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【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶棒拉制方法的,具体涉及一种提升单晶硅尾部质量的方法。
技术介绍
1、制备硅单晶的方法有很多,如直拉法、区熔法、焰熔法、水热法等,其中直拉法和区熔法最为常见;区熔法生产硅单晶不使用坩埚,将硅棒局部用线圈进行加热熔化,在熔区处设置磁托,熔区处始终处于悬浮状态,将熔硅利用旋转籽晶进行拉制,在熔区下方制备单晶硅。该方法优势在于熔区为悬浮态,因而在生长过程中不会同任何物质接触,并且蒸发效应以及杂质分凝较为显著,因而具有较高的纯度,其单晶硅制品性能相对较高,但由于工艺复杂,对设备以及技术要求较高,成本也相对较高;直拉法又称为柴可拉斯基法,简称cz法,其过程相对简单,是把硅熔融在石英坩埚中,利用旋转籽晶对单晶逐渐提拉制备而成,该方法生产成本相对较低,且能大规模生产,可提升产能,产出高质量、大尺寸的半导体级或太阳能级单晶硅片,在单晶制备过程中广泛应用。
2、但是在直拉法拉制单晶的过程中,由于晶棒等径后段靠近晶棒尾部处质量差,电池片的转换效率低,需要在等径最后部反延一个晶棒直径的长度才可使用,导致晶棒的等径后段损耗大,材料使用率低。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供一种提升单晶硅尾部质量的方法。
2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:
3、一种提升单晶硅尾部质量的方法,包括以下步骤:
4、s1:在晶棒尾部拉制结束后,将晶棒提断,以预定拉速将晶棒拉升至单晶炉隔离阀以上,同时迅速降温,以达到预定的冷却温度梯度;
< ...【技术保护点】
1.一种提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述S1步骤中,所述预定拉速为6mm/min~12mm/min。
3.如权利要求1所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述S1步骤中,以达到预定的冷却温度梯度具体为:将坩埚下降,单晶炉功率、坩埚转速降低至零。
4.如权利要求3所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述坩埚下降至最下限。
5.如权利要求3所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述单晶炉功率在7min~13min内降低至零。
6.如权利要求3所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述坩埚转速在7min~13min内降低至零。
7.如权利要求1所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述S2步骤中,所述冷却预定时间为3h~6h。
【技术特征摘要】
1.一种提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述s1步骤中,所述预定拉速为6mm/min~12mm/min。
3.如权利要求1所述的提升单晶硅尾部质量的方法,其特征在于:所述s1步骤中,以达到预定的冷却温度梯度具体为:将坩埚下降,单晶炉功率、坩埚转速降低至零。
4.如权利要求3所述的提升单晶硅尾...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭一辰,林通,闫霖,锁涛,闫小龙,
申请(专利权)人:宁夏申和新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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