【技术实现步骤摘要】
本技术涉及长晶技术，具体涉及一种套件组合式晶体基片承载台。
技术介绍
1、现有的晶体基片承载台多半为单层或下沉式设计，单层设计的钼盘无法很好地控制等离子球吸附至表面，从而导致长晶过程中可能出现球形不稳定，甚至沉积区脱离钼盘的现象；下沉式设计的钼盘无法很好处理长晶过程中会出现的积碳污染，从而会影响长晶品质。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本技术提出了一种套件组合式晶体基片承载台。
2、本技术的技术方案：
3、一种套件组合式晶体基片承载台，所述承载台包括台座；所述承载台还包括钼环、钼片，所述台座上设置有环状槽，所述钼环与台座上的环状槽相匹，其嵌在台座上的环状槽内，与台座之间形成一凹槽，所述钼片与钼环相匹，其设置在钼环内、支撑在台座上。
4、所述钼环一周圈均匀分布设置有若干开孔。
5、本技术的优点是，设计合理，结构简单，解决单层式钼盘无法很好吸附等离子球的问题，解决下沉式架构无法很好处理积碳的问题，使mpcvd长晶过程中，微波等离子球很好地吸附...
【技术保护点】
1.一种套件组合式晶体基片承载台，所述承载台包括台座；其特征在于，所述承载台还包括钼环、钼片，所述台座上设置有环状槽，所述钼环与台座上的环状槽相匹，其嵌在台座上的环状槽内，与台座之间形成一凹槽，所述钼片与钼环相匹，其设置在钼环内、支撑在台座上。
2.根据权利要求1所述的一种套件组合式晶体基片承载台，其特征在于，所述钼环一周圈均匀分布设置有若干开孔。
【技术特征摘要】
1.一种套件组合式晶体基片承载台，所述承载台包括台座；其特征在于，所述承载台还包括钼环、钼片，所述台座上设置有环状槽，所述钼环与台座上的环状槽相匹，其嵌在台座上的环状槽内，与台座之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：张新峰，德米特罗维奇·德米特里，缪勇，龙安泽，高欣，徐军辉，
申请(专利权)人：江苏卓远半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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