【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片，尤其涉及一种电致发光测试结构、测试分拣方法及芯片转移方法。
技术介绍
1、micro led是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以micro led技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。micro led芯片的质量对于显示模块的组成非常重要，目前一般采用对micro led芯片进行el(electroluminescent，电致发光)检测，来检测micro led芯片的质量。
2、然而，由于micro led芯片过于微小，目前可以使用的接触式电致发光检测方法的探针都无法无损伤的接触micro led芯片的pad(焊盘)，因此，目前没有办法对micro led芯片进行电致发光检测。
3、因而，如何对micro led芯片进行电致发光检测是丞需解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种对micro led芯片检测的电致发光测试结构和方法，旨在解决由于micro led芯片过于微小，无法对micro led芯片进行电致发光检测的问题。
2、第一方面，本申请提供一种电致发光测试结构，包括：
3、衬底；
4、芯片阵列，位于所述衬底的表面，包括多个呈多行多列间隔排布的芯片；各所述芯片远离所述衬底的表面均设有间隔排布的第一电极和第二电极；
5、第一测试线，位于所述芯片阵列的一侧，与所述芯片阵列具有间距；
6、
7、第一连接导线，将各行所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；
8、第二连接导线，将各行所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。
9、在其中的一个实施例中，所述第一连接导线的数量为多条，每条所述第一连接导线将位于同一行的所述芯片的第一电极均与所述第一测试线相连接；
10、所述第二连接导线的数量为多条，每条所述第二连接导线将位于同一行的所述芯片的第二电极均与所述第二测试线相连接。
11、在其中的一个实施例中，上述的电致发光测试结构，所述芯片包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触。
12、在其中的一个实施例中，所述第一连接导线的宽度大于所述芯片的第一电极宽度的2/5。
13、在其中的一个实施例中，所述第二连接导线的宽度大于所述芯片的第二电极宽度的2/5。
14、上述的电致发光测试结构包括：衬底，芯片阵列，第一测试线，第二测试线，第一连接导线，第二连接导线，在进行电致发光测试时，探针不用接触芯片，只需要接触测试线，就可以通过测试线对芯片进行电致发光检测，从而检测芯片的质量。通过设定第一连接导线的宽度与芯片的第一电极宽度及第二连接导线的宽度与芯片的第二电极宽度的关系，可以将第一连接导线和第二连接导线设定为合适的宽度，从而降低芯片侧面漏光，增强芯片的出光效率。
15、第二方面，基于同样的专利技术构思，本申请提供了一种电致发光测试分拣方法，其特征在于，包括：
16、提供上述第一方面中任一项所述的电致发光测试结构；
17、构建测试模型，所述测试模型包括目标数据；
18、对所述电致发光测试结构进行检测，以得到检测数据；
19、将所述检测数据导入所述测试模型中与所述目标数据进行比对；
20、基于比对结果分拣并去除失效的芯片。
21、上述的电致发光测试方法，通过用多条导线将所有芯片的第一电极连接到第一测试导线，用多条导线将所有芯片的第二电极连接到第二测试导线，在进行电致发光测试时，探针不用直接接触芯片，只需接触测试导线，就可检测芯片的质量。并对芯片进行发光测试，将对芯片进行发光测试得到的数据与输入测试模型进行比对，从而根据比对结果对芯片进行分选。
22、第三方面，本申请提供了一种芯片转移方法，该芯片转移方法包括：
23、提供如第二方面所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的对所述所述电致发光测试结构；
24、提供承载基板；
25、将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面。
26、在其中的一个实施例中，上述的芯片转移方法，还包括，测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片均包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触；所述第一连接导线和所述第二连接导线均保留在所述芯片上；
27、将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面，包括：
28、采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板；其中，在所述选择性悬空转移过程中，所述氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气，以利用所述氮气将所述第一连接导线和所述第二连接导线冲断，使得所述芯片在脱离时对所述芯片的下冲进行缓冲。
29、在其中的一个实施例中，所述采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板，包括：利用激光照射所述芯片与衬底接触面，以使得所述芯片的氮化镓层在激光的作用下分解为镓和氮气；利用所述氮气冲断所述第一连接导线和所述第二连接导线，以使得所述芯片与所述衬底分离，以转移至所述承载基板。
30、在其中的一个实施例中，在电致发光测试分拣过程中，所述电致发光测试结构中的失效芯片被完全去除；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，所述承载基板上存在与所述失效芯片对应的缺失区域；将测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片转移至所述承载基板的表面之后，还包括：
31、提供第一方面的实施例中任一项所述的电致发光测试分拣方法测试分拣后的另一所述电致发光测试结构；
32、采用激光剥离工艺将测试分拣后的另一所述电致发光测试结构中保留的芯片选择性悬空转移至所述缺失区域的表面。
33、上述的芯片转移方法，在芯片转移的过程中，芯片本身在激光的照射下释放的气体冲击力较大，第一连接导线及第二连接导线在被气体冲断的过程中，会对分离的芯片的下冲起到缓冲作用，从而避免芯片转移过程中芯片对承载基板造成过大冲击，导致芯片大幅度的倾斜甚至断裂破损等问题的发生。在将芯片转移到承接基板后，对承载基板上的缺失区域进行修复，形成新的芯片，可以保证承接基板上覆盖上所有的芯片，对于后续的显示模块制备具有重要意义。
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1.一种电致发光测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述芯片包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第一连接导线的宽度大于所述芯片的第一电极宽度的2/5。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第二连接导线的宽度大于所述芯片的第二电极宽度的2/5。
6.一种电致发光测试分拣方法，其特征在于，包括：
7.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的芯片转移方法，其特征在于，测试分拣后的所述电致发光测试结构中保留的所有所述芯片均包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触；所述第一连接导线和所述第二连接导线均保留在所述芯片上；
9.根据权利要求8所述的芯片转移方法，其特征在于，所述采用选择性激光剥离工艺对所述芯片进行选择性悬空转移至所述承载基板，包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种电致发光测试结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述芯片包括氮化镓层，所述氮化镓层与所述衬底的表面相接触。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第一连接导线的宽度大于所述芯片的第一电极宽度的2/5。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的电致发光测试结构，其特征在于，所述第二连接导线的宽度大于所述芯片的第二电极宽度的2/5。
6.一种电致发光测试分拣方法，其特征在于，包括：
7.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的芯片转移方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲，林浩翔，萧俊龙，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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