黏晶工艺封装装置制造方法及图纸

本技术公开黏晶工艺封装装置，包括底板和压板，本技术通过将垫块材质整体使用铸铁类，垫块顶部开设有数个真空吸附区，每两个真空吸附区之间设置有引脚承载区，真空吸附区包括数个真空吸附单元，可同时吸附数个产品单元，真空吸附单元顶部设为下沉式设计，下沉区域为X型腔体，利用真空孔加上X型腔体下沉式设计，增加真空区域，使得真空吸附面积大，吸附力更强。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及黏晶工艺，具体为黏晶工艺封装装置。

技术介绍

1、随着ic产品应用越来越广，一些产品对blt/die tilt的要求也越来越高，尤其一些高blt要求的产品，这对于机台真空要求会很高。通过真空可以判断出pad的贴合状况，轻微的差异对胶量和blt的影响很大，所以在生产中真空吸附力的大小对产品的品质起到了很关键的作用。

2、当前垫块装置垫块正面包括真空吸附区和引脚承载区，真空吸附区由多个真空孔组成，提供真空吸力吸附，真空孔小于die尺寸即可，可以一列或多列分布，也可固定区域分布。横向两个真空孔距离小于单个pad直径，纵向的不限制，引脚承载区包括多个下沉区域，单独小孔的设计，吸附面积小。

技术实现思路

1、本部分的目的在于概述本技术的实施方式的一些方面以及简要介绍一些较佳实施方式。在本部分以及本申请的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。

2、鉴于上述和/或现有黏晶工艺封装装置中存在的问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.黏晶工艺封装装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述真空孔(130)直径范围为0.5mm～3mm。

3.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述下沉型腔(140)的长宽是单个承载产品Pad尺寸的40％～60％。

4.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述底板(100)底部设置进气口(150)，所述进气口(150)包括三个进气孔A,B,C，A,B,C通过槽贯通。

5.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，还包括压板(200)，所述压板(200)位于所述底...

【技术特征摘要】

1.黏晶工艺封装装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述真空孔(130)直径范围为0.5mm～3mm。

3.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述下沉型腔(140)的长宽是单个承载产品pad尺寸的40％～60％。

4.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置，其特征在于，所述底板(100)底部设置进气口(150)，所述进气口(150)包括三个进气孔a,b,c，a,b,c通过槽贯通。

5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张生，
申请(专利权)人：日月新半导体昆山有限公司，
类型：新型
国别省市：