集成电路工艺装置制造方法及图纸

技术编号:41254928 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:15
本技术公开了集成电路工艺装置,涉及晶圆电镀挂具技术领域。该集成电路工艺装置,包括:底座,所述底座的表面下侧开设有圆环开槽,所述底座的背面可拆卸连接有上盖,所述上盖为圆形状,且上盖连接在圆环开槽处,所述底座的外壁上侧设置有挂具端子;内嵌入在圆环开槽内的金属导通片和导通压环,所述金属导通片呈多段状。将弹性金属压条压在相邻的两个金属导通片之间,使得相邻的两个弹性金属压条之间连接,从而使得各个弹性金属压条之间连接成一个环形状的结构,弹性的材质,使得两个弹性金属压条之间接触效果更佳。压条大小只需将实现将相邻两个弹性金属压条连接即可。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆电镀挂具,具体为集成电路工艺装置


技术介绍

1、电镀就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程,是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到保护作用来防止金属氧化(如锈蚀),或作为电性导通用途的金属连通功能。

2、影响电镀效果的主要原因在于:质量传输与电子传输两部分,前者包括化学药水浓度、循环流量、搅拌速度等;后者如电流大小、电场分布、阴阳极几何形状等,其中以电流大小最为关键。直接影响电镀均匀性。

3、目前,基于技术成熟度与成本考量,多书电镀设备仍采用片式,甚至采用点式接触的设计,点式、片式加工简单,成本低,但是由于各点或各片阻值不通,导通形成电流竞争,造成电流分布不均匀。如图7所示,从左至右金属导通片排布形式依次为:少点式、多点式、多片式、整环式。

4、整环式电流分布较均匀,但加工难度相对较大,成本相对较高。


技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足,本技术提供了集成电路工艺装置,解决了上述提出的问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:集成电路工艺装置,包括:

5、底座,所述底座的表面下侧开设有圆环开槽,所述底座的背面可拆卸连接有上盖,所述上盖为圆形状,且上盖连接在圆环开槽处,所述底座的外壁上侧设置有挂具端子;

6、内嵌入在圆环开槽内的金属导通片和导通压环,所述金属导通片呈多段状,所述金属导通片与挂具端子电性连接;

7、优选的,所述上盖朝向金属导通片的一侧设置有弹性金属压条和支撑弹簧,所述支撑弹簧位于弹性金属压条的两侧,所述弹性金属压条设置在相邻两段金属导通片端部处。

8、优选的,所述圆环开槽朝向上盖一侧的内边缘、金属导通片的内边缘和导通压环的内边缘均设置为圆弧面状倒角。

9、优选的,所述金属导通片设置为四片,且金属导通片与圆环开槽的内壁之间嵌入有第一密封圈,所述导通压环与上盖之间嵌入有第二密封圈。

10、优选的,所述弹性金属压条设置为弧形状,且弹性金属压条的中部与上盖连接。

11、优选的,所述上盖上还设置有定位插销,所述定位插销设置在支撑弹簧的外部,所述金属导通片上开设有与定位插销位置对应的沟槽。

12、优选的,所述上盖包括位于内侧的内盖体、设置在内盖体外围的中间环和位于中间环外围的外围环,所述弹性金属压条、支撑弹簧、定位插销均设置在中间环上,所述内盖体插入圆环开槽内,所述中间环位于圆环开槽内部的边缘处,所述外围环与底座的外壁连接。

13、优选的,所述外围环螺丝孔圈以内到所述中间环之间嵌入有第三密封圈。

14、(三)有益效果

15、本技术提供了集成电路工艺装置,与现有技术相比,至少具备以下有益效果:

16、(1)基于多片式分布的金属导通片,在上盖与底座的圆环开槽连接时,将弹性金属压条压在相邻的两个金属导通片之间,使得相邻的两个弹性金属压条之间连接,从而使得各个弹性金属压条之间连接成一个环形状的结构,弹性的材质,使得两个弹性金属压条之间接触效果更佳。压条大小只需将实现将相邻两个弹性金属压条连接即可。

17、(2)通过支撑弹簧的设置,支撑弹簧先于相邻的金属导通片接触,先进行检测避免金属导通片与晶圆的光阻层接触造成另类的导通不良,确认无误后,将上盖与底座之间进一步连接,使得弹性金属压条压在相邻两个金属导通片之间。

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【技术保护点】

1.集成电路工艺装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述上盖(3)朝向金属导通片(5)的一侧设置有弹性金属压条(12)和支撑弹簧(13),所述支撑弹簧(13)位于弹性金属压条(12)的两侧,所述弹性金属压条(12)设置在相邻两段金属导通片(5)端部处。

3.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述圆环开槽(2)朝向上盖(3)一侧的内边缘、金属导通片(5)的内边缘和导通压环(6)的内边缘均设置为圆弧面状倒角。

4.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述金属导通片(5)设置为四片,且金属导通片(5)与圆环开槽(2)的内壁之间嵌入有第一密封圈(7),所述导通压环(6)与上盖(3)之间嵌入有第二密封圈(8)。

5.根据权利要求2所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述弹性金属压条(12)设置为弧形状,且弹性金属压条(12)的中部与上盖(3)连接。

6.根据权利要求2所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述上盖(3)上还设置有定位插销(14),所述定位插销(14)设置在支撑弹簧(13)的外部,所述金属导通片(5)上开设有与定位插销(14)位置对应的沟槽。

7.根据权利要求6所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述上盖(3)包括位于内侧的内盖体(31)、设置在内盖体(31)外围的中间环(32)和位于中间环(32)外围的外围环(33),所述弹性金属压条(12)、支撑弹簧(13)、定位插销(14)均设置在中间环(32)上,所述内盖体(31)插入圆环开槽(2)内,所述中间环(32)位于圆环开槽(2)内部的边缘处,所述外围环(33)与底座(1)的外壁连接。

8.根据权利要求7所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述外围环(33)螺丝孔圈以内到所述中间环(32)之间嵌入有第三密封圈(15)。

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【技术特征摘要】

1.集成电路工艺装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述上盖(3)朝向金属导通片(5)的一侧设置有弹性金属压条(12)和支撑弹簧(13),所述支撑弹簧(13)位于弹性金属压条(12)的两侧,所述弹性金属压条(12)设置在相邻两段金属导通片(5)端部处。

3.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述圆环开槽(2)朝向上盖(3)一侧的内边缘、金属导通片(5)的内边缘和导通压环(6)的内边缘均设置为圆弧面状倒角。

4.根据权利要求1所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述金属导通片(5)设置为四片,且金属导通片(5)与圆环开槽(2)的内壁之间嵌入有第一密封圈(7),所述导通压环(6)与上盖(3)之间嵌入有第二密封圈(8)。

5.根据权利要求2所述的集成电路工艺装置,其特征在于:所述弹性金属压条(12)设置为弧形状,且...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭剑云
申请(专利权)人:日月新半导体昆山有限公司
类型:新型
国别省市:

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