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本发明公开一种碳化硅晶体生长装置，包括生长炉；坩埚；坩埚的顶部开口，坩埚设置在生长炉内；第一旋转组件；第一旋转组件设置在生长炉的底部，坩埚安装在第一旋转组件上且第一旋转组件可以驱动坩埚转动；加热组件；加热组件套在坩埚的外围四周且加热组件的内...
该专利属于江苏卓远半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓远半导体有限公司授权不得商用。

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