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本申请公开了一种半导体器件、半导体器件的制备方法以及电子电路，涉及电路控制领域，包括绝缘衬底、半导体层、金属层和绝缘层，半导体层包括P型掺杂的P区和N型掺杂的N区，金属层包括正电极和负电极，正电极通过第一窗口连接于P区，负电极通过第二窗口连...
该专利属于北海惠科半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北海惠科半导体科技有限公司授权不得商用。

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