一种自驱动发光的纳米级LED制造技术

本技术涉及微型LED技术领域，具体涉及一种自驱动发光的纳米级LED，包括陶瓷基板、发光芯片、遮光板和与所述发光芯片电连接的电路板，所述电路板与所述陶瓷基板连接，所述遮光板设置于所述发光芯片远离所述陶瓷基板的一侧，所述遮光板包括遮光部和透光部，所述遮光部与所述发光芯片的边界相对应，所述透光部与所述发光芯片的中心相对应。发光芯片发出的光线，分为两部分，从发光芯片边界发出的光线被遮光部遮挡，从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，从而使得发光芯片发出的光线中只有从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，且采用了透光性较差的陶瓷基板，从而减少了亮边现象，提高了显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及微型led，具体涉及一种自驱动发光的纳米级led。

技术介绍

1、随着纳米结构发光二极管显示技术的出现，使得近眼显示设备的微型化成为可能。首先纳米结构发光二极管显示技术是将传统led微缩化后形成纳米级led阵列以达到超高密度像素分辨率，纳米结构发光二极管阵列中每个led像素点都能自发光，通过对每个led像素点发光强度的精确控制，进而实现图像显示。其次，纳米结构发光二极管除了能达到高亮度、超高分辨率与色彩饱和、发光效率高的特点外，更重要的是不会受水汽、氧气或高温的影响，因而纳米级led在稳定性、使用寿命、工作温度等方面具有明显的优势。同时纳米级led作为近眼显示设备的光源，能进一步简化光机结构，减轻光机的重量，使近眼显示设备同时具有舒适性和沉浸性的体验。

2、现有的纳米级led制造时，通常采用光刻胶在基板上形成掩模。然后将纳米级别的led像素点沉积在光刻胶掩模上，并去除光刻胶，使led像素点分布在基板上所需的区域再进行封装。其中采用的基板通常为透明的玻璃基板。而纳米级led发光时，由于玻璃基板的透光性较好，纳米级led发出的光线有部分会从靠近位于像素点分布区域边缘处的玻璃基板射出，从而导致亮边现象，使显示效果降低。

技术实现思路

1、基于上述现有技术存在的技术问题，本技术提供了一种自驱动发光的纳米级led，能够减少亮边现象，从而提高显示效果。

2、本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种自驱动发光的纳米级led，陶瓷基板、发光芯片、遮光板和与所述发光芯片电连接的电路板，所述电路板与所述陶瓷基板连接，所述遮光板设置于所述发光芯片远离所述陶瓷基板的一侧，所述遮光板包括遮光部和透光部，所述遮光部与所述发光芯片的边界相对应，所述透光部与所述发光芯片的中心相对应。

3、进一步的，所述遮光部朝向所述发光芯片倾斜。

4、进一步的，所述遮光部朝向所述发光芯片的一侧设有反射层。

5、进一步的，所述遮光部包括黑色油墨层，所述黑色油墨层相较于所述反射层远离所述透光部。

6、进一步的，所述透光部靠近所述发光芯片的一侧设有增光层。

7、进一步的，所述增光层为三棱镜结构。

8、进一步的，所述遮光部与所述透光部的比例为1：2。

9、本技术的有益效果是：提供一种自驱动发光的纳米级led陶瓷基板、发光芯片、遮光板和与所述发光芯片电连接的电路板，所述电路板与所述陶瓷基板连接，所述遮光板设置于所述发光芯片远离所述陶瓷基板的一侧，所述遮光板包括遮光部和透光部，所述遮光部与所述发光芯片的边界相对应，所述透光部与所述发光芯片的中心相对应。发光芯片发出的光线，分为两部分，从发光芯片边界发出的光线被遮光部遮挡，从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，从而使得发光芯片发出的光线中只有从发光芯片的中心发出的光线能够从透光部射出，且采用了透光性较差的陶瓷基板，从而减少了亮边现象，提高了显示效果。

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【技术保护点】

1.一种自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：包括陶瓷基板(10)、发光芯片(20)、遮光板(30)和与所述发光芯片(20)电连接的电路板(40)，所述电路板(40)与所述陶瓷基板(10)连接，所述遮光板(30)设置于所述发光芯片(20)远离所述陶瓷基板(10)的一侧，所述遮光板(30)包括遮光部(31)和透光部(32)，所述遮光部(31)与所述发光芯片(20)的边界相对应，所述透光部(32)与所述发光芯片(20)的中心相对应。

2.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述遮光部(31)朝向所述发光芯片(20)倾斜。

3.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述遮光部(31)朝向所述发光芯片(20)的一侧设有反射层(311)。

4.根据权利要求3所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述遮光部(31)包括黑色油墨层(312)，所述黑色油墨层(312)相较于所述反射层(311)远离所述透光部(32)。

5.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述透光部(32)靠近所述发光芯片(20)的一侧设有增光层(321)。

6.根据权利要求5所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述增光层(321)为三棱镜结构。

7.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级LED，其特征在于：所述遮光部(31)与所述透光部(32)的比例为1：2。

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【技术特征摘要】

1.一种自驱动发光的纳米级led，其特征在于：包括陶瓷基板(10)、发光芯片(20)、遮光板(30)和与所述发光芯片(20)电连接的电路板(40)，所述电路板(40)与所述陶瓷基板(10)连接，所述遮光板(30)设置于所述发光芯片(20)远离所述陶瓷基板(10)的一侧，所述遮光板(30)包括遮光部(31)和透光部(32)，所述遮光部(31)与所述发光芯片(20)的边界相对应，所述透光部(32)与所述发光芯片(20)的中心相对应。

2.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级led，其特征在于：所述遮光部(31)朝向所述发光芯片(20)倾斜。

3.根据权利要求1所述的自驱动发光的纳米级led，其特征在于：所述遮光部...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳俊跃，廖勇军，张诺寒，王书杰，李文庭，吴宪军，赵华，
申请(专利权)人：谷麦光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：