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本发明提供了一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，属于半导体技术领域。本发明包括：半导体衬底，其上连接有Fin条和STI区；STI区位于相邻两个Fin条之间，STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被挖空；Fin条顶部至中部与STI区没有接触的表面...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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