一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件制造技术

本发明专利技术提供了一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，属于半导体技术领域。本发明专利技术包括：半导体衬底，其上连接有Fin条和STI区；STI区位于相邻两个Fin条之间，STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被挖空；Fin条顶部至中部与STI区没有接触的表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；Fin条下部被STI区包裹；源漏位于沟道区两端。本发明专利技术通过挖空STI区的剖面中间部分，剩余的STI区包裹两侧的Fin条。由于氧化层体积的减少，辐射诱生的氧化层陷阱电荷数量减少，Sub‑Fin区域难以反型形成泄漏通道，因此能够减小辐照引起的器件关态泄漏电流增加，其抗总剂量辐射能力得到增强。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件。

技术介绍

1、随着航空航天事业的不断发展，越来越多的电子设备暴露于空间辐射环境下。半导体器件受到γ射线、电子、x射线等辐照后，会产生总剂量效应。总剂量效应会影响器件的直流特性，例如关态泄漏电流增大、阈值电压漂移、跨导改变等，这将引起集成电路性能降低甚至功能失效，从而导致研发人员对集成电路的抗辐射能力有了更高需求。在器件特征尺寸缩小到纳米尺度后，具有良好栅控能力的多栅器件成为主流的商用器件结构，例如三维finfet结构。随着器件特征尺寸不断缩小，栅氧化层厚度不断减薄，其中辐射诱导陷阱电荷绝对数量减少，栅氧由此得到加固，而浅槽隔离(sti)区成为主要的辐射敏感区，因此对于基于体衬底的多栅结构器件，总剂量辐射敏感区由栅氧化层向sti区转变。特别当fin宽减小时，sti区中的辐射诱导陷阱电荷影响加重。

技术实现思路

1、有鉴于此，为提高多栅体硅器件的抗总剂量辐射能力，一方面，本专利技术提供了一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，通过挖空sti区的剖面中间部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述挖空包括部分挖空或全部挖空。

3.根据权利要求2所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被全部挖空并暴露出半导体衬底。

4.根据权利要求2所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被部分挖空，剖面中间部分底部剩余一定厚度用来填充介质层。

5.根据权利要求4所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述挖空包括部分挖空或全部挖空。

3.根据权利要求2所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述sti区垂直于源漏方向的剖面中间部分被全部挖空并暴露出半导体衬底。

4.根据权利要求2所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其特征在于，所述sti区垂直于源漏方向的剖面中间部分被部分挖空，剖面中间部分底部剩余一定厚度用来填充介质层。

5.根据权利要求4所述的一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：安霞，袁乔枫，郭伟，宛良臣，王子豪，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：