单晶炉安全保护装置制造方法及图纸

本技术属于单晶炉技术领域。鉴于现有的拉晶过程中可能发生漏水爆炸事故的问题，本技术公开了一种单晶炉保护装置，包括水冷屏，设置在单晶炉中；其中，所述水冷屏设置在所述单晶炉的石英锅的上方；所述水冷屏的底部设有保护板；所述保护板设有和所述水冷屏的孔洞对应的孔洞。从而既能保证硅液液面温度，从而有利于提升拉晶速度，且当意外发生浸硅时，硅液先接触到保护板，从而能有效隔离硅液和水冷屏直接接触，从而减少侵硅发生爆炸的重大风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于单晶炉，具体涉及一种单晶炉安全保护装置。

技术介绍

1、单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。

2、拉晶过程是一个液态转化为固态的过程，需要释放大量的热，热量散发过慢会影响晶体的结晶速度，所以必须及时将热量散发掉，形成一个对结晶有利的温度空间。目前的单晶生长炉一般采用直筒型水冷套冷却方式。

3、但在拉晶过程中，当发生单晶液位突变、下传动、导流筒等运动异常造成硅液液位过高，高温硅液和水冷屏接触，造成漏水，导致单晶炉发生爆炸事故。

技术实现思路

1、鉴于上述现有的单晶炉在拉晶过程中可能发生漏水爆炸事故的问题，本技术的目的之一在于提供一种单晶炉安全保护装置，来阻止高温硅液和水冷屏接触，以避免漏水爆炸事故的发生。

2、为实现上述目的，本技术采用下列技术方案：

3、一种单晶炉保护装置，包括水冷屏，设置在单晶炉炉体上；其中，所述水冷屏设置在所述单晶炉的石英锅的上方；所述水冷屏的底部设有保护本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶炉保护装置，包括水冷屏，设置在单晶炉中，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的单晶炉保护装置，其特征在于，还包括CCD监测系统；所述CCD监测系统具有设置在所述单晶炉的炉盖上的CCD镜头，用于监测所述石英锅的硅液液面位置、硅芯的直径和硅液液面温度；

3.根据权利要求2所述的单晶炉保护装置，其特征在于，所述CCD镜头具有多个；相应地，所述炉盖上设有和多个所述CCD镜头一一对应的多个观察窗。

4.根据权利要求3所述的单晶炉保护装置，其特征在于，多个所述CCD镜头呈圆心对称布置在所述炉盖上。

5.根据权利要求1所述单晶炉保护装置，其特...

【技术特征摘要】

1.一种单晶炉保护装置，包括水冷屏，设置在单晶炉中，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的单晶炉保护装置，其特征在于，还包括ccd监测系统；所述ccd监测系统具有设置在所述单晶炉的炉盖上的ccd镜头，用于监测所述石英锅的硅液液面位置、硅芯的直径和硅液液面温度；

3.根据权利要求2所述的单晶炉保护装置，其特征在于，所述ccd镜头具有多个；相应地，所述炉盖上设有和多个所述ccd镜头一一对应的多个观察窗。

4.根据权利要求3所述的单晶炉保护装置，其特征在于，多个所述ccd镜头呈圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：何川，袁中华，刘杰，李霞，
申请(专利权)人：四川永祥硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：