【技术实现步骤摘要】
本技术属于led，特别是涉及一种芯片与tft驱动基板直连led。
技术介绍
1、led(light emitting diode)作为一种优秀的半导体光电器件，以其体积小、耗电量低、使用寿命长、环保等优点，有望成为新一代理想的固态节能照明光源。日益发展的miniled和micro led等新型显示技术，随着mini led和micro led显示技术向更高像素密度产品升级，当mini led背光进入极致控光超高分区阶段，micro led进入十微米级甚至纳米级的区间时，利用tft(薄膜晶体管)驱动实现micro led显示的优势将愈专利技术显，然而如果将tft直接形成在基板上，tft与基板之间的附着力较小，结构不稳固，而且基板没有得到有效保护。因此，现有技术中仍存在缺点和不足之处。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种芯片与tft驱动基板直连led，解决将tft直接形成在基板上，tft与基板之间的附着力较小，结构不稳固，而且基板没有得到有效保护的问题。
2、为了解决上述问题本技术所采取的技术方案：
3、一种芯片与tft驱动基板直连led，包括基板、tft阵列、发光模块以及封装胶层，所述基板为玻璃基板，所述tft阵列为由多个薄膜晶体管形成的驱动阵列，所述基板一侧形成有覆盖该侧面的刻蚀阻挡层，所述tft阵列设置在刻蚀阻挡层上，所述tft阵列上方设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有金属焊盘，所述金属焊盘通过连接导线与所述tft阵列电连接，所述发光模块包括多组led
4、进一步的，所述led发光晶片包括红色led发光晶片、绿色led发光晶片和蓝色led发光晶片，红色led发光晶片、绿色led发光晶片和蓝色led发光晶片形成发光阵列。
5、进一步的，还包括导热层，所述导热层设置在所述金属焊盘的外围，所述导热层与所述金属焊盘接触。
6、进一步的，相邻的两组led发光晶片之间设置有隔离栅。
7、进一步的，所述tft阵列通过沉积、光刻、刻蚀工艺形成在所述刻蚀阻挡层上。
8、进一步的，所述刻蚀阻挡层通过物理溅射或化学沉积的方式形成在所述基板上。
9、进一步的，所述tft阵列包括有源层、源极和漏极。
10、进一步的，所述有源层和所述源极、所述漏极之间还设置有欧姆接触层。
11、采用上述技术方案，本技术的有益效果：
12、本技术的芯片与tft驱动基板直连led包括基板、tft阵列、发光模块以及封装胶层，基板为玻璃基板，tft阵列为由多个薄膜晶体管形成的驱动阵列，基板一侧形成有覆盖该侧面的刻蚀阻挡层，tft阵列设置在刻蚀阻挡层上，tft阵列上方设置有绝缘层，绝缘层上设置有金属焊盘，金属焊盘通过连接导线与所述tft阵列电连接，发光模块包括多组led发光晶片，tft阵列用于驱动led发光晶片发光，led发光晶片通过锡膏焊接在所述金属焊盘上，封装胶层封装在绝缘层上并覆盖所述led发光晶片，通过设置刻蚀阻挡层不仅起到打底的作用，从而有效保护基板，而且能增加基板与tft阵列之间的附着力，完善结构。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：包括基板、TFT阵列、发光模块以及封装胶层，所述基板为玻璃基板，所述TFT阵列为由多个薄膜晶体管形成的驱动阵列，所述基板一侧形成有覆盖该侧面的刻蚀阻挡层，所述TFT阵列设置在刻蚀阻挡层上，所述TFT阵列上方设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有金属焊盘，所述金属焊盘通过连接导线与所述TFT阵列电连接，所述发光模块包括多组LED发光晶片，所述TFT阵列用于驱动所述LED发光晶片发光，所述LED发光晶片通过锡膏焊接在所述金属焊盘上，所述封装胶层封装在所述绝缘层上并覆盖所述LED发光晶片。
2.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：所述LED发光晶片包括红色LED发光晶片、绿色LED发光晶片和蓝色LED发光晶片，红色LED发光晶片、绿色LED发光晶片和蓝色LED发光晶片形成发光阵列。
3.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：还包括导热层，所述导热层设置在所述金属焊盘的外围，所述导热层与所述金属焊盘接触。
4.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT
5.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：所述TFT阵列通过沉积、光刻、刻蚀工艺形成在所述刻蚀阻挡层上。
6.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：所述刻蚀阻挡层通过物理溅射或化学沉积的方式形成在所述基板上。
7.根据权利要求1所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：所述TFT阵列包括有源层、源极和漏极。
8.根据权利要求7所述的一种芯片与TFT驱动基板直连LED，其特征在于：所述有源层和所述源极、所述漏极之间还设置有欧姆接触层。
...【技术特征摘要】
1.一种芯片与tft驱动基板直连led，其特征在于：包括基板、tft阵列、发光模块以及封装胶层，所述基板为玻璃基板，所述tft阵列为由多个薄膜晶体管形成的驱动阵列，所述基板一侧形成有覆盖该侧面的刻蚀阻挡层，所述tft阵列设置在刻蚀阻挡层上，所述tft阵列上方设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有金属焊盘，所述金属焊盘通过连接导线与所述tft阵列电连接，所述发光模块包括多组led发光晶片，所述tft阵列用于驱动所述led发光晶片发光，所述led发光晶片通过锡膏焊接在所述金属焊盘上，所述封装胶层封装在所述绝缘层上并覆盖所述led发光晶片。
2.根据权利要求1所述的一种芯片与tft驱动基板直连led，其特征在于：所述led发光晶片包括红色led发光晶片、绿色led发光晶片和蓝色led发光晶片，红色led发光晶片、绿色led发光晶片和蓝色led发光晶片形成发光阵列。
3.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张诺寒，王书杰，廖勇军，丁贺，赵耀龙，李文庭，岳俊跃，
申请(专利权)人：谷麦光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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