【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳化硅生长，尤其涉及一种碳化硅晶体生长装置以及生长工艺。
技术介绍
1、碳化硅(sic)晶体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能、高化学稳定性、抗辐射以及与gan相近的晶格常数和热膨胀系数等突出的特性与优势，是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料，广泛应用在航空航天、电子电力、光电器件等领域。
2、目前，碳化硅的晶体生长方法多为气相输运法。该方法在高温下，将碳化硅粉升华气相的si、si2 c和sic等分子片段。这些分子片段输运到籽晶表面，重新结合成碳化硅单晶。
3、晶体生长过程中，碳化硅炉内的气体压力稳定，影响了碳化硅晶体的生长速度和质量。同时，由于坩埚(200)内的温度的稳定分布也影响碳化硅晶体生长界面，温度不均造成碳化硅晶体均匀性差，位错高。因此，就必须研制出一种碳化硅晶体生长装置以及生长工艺，经检索，未发现与本专利技术相同的技术方案。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决的技术问题是提供一种碳化硅晶体生长装置以及生长工艺，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：一种碳化硅晶体生长装置，其创新点在于：包括
3、生长炉；
4、坩埚；所述坩埚的顶部开口，所述坩埚设置在生长炉内；
5、第一旋转组件；所述第一旋转组件设置在生长炉的底部，所述坩埚安装在第一旋转组件上且第一旋转组件可以驱动坩埚转动；
6、加
7、第二旋转组件；所述第二旋转组件设置在生长炉的顶部且位于坩埚开口的正上方，所述第二旋转组件的底部设有放置籽晶的晶托。
8、一种碳化硅晶体生长工艺，包括如下步骤：
9、1)将粉料或籽料填装进坩埚内；
10、2)对生长炉内抽真空；
11、3)对生长炉内同步通氢气、氮气和氩气；
12、4)启动加热组件，等坩埚内的粉料或者籽料开始升华时，同时启动第一旋转组件和第二旋转组件；
13、5)碳化硅晶体开始生长。
14、在一些实施方式中，步骤2)中，完成生长炉抽真空处理后，炉内的真空度为5.0×10-5mpa。
15、在一些实施方式中，步骤3)中，同步通氢气、氮气和氩气后，炉内的压力值为200-600torr。
16、在一些实施方式中，步骤4)中加热组件的输出功率为0.4kw-16kw。
17、在一些实施方式中，步骤4)中，第一旋转组件和第二旋转组件的旋转方向相反且转速相同。
18、在一些实施方式中，步骤4)中，第一旋转组件的最大转速为r，第一旋转组件的转速从0至r的时间为t，第二旋转组件的最大转速为r’，第二旋转组件的转速从0至r’的时间为t’，t、t’小于1min。
19、在一些实施方式中，步骤4)中，第一旋转组件的转速从r至0的时间为t，第二旋转组件的转速从r’至0的时间为t’，t，t’为168h。
20、本专利技术的有益效果是：本技术方案生长速度快，温度稳定，压力稳定，生长的碳化硅晶体缺陷少且碳化硅晶体电阻率低且整片电阻率差值小，因此生长出的碳化硅晶体质量好，良品率高。
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1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于：包括
2.一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤2)中，完成生长炉(100)抽真空处理后，炉内的真空度为5.0×10-5Mpa。
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤3)中，同步通氢气、氮气和氩气后，炉内的压力值为200-600torr。
5.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤4)中加热组件(400)的输出功率为0.4kw-16kw。
6.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤4)中，第一旋转组件(300)和第二旋转组件(500)的旋转方向相反且转速相同。
7.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤4)中，第一旋转组件(300)的最大转速为R，第一旋转组件(300)的转速从0至R的时间为t，第二旋转组件(500)的最大转速为R’，第二旋转组件(500)的转速从0至R’的时间为t’，t、t’小于1m
8.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤4)中，第一旋转组件(300)的转速从R至0的时间为T，第二旋转组件(500)的转速从R’至0的时间为T’，T，T’为168h。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于：包括
2.一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：包括如下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤2)中，完成生长炉(100)抽真空处理后，炉内的真空度为5.0×10-5mpa。
4.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤3)中，同步通氢气、氮气和氩气后，炉内的压力值为200-600torr。
5.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长工艺，其特征在于：步骤4)中加热组件(400)的输出功率为0.4kw-16kw。
6.根据权利要求2所述的一种碳化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新峰，吴志亮，杜陈，高欣，
申请(专利权)人：江苏卓远半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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