一种晶圆测试方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种晶圆测试方法及装置，涉及半导体制造工艺技术领域，能够快速筛选出不符合新规范要求的晶粒，从而提高cp测试的效率。该方法包括：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果包括晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。n为整数。n为整数。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆测试方法及装置


[0001]本申请涉及半导体制造工艺
，尤其涉及一种晶圆测试方法及装置。

技术介绍

[0002]晶圆针测(chip probing，cp)是指根据预设的参数规范，利用测试机台、针测机与探针卡之间的搭配组合对晶圆上每一个晶粒进行电性测试。目的是通过电性测试来判断每个晶粒的参数规范(例如，电压、电流和时序等)是否符合生产前预先设置的规范要求，以此筛选出不合格的晶粒，并通过打点工艺将其打掉。并在打点完成后，会在晶圆背后粘一层蓝膜以进行划片操作，使得晶圆上的每个晶粒分离。因此，通过cp测试可以减少划片操作的工艺成本。
[0003]然而，在对晶圆背面粘了蓝膜后，经常会遇到需要对预先设置的规范要求进行更改的情况。例如，更新后的规范要求晶粒的工作电压更低，然而更新规范要求后，之前通过打点工艺保留的晶粒不一定均满足新的规范要求，此时就需要根据新的规范要求重新进行cp测试，但是蓝膜不具有导电性，因此粘了蓝膜的晶圆(也可以称为蓝膜片)无法直接进行cp测试，从而无法筛选出不符合新规范要求的晶粒。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种晶圆测试方法及装置，能够快速筛选出不符合新规范要求的晶粒，从而提高cp测试的效率。
[0005]为了实现上述目的，第一方面，本申请提供一种激光测距传感器的校正方法，该方法包括：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果包括晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。
[0006]在一种可能的实现方式中，第一测试结果包括第一图像，所述第一图像用于指示每个第一晶粒在晶圆上的位置，第二测试结果包括第二图像，第二图像用于指示每个第二晶粒在晶圆上的位置。第二图像的管芯坐标与第一图像的管芯坐标相同。
[0007]在一种可能的实现方式中，根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，包括：根据第一图像的管芯坐标，新建第二图像；对第一图像中的每个第一坐标位置的标志进行检测；若第一坐标位置的标志为预设的第一标志，根据第二参数规范对处于第一坐标位置的晶粒的产品参数进行检测；若检测到晶粒的产品参数不符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为预设的第二标志；若检测到晶粒的产品参数符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志；若第一坐标位置的标志为第二标志，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志。
[0008]在一种可能的实现方式中，当n大于0，且晶圆上粘有蓝膜时，该方法还包括：根据
第二图像对晶圆进行补打点操作。
[0009]在一种可能的实现方式中，根据第二图像对晶圆进行补打点操作，包括:根据第二图像中各个第二坐标位置的标志，对第一图像中与各个第二坐标位置对应的第一坐标位置的标志进行更新，得得到第三图像，第三图像的格式与第二图像的格式不同；根据第三图像对晶圆进行补打点操作。
[0010]在一种可能的实现方式中，补打点操作包括：在晶圆底部设置圆片，圆片用于支撑蓝晶圆；在晶圆上，对处于第三图像中标志为第二标志的各个第一坐标位置的第二晶粒进行打点操作。
[0011]在一种可能的实现方式中，该方法还包括：统计并输出第二晶粒的数量。
[0012]第二方面，本申请提供一种晶圆测试装置，该装置包括：获取模块，用于获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果用于指示晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的位置信息，m≥1，m为整数；检测模块，用于根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果用于指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒的位置信息，0≤n≤m，n为整数。
[0013]第三方面，本申请提供一种终端设备，包括：存储器、处理器以及存储在存储器中并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。
[0014]第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。
[0015]第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。
[0016]本申请所提供的晶圆测试方法，由于根据晶圆的第一测试结果和第二参数规范可以直接对第一测试结果中符合第一参数规范的每个第一晶粒的产品参数进行二次检测，从而无需重复进行cp测试，因此能够快速筛选出不符合第二参数规范的第一晶粒，从而大大提高了cp测试的效率，也减少了芯片的生产时间。同时，也避免了在对晶圆背面贴了蓝膜的情况下，由于无法直接进行cp测试而无法筛选出不符合第二参数规范的晶粒的问题。
附图说明
[0017]图1为本申请实施例提供的一种产品为晶圆状态的示意图；
[0018]图2为本申请实施例提供的一种产品为蓝膜片状态的示意图；
[0019]图3为本申请实施例提供的一种晶圆测试方法的流程示意图；
[0020]图4为本申请实施例提供的一种晶圆的第一测试结果的数据图；
[0021]图5为本申请实施例提供的一种第二图像的示意图；
[0022]图6为本申请实施例提供的一种第三图像的示意图；
[0023]图7为本申请实施例提供的一种晶圆测试方法的另一流程示意图；
[0024]图8为本申请实施例提供的一种晶圆测试装置的结构示意图；
[0025]图9为本申请实施例提供的一种终端设备的结构示意图。
具体实施方式
[0026]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0027]应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。且在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]首先对晶圆针测(chip probing，cp)的过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试方法，其特征在于，所述方法包括：获取晶圆的第一测试结果，所述第一测试结果包括所述晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；根据第二参数规范对每个所述第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，所述第二测试结果指示m个所述第一晶粒中不符合所述第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一测试结果包括第一图像，所述第一图像用于指示每个所述第一晶粒在所述晶圆上的位置，所述第二测试结果包括第二图像，所述第二图像用于指示每个所述第二晶粒在所述晶圆上的位置；所述第二图像的管芯坐标与所述第一图像的管芯坐标相同。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据第二参数规范对每个所述第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，包括：根据所述第一图像的管芯坐标，新建所述第二图像；对所述第一图像中的每个第一坐标位置的标志进行检测；若所述第一坐标位置的标志为预设的第一标志，根据所述第二参数规范对处于所述第一坐标位置的所述晶粒的产品参数进行检测；若检测到所述晶粒的产品参数不符合所述第二参数规范，则将所述第二图像中与所述第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为预设的第二标志；若检测到所述晶粒的产品参数符合所述第二参数规范，则将所述第二图像中与所述第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为所述第一标志；若所述第一坐标位置的标志为所述第二标志，则将所述第二图像中与所述第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为所述第一标志。4.根据权利要求2
‑
3任一项所述的方法，其特征在于，当n大于0，且所述晶圆上粘有蓝膜时，所述方法还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王可增，鲁艳春，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：