半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路技术

本申请公开了一种半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路，涉及电路控制领域，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，半导体层包括P型掺杂的P区和N型掺杂的N区，金属层包括正电极和负电极，正电极通过第一窗口连接于P区，负电极通过第二窗口连接于N区，金属层的负电极包括第一负电极、第二负电极和螺旋金属层，第一负电极连接于N区，第一负电极通过螺旋金属层连接于第二负电极，第二负电极设置在半导体层在绝缘衬底上的正投影内；其中，螺旋金属层呈螺旋状，螺旋金属层在绝缘衬底上的投影，与半导体层在绝缘衬底上的正投影对应；本申请通过以上设计，能够稳定电流，延长电路整体使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路控制领域，尤其涉及一种半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路。

技术介绍

1、随着近年来电子技术的发展进步，电子电路被广泛地应用于各个领域，因而，人们希望各个电子电路能稳定可靠的工作。在电子电路中，稳定的电流是至关重要的，电流瞬间增大会造成电子元件受到冲击，引起发热，降低电路的整体使用寿命。目前人们通常使用恒流电源，通过反馈调节机制实现电流的稳定输出。

2、然而恒流电源虽然可以输出稳定的电流，但同时也存在缺点：第一是常需要手动调节电路参数，操作繁琐；第二是本身电路复杂。因此，如何提供一种微电子器件，将其接在电路中，可以起到使电流单向流动，且在电流增大的瞬间，能够通过自身而减小突然增大的电流，实现电路中稳定的单向电流，这是一个亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种能够稳定电流，延长电路整体使用寿命的半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路。

2、本申请公开一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括p型掺杂的p区和n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括P型掺杂的P区和N型掺杂的N区，所述N区设置在所述绝缘衬底上，所述P区设置在所述N区远离绝缘衬底的一侧，所述绝缘层设置在所述P区远离所述绝缘衬底的一侧，所述金属层设置在所述绝缘层远离所述P区的一侧，所述绝缘层上设有第一窗口和第二窗口，所述金属层包括正电极和负电极，所述正电极通过所述第一窗口与所述P区连接，所述负电极通过所述第二窗口与所述N区连接，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层设置在所述绝缘层远离所述P区的一侧，且所述介质层覆盖所述金属...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括p型掺杂的p区和n型掺杂的n区，所述n区设置在所述绝缘衬底上，所述p区设置在所述n区远离绝缘衬底的一侧，所述绝缘层设置在所述p区远离所述绝缘衬底的一侧，所述金属层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，所述绝缘层上设有第一窗口和第二窗口，所述金属层包括正电极和负电极，所述正电极通过所述第一窗口与所述p区连接，所述负电极通过所述第二窗口与所述n区连接，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，且所述介质层覆盖所述金属层，所述介质层上设有第一引线窗口和第二引线窗口，所述第一引线窗口与所述正电极对应设置，所述第二引线窗口与所述第一负电极对应设置。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述螺旋金属层包括子螺旋金属，所述子螺旋金属的数量为7圈-10圈。

4.如权利要求3所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝康，王国峰，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：