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本发明公开了一种通过双PID自动控制多晶硅生长温度的生产工艺，包括以下步骤:监测硅棒多个圈层表面温度，选择其中温度波动小、且相对位于硅棒外部圈层的表面温度作为自控源数据；根据硅棒生长恒温加热时段，选取硅棒表面温度自控源数据并预置恒定棒温；根...
该专利属于苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州鑫晶人工智能技术研发有限公司授权不得商用。

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