【技术实现步骤摘要】
本技术涉及黏晶工艺,具体为黏晶工艺封装装置。
技术介绍
1、随着ic产品应用越来越广,一些产品对blt/die tilt的要求也越来越高,尤其一些高blt要求的产品,这对于机台真空要求会很高。通过真空可以判断出pad的贴合状况,轻微的差异对胶量和blt的影响很大,所以在生产中真空吸附力的大小对产品的品质起到了很关键的作用。
2、当前垫块装置垫块正面包括真空吸附区和引脚承载区,真空吸附区由多个真空孔组成,提供真空吸力吸附,真空孔小于die尺寸即可,可以一列或多列分布,也可固定区域分布。横向两个真空孔距离小于单个pad直径,纵向的不限制,引脚承载区包括多个下沉区域,单独小孔的设计,吸附面积小。
技术实现思路
1、本部分的目的在于概述本技术的实施方式的一些方面以及简要介绍一些较佳实施方式。在本部分以及本申请的说明书摘要和技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和技术名称的目的模糊,而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。
2、鉴于上述和/或现有黏晶工艺封装装置中存在的问题,提出了本技术。
3、因此,本技术的目的是提供黏晶工艺封装装置,通过将垫块材质整体使用铸铁类,垫块顶部开设有数个真空吸附区,每两个真空吸附区之间设置有引脚承载区,真空吸附区包括数个真空吸附单元,可同时吸附数个产品单元,真空吸附单元顶部设为下沉式设计,下沉区域为x型腔体,利用真空孔加上x型腔体下沉式设计,增加真空区域,使得真空吸附面积大,吸附力更强。
4、为
5、黏晶工艺封装装置,其包括:
6、底板,所述底板顶部开设有多个真空吸附区域,每两个所述真空吸附区域之间设置有引脚承载区域,每个所述真空吸附区域内部都开设有真空孔,所述底板内部设置有真空腔体,所述真空孔与所述真空腔体贯通,所述真空孔顶部开设有下沉型腔,所述下沉型腔呈x型。
7、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,所述真空孔直径范围为0.5mm~3mm。
8、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,所述下沉型腔的长宽是单个承载产品pad尺寸的40%~60%。
9、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,所述底板底部设置进气口,所述进气口包括三个进气孔a,b,c,所述进气孔a,b,c通过槽贯通。
10、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,还包括压板,所述压板位于所述底板顶部,配合所述引脚承载区域对料条进行压合。
11、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,所述压板内部安装有多个压茎,所述压茎数量与所述引脚承载区域数量一致,并且每个所述压茎与每个对应的所述引脚承载区域位置对应设置。
12、作为本技术所述的黏晶工艺封装装置的一种优选方案,其中,所述压板通过连接件固定在机台上。
13、与现有技术相比:通过将垫块材质整体使用铸铁类,垫块顶部开设有数个真空吸附区,每两个真空吸附区之间设置有引脚承载区,真空吸附区包括数个真空吸附单元,可同时吸附数个产品单元,真空吸附单元顶部设为下沉式设计,下沉区域为x型腔体,利用真空孔加上x型腔体下沉式设计,增加真空区域,使得真空吸附面积大,吸附力更强。
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1.黏晶工艺封装装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述真空孔(130)直径范围为0.5mm~3mm。
3.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述下沉型腔(140)的长宽是单个承载产品Pad尺寸的40%~60%。
4.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述底板(100)底部设置进气口(150),所述进气口(150)包括三个进气孔A,B,C,A,B,C通过槽贯通。
5.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,还包括压板(200),所述压板(200)位于所述底板(100)顶部,配合所述引脚承载区域(120)对料条进行压合。
6.根据权利要求5所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述压板(200)内部安装有多个压茎(210),所述压茎(210)数量与所述引脚承载区域(120)数量一致,并且每个所述压茎(210)与每个对应的所述引脚承载区域(120)位置对应设置。
7.根据权利要求5所述的黏晶工艺封装装置,所述压板(200)通过连接
...【技术特征摘要】
1.黏晶工艺封装装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述真空孔(130)直径范围为0.5mm~3mm。
3.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述下沉型腔(140)的长宽是单个承载产品pad尺寸的40%~60%。
4.根据权利要求1所述的黏晶工艺封装装置,其特征在于,所述底板(100)底部设置进气口(150),所述进气口(150)包括三个进气孔a,b,c,a,b,c通过槽贯通。
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:张生,
申请(专利权)人:日月新半导体昆山有限公司,
类型:新型
国别省市:
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