【技术实现步骤摘要】
本申请是有关于半导体领域，详细来说，是有关于一种集成电路制造方法以及集成电路装置。
技术介绍
1、在现有技术中，当要在半导体晶圆上形成导电凸块(bumping)时，会通过电镀方式形成凸块。然而受到均匀性以及不易掌控电镀金属厚度的影响，以电镀的方式无法顺利产生低高度（尤其是指少于2μm高度）的导电凸块，限缩产品的多样性。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提出一种集成电路制造方法以及集成电路装置来解决上述问题。
2、依据本申请的一实施例，提出一种集成电路制造方法。所述集成电路制造方法包括：通过溅射或溅镀方式在半导体晶圆上设置导电层，其中所述半导体晶圆包括连接垫，所述导电层电性连接至所述连接垫；在所述导电层上涂布光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，经图案化处理的所述光阻层位于所述连接垫上方；对所述导电层进行图案化处理以形成包覆于所述光阻层之中的导电凸块；以及将经图案化处理的所述光阻层去除。
3、依据本申请的一实施例，对所述光阻层进行图案化处理包括：对所述光阻层进行光刻工艺以保留位于所述连接垫上方的所述光阻层。
4、依据本申请的一实施例，对所述光阻层进行图案化处理还包括：对位于所述连接垫上方的所述光阻层进行加热以固化所述光阻层。
5、依据本申请的一实施例，对所述导电层进行图案化处理以形成位于所述连接垫上方的所述导电凸块包括：对所述导电层进行刻蚀工艺以保留位于所述连接垫上方且包覆于所述光阻层之中的所述导电层。
6、依据本申请的一实
7、依据本申请的一实施例，所述光阻层包括正性光刻胶。
8、依据本申请的一实施例，所述导电层的厚度在2nm-2μm的范围内。
9、依据本申请的一实施例，所述集成电路制造方法还包括：以所述导电凸块连接所述半导体晶圆和另一半导体晶圆。
10、依据本申请的一实施例，所述半导体晶圆还包括衬底以及阻挡层。所述连接垫设置在所述衬底之上并与连接所述衬底中的电路连接。所述阻挡层形成于所述连接垫之上。所述集成电路制造方法还包括：将所述阻挡层进行图案化处理，经图案化处理的所述阻挡层位于所述连接垫上方。
11、依据本申请的一实施例，提出一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：晶圆、介电层、连接垫、阻挡层以及导电凸块。所述介电层设置于所述晶圆之上。所述连接垫设置于所述晶圆之上。所述阻挡层设置于所述连接垫之上。所述导电凸块与所述连接垫电性连接。所述导电凸块的高度在2nm-2μm的范围内。
12、先前技术使用电镀方式实现的导电凸块，由于电镀是在光刻胶的凹槽中沉积与连接垫连接的金属以作为导电凸块，沉积过程中无法精准掌握所形成的金属厚度，且电镀形成的金属的均匀性较差。因此，先前技术较难以电镀方式形成低高度（尤其指低于2）的导电凸块。相反地，本申请提出的半导体制造方法以溅射或溅镀方式在阻挡层上直接形成所需高度的金属导电层，后续通过图案化作业将多余的金属导电层去除。如此一来，可以实现高度在2nm-2μm的范围内的低高度导电凸块。另外，可以通过低高度导电凸块将半导体晶圆和其他半导体晶圆进行连接，减少晶圆和晶圆之间的间隔，减少产品体积，并提升产品结构的多样性。
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1.一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述光阻层进行图案化处理包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述光阻层进行图案化处理还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述导电层进行图案化处理以形成位于所述连接垫上方的所述导电凸块包括：
5.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，将经图案化处理的所述光阻层去除包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述光阻层包括正性光刻胶。
7.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述导电层的厚度在2nm-2μm的范围内。
8.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，所述半导体晶圆还包括衬底以及阻挡层，所述连接垫设置在所述衬底之上并与连接所述衬底中的电路连接，所述阻挡层形成于所述连接垫之上，所述集成电路制造方法还包括：p>
10.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述光阻层进行图案化处理包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述光阻层进行图案化处理还包括：
4.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，对所述导电层进行图案化处理以形成位于所述连接垫上方的所述导电凸块包括：
5.根据权利要求1所述的集成电路制造方法，其特征在于，将经图案化处理的所述光阻层去除包括：
6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：凌坚，
申请(专利权)人：日月新半导体昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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