【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，特别涉及一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法。
技术介绍
1、现阶段，单晶硅产品回熔料的酸洗和单晶半导体器件的刻蚀是半导体加工生产领域中非常重要的一个工艺流程。其中，在酸洗大块回熔料的过程中发现，清洗后产品会频繁出现手指印和白斑，这是由于单晶硅在加工和流转过程中，人免不了会触碰到单晶硅产品，从而在单晶硅上留下了手指印。手指上的化学成分是非常复杂的，其可能会包含水、化妆品及护肤用品、无机盐类（如nacl等）、脂肪类油脂（非矿物质）、裸手或脏手套所触及过的各类污物，如果无法有效清除，会造成后续的腐蚀不均匀，而且越到后续工段越明显，严重影响到单晶硅产品的质量。
2、在去除单晶硅产品上的手指印时，通常采用的方案是打磨后返洗或简单碱洗。然而，打磨后返洗的方式大大增加了产线的生产压力，而且酸耗严重，清洗成本大大增加；而对于简单碱洗的方式来说，由于人体手中的油脂会随着汗渍在单晶硅产品渗透一定的深度，采用简单的碱洗只能清洗掉表面的一层油脂，无法对渗透到硅材料里面的油脂进行清洗，手指印去除效果较差。
技术实现思路
1、有鉴于此，针对以上不足，有必要提出一种成本较低的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，以提高手指印的去除率。
2、本专利技术实施例提供了一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，该方法包括以下步骤：
3、步骤1：对待进行手指印去除的单晶硅产品进行碱洗处理；
4、步骤2：将碱洗后的单晶硅产品放入酒精中进行加热处理，以利用酒
5、步骤3：将加热处理完成后的单晶硅产品在氮气氛围下烘干，并循环执行步骤2-3若干次，直至达到对单晶硅产品上的手指印的去除要求。
6、优选的，所述步骤1中的碱洗处理工艺为：将所述待进行手指印去除的单晶硅产品放入预先配置的碱溶液中加热至预设温度，并在该预设温度下浸泡预设时长。
7、优选的，所述预设温度为65±5℃，所述预设时长为20±2min。
8、优选的，所述碱溶液由浓度为48%的氢氧化钠溶液、清洗剂和去离子水按照5l：1.5kg：150l的配比配置而成。
9、优选的，在碱洗处理结束后，利用工业百洁布对碱洗处理后的单晶硅产品进行打磨，并在打磨后利用去离子水进行漂洗。
10、优选的，所述步骤2具体包括：工业酒精加热至70±5℃后，将碱洗后的单晶硅产品放入工业酒精中煮沸10±0.5min。
11、优选的，步骤3中，所述氮气氛围为90±5℃的热氮气氛围。
12、优选的，所述步骤3中循环执行所述步骤2-3时，循环过程中每次对所述单晶硅产品在工业酒精中进行煮沸的时间为30±2s。
13、优选的，所述步骤3中循环执行步骤2-3的次数为5次。
14、由上述技术方案可知，本专利技术实施例提供的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法中，先对单晶硅产品进行碱洗处理，以初步对单晶硅产品表面的油脂进行去除，然后将其放到酒精中进行加热，以利用酒精溶解有机物，并通过酒精挥发的方式将有机物带走，从而去除掉单晶硅产品上的手指印残留。进一步通过多次酒精加热处理的方式，以提高手指印的去除率，从而提高了单晶硅产品的质量。此外，本方案不需要手动打磨，减轻了产线的生产压力，同时也不需要耗费大量的酸溶液，从而能够大大降低清洗成本。
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1.一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述步骤1中的碱洗处理工艺为：将所述待进行手指印去除的单晶硅产品放入预先配置的碱溶液中加热至预设温度，并在该预设温度下浸泡预设时长。
3.根据权利要求2所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述预设温度为65±5℃，所述预设时长为20min。
4.根据权利要求3所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述碱溶液由浓度为48%的氢氧化钠溶液、清洗剂和去离子水按照5L：1.5kg：150L的配比配置而成。
5.根据权利要求1至4中任一所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，在碱洗处理结束后，利用工业百洁布对碱洗处理后的单晶硅产品进行打磨，并在打磨后利用去离子水进行漂洗。
6.根据权利要求1所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：工业酒精加热至70±5℃后，将碱洗后的单晶硅产品放入工业酒精中煮沸10±0.5min。
7.根据权利要求1所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，步骤3中，所述氮气氛围为90±5℃的热氮气氛围。
8.根据权利要求6所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中循环执行所述步骤2-3时，循环过程中每次对所述单晶硅产品在工业酒精中进行煮沸的时间为30±2s。
9.根据权利要求8所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述步骤3中循环执行步骤2-3的次数为5次。
...【技术特征摘要】
1.一种去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述步骤1中的碱洗处理工艺为：将所述待进行手指印去除的单晶硅产品放入预先配置的碱溶液中加热至预设温度，并在该预设温度下浸泡预设时长。
3.根据权利要求2所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述预设温度为65±5℃，所述预设时长为20min。
4.根据权利要求3所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，所述碱溶液由浓度为48%的氢氧化钠溶液、清洗剂和去离子水按照5l：1.5kg：150l的配比配置而成。
5.根据权利要求1至4中任一所述的去除单晶硅产品上手指印的工艺方法，其特征在于，在碱洗处理结束后，...
【专利技术属性】
技术研发人员：童宇涛，郭一辰，
申请(专利权)人：宁夏申和新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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