为：如下式(4)：
17、
18、在上述方案的基础上，
19、所述ar的具体结构包括：
20、三元稠环衍生物：
21、
22、四元稠环：
23、
24、五元稠环：
25、
26、在上述方案的基础上，
27、所述cz的具体结构为：
28、
29、本专利技术的另一个目的在于提供上述三线态激子中转库材料在制备发光材料方面的应用。
30、为达到以上目的，本专利技术采取的技术方案是：
31、一种底发射发光器件，其特征在于，包括依次叠加的透明电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和不透明电极；上述发光层材料为上述三线态激子中转库材料。
32、一种顶发射发光器件，其特征在于，包括依次叠加的不透明电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和透明电极；上述发光层材料为上述三线态激子中转库材料。
33、本专利技术所述的一种三线态激子中转库材料及应用，其有益效果为：
34、(1)三线态激子中转库材料核心为多元稠环，具有较低的第一三线态能级(小于2.1ev)，有利于降低发光分子的高线态激子的浓度而提升发光分子的稳定性，并通过三线态-三线态激子融合(ttf)效应回收利用能量；
35、(2)三联吡啶和三嗪作为受体，有利于增加吸电子能力，提升电子传输特性，同时与给体的咔唑类基团相互作用可以产生杂化局域态电荷转移或者热三线态激子转移(hlct)效应以提升蓝光效率；
36、(3)该类材料的大部分分子成非平面结构，避免分子间聚集和相互作用，使得该类材料具有很好的热稳定性，玻璃化转变温度普遍超过180℃；
37、(4)该类材料可以有效降低发光材料的高三线态激子的浓度，改善器件的稳定性；
38、(5)该类材料可以在降低发光材料的高三线态激子浓度的同时，通过ttf及hlct过程提高发光层中三线态激子的利用效率。
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1.一种三线态激子中转库材料，其特征在于，为如下式(1)所示物质的衍生物：
2.如权利要求1所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：式(1)中所示的三个苯环结构中至少有一个苯环被吡啶环或二嗪环或三嗪环取代。
3.如权利要求2所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：式(1)中所示的三个苯环结构中C被N取代后具体为：三联吡啶，如下式(2)：
4.如权利要求1所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：所述Ar的具体结构包括：
5.如权利要求1所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：所述Cz的具体结构为：
6.一种应用权利要求1所述材料的底发射发光器件，其特征在于，包括依次叠加的透明电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和不透明电极；上述发光层材料为上述三线态激子中转库材料。
7.一种应用权利要求1所述材料的顶发射发光器件，其特征在于，包括依次叠加的不透明电极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层和透明电极；上述发光层材料为上述三线态激子中
...【技术特征摘要】
1.一种三线态激子中转库材料，其特征在于，为如下式(1)所示物质的衍生物：
2.如权利要求1所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：式(1)中所示的三个苯环结构中至少有一个苯环被吡啶环或二嗪环或三嗪环取代。
3.如权利要求2所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：式(1)中所示的三个苯环结构中c被n取代后具体为：三联吡啶，如下式(2)：
4.如权利要求1所述的一种三线态激子中转库材料，其特征在于：所述ar的具体结构包括：
5.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖立新，陈志坚，郭浩清，唐振宇，龚乐帆，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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