【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路控制领域，尤其涉及一种半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路。
技术介绍
1、随着近年来电子技术的发展进步，电子电路被广泛地应用于各个领域，因而，人们希望各个电子电路能稳定可靠的工作。在电子电路中，稳定的电流是至关重要的，电流瞬间增大会造成电子元件受到冲击，引起发热，降低电路的整体使用寿命。目前人们通常使用恒流电源，通过反馈调节机制实现电流的稳定输出。
2、然而恒流电源虽然可以输出稳定的电流，但同时也存在缺点：第一是常需要手动调节电路参数，操作繁琐；第二是本身电路复杂。因此，如何提供一种微电子器件，将其接在电路中，可以起到使电流单向流动，且在电流增大的瞬间，能够通过自身而减小突然增大的电流，实现电路中稳定的单向电流，这是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种能够稳定电流，延长电路整体使用寿命的半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路。
2、本申请公开一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括p型掺杂的p区和n型掺杂的n区，所述n区设置在所述绝缘衬底上，所述p区设置在所述n区远离绝缘衬底的一侧，所述绝缘层设置在所述p区远离所述绝缘衬底的一侧，所述金属层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，所述绝缘层上设有第一窗口和第二窗口，所述金属层包括正电极和负电极，所述正电极通过所述第一窗口与所述p区连接，所述负电极通过所述第二窗口与所述n区连接，所述金属层的负电极包括第一负电极、第二负电极和螺旋
3、可选的，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，且所述介质层覆盖所述金属层，所述介质层上设有第一引线窗口和第二引线窗口，所述第一引线窗口与所述正电极对应设置，所述第二引线窗口与所述第一负电极对应设置。
4、可选的，所述螺旋金属层包括子螺旋金属，所述子螺旋金属的数量为7圈-10圈。
5、可选的，所述子螺旋金属的宽度为10μm-100μm，厚度为4μm-8μm，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距为10μm-20μm。
6、可选的，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距均相等。
7、可选的，沿所述第二负电极指向所述第一负电极的方向，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距逐渐递增。
8、可选的，所述第二负电极在所述绝缘衬底上的正投影，与所述螺旋金属层的圆心在所述绝缘衬底上的正投影重叠。
9、可选的，所述第二负电极在所述绝缘衬底上的正投影，与所述螺旋金属层的圆心在所述绝缘衬底上的正投影错开设置；
10、其中，靠近所述第一负电极一侧的螺旋金属层中，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距，小于远离所述第一负电极一侧的螺旋金属层中，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距。
11、本申请还公开了一种半导体器件的制备方法，包括步骤：
12、在绝缘衬底上淀积形成n型掺杂的n区；
13、在所述n区上进行p型掺杂，形成p区；
14、在所述p区上淀积形成绝缘层，所述绝缘层覆盖于所述p区及所述n区远离所述绝缘衬底的一侧；
15、在所述绝缘层上形成第一窗口和第二窗口；
16、在所述绝缘层上淀积形成金属层；
17、在所述金属层上形成正电极、负电极以及螺旋金属层；
18、在所述金属层上淀积形成介质层；
19、在所述介质层上形成第一引线窗口和第二引线窗口；
20、其中，所述正电极通过所述第一窗口连接于所述p区，所述负电极通过所述第二窗口连接于所述n区，所述金属层的负电极包括第一负电极、第二负电极和螺旋金属层，所述第一负电极连接于所述n区，所述第一负电极通过所述螺旋金属层连接于所述第二负电极，所述第二负电极设置在所述半导体层在所述绝缘衬底上的正投影内；其中，所述螺旋金属层呈螺旋状，所述螺旋金属层在所述绝缘衬底上的投影，与所述半导体层在所述绝缘衬底上的正投影对应，所述第一引线窗口与所述正电极对应设置，所述第二引线窗口与所述第一负电极对应设置。
21、本申请还公开了一种电子电路，包括如上所述的半导体器件。
22、相对于现有技术通过恒流电源来输出稳定的电流的方案来说，本申请的金属层的负电极包括第一负电极、第二负电极和螺旋金属层，第一负电极连接于n区，第一负电极通过螺旋金属层连接于第二负电极，第二负电极设置在半导体层在绝缘衬底上的正投影内；其中，螺旋金属层呈螺旋状，螺旋金属层在绝缘衬底上的投影，与半导体层在绝缘衬底上的正投影对应，这样当电流从正电极流经半导体层至负电极，其中，在负电极中，当电流从负电极的第一负电极流经螺旋金属层至第二负电极时，会在垂直于绝缘衬底的方向上形成电磁场，使得从p区流向n区的电流在电磁场的作用下，即电流在运动过程中受到洛伦兹力，部分电流产生偏移，造成载流子运动受阻，使得流通器件的电流减小，进而使得电流输出达到稳定。
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1.一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括P型掺杂的P区和N型掺杂的N区，所述N区设置在所述绝缘衬底上，所述P区设置在所述N区远离绝缘衬底的一侧，所述绝缘层设置在所述P区远离所述绝缘衬底的一侧，所述金属层设置在所述绝缘层远离所述P区的一侧，所述绝缘层上设有第一窗口和第二窗口，所述金属层包括正电极和负电极，所述正电极通过所述第一窗口与所述P区连接，所述负电极通过所述第二窗口与所述N区连接，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层设置在所述绝缘层远离所述P区的一侧，且所述介质层覆盖所述金属层，所述介质层上设有第一引线窗口和第二引线窗口，所述第一引线窗口与所述正电极对应设置，所述第二引线窗口与所述第一负电极对应设置。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述螺旋金属层包括子螺旋金属，所述子螺旋金属的数量为7圈-10圈。
4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述子螺旋金属的宽度为10μm-100μm，厚度为4μm-8μm，相邻的两个所述子螺旋
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距均相等。
6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，沿所述第二负电极指向所述第一负电极的方向，相邻的两个所述子螺旋金属之间的间距逐渐递增或递减。
7.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二负电极在所述绝缘衬底上的正投影，与所述螺旋金属层的圆心在所述绝缘衬底上的正投影重叠。
8.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二负电极在所述绝缘衬底上的正投影，与所述螺旋金属层的圆心在所述绝缘衬底上的正投影错开设置；
9.一种半导体器件的制备方法，用于如权利要求1-8任意一项所述的半导体器件，其特征在于，包括步骤：
10.一种电子电路，包括如权利要求1-8任意一项所述的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，所述半导体层包括p型掺杂的p区和n型掺杂的n区，所述n区设置在所述绝缘衬底上，所述p区设置在所述n区远离绝缘衬底的一侧，所述绝缘层设置在所述p区远离所述绝缘衬底的一侧，所述金属层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，所述绝缘层上设有第一窗口和第二窗口，所述金属层包括正电极和负电极，所述正电极通过所述第一窗口与所述p区连接，所述负电极通过所述第二窗口与所述n区连接，其特征在于，
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层设置在所述绝缘层远离所述p区的一侧，且所述介质层覆盖所述金属层，所述介质层上设有第一引线窗口和第二引线窗口，所述第一引线窗口与所述正电极对应设置，所述第二引线窗口与所述第一负电极对应设置。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述螺旋金属层包括子螺旋金属，所述子螺旋金属的数量为7圈-10圈。
4.如权利要求3所述的半导体器...
【专利技术属性】
技术研发人员：张汝康，王国峰，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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