一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，包括以下步骤:监测硅棒多个圈层表面温度，选择其中温度波动小、且相对位于硅棒外部圈层的表面温度作为自控源数据；根据硅棒生长恒温加热时段，选取硅棒表面温度自控源数据并预置恒定棒温；根据生产运行指标、氯硅烷‑三氯氢硅一次转化率、沉积速率、单耗，并结合现场喷嘴和尾气管的布局、外观致密料的比例分别创建电流和三氯氢硅自动控制；通过实时棒温和预置的恒定棒温反馈，实时调整相电流和三氯氢硅流量，并形成双回路闭环PID控制系统，完成自适配输出实时电流和三氯氢硅流量参数指令至多晶硅还原DCS控制系统，维持硅棒表面气相沉积温度到设定值(1080℃)，获得良好的炉内状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于多晶硅生产，尤其是涉及一种通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺。

技术介绍

1、利用主流工艺改良西门子法化学气相沉积生产多晶硅，其主反应是三氯氢硅和氢气的氢还原，三氯氢硅的一次转化率基本稳定在10％～12％，其生产运行过程中的热损耗不是随着运行时间持续恒定增加的，尤其到了中后期，硅棒热辐射随着硅棒表面积和炉壁反射因子而变化与气体对流的热损失随之增加，因此在保证硅芯内部特别是高温搭桥横梁处温度不超过单质硅熔点及炉内不发生雾化的前提下，如何获得稳定的转化率，高效的沉积速率,及高比例多晶硅表面致密料，需随时间调整主要的热能输出参数电流及原料三氯氢硅自适配。

技术实现思路

1、本专利技术目的是：提供一种通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，通过预置棒温和实时棒温的偏差作为电流和三氯氢硅输出反馈至双回路闭环pid控制系统，完成自适配输出实时电流和三氯氢硅流量参数指令至多晶硅还原dcs控制系统，从而维持硅棒表面气相沉积温度到设定值(1080℃)，以获得良好的炉内状态。p>

2、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤S1中多个圈层表面温度包括自内而外依次位于硅棒的最内圈层表面温度T1、中1圈层表面温度T2、中2圈层表面温度T3和最外圈层表面温度T4。

3.根据权利要求1所述的通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤S5中计算实时电流参数的具体方法如下：

4.根据权利要求1所述的通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤S5中计算实时三氯氢硅流量参...

【技术特征摘要】

1.一种通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤s1中多个圈层表面温度包括自内而外依次位于硅棒的最内圈层表面温度t1、中1圈层表面温度t2、中2圈层表面温度t3和最外圈层表面温度t4。

3.根据权利要求1所述的通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤s5中计算实时电流参数的具体方法如下：

4.根据权利要求1所述的通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中步骤s5中计算实时三氯氢硅流量参数的具体方法如下：

5.根据权利要求1所述的通过双pid自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，其特征在于，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：万滴，刘振春，王长青，
申请(专利权)人：苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司，
类型：发明
国别省市：