【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的主题涉及诸如用于集成电路光刻制造工艺的激光产生的光源。
技术介绍
1、在深紫外(“duv”)激光源中，通过使等离子体放电发生在放电室中的电极之间来产生激光辐射脉冲。这些激光器通常被配置为产生称为突发的脉冲序列。这种腔室的操作的一个品质因数是作为施加在电极两端的电压的函数而产生的激光能量的量。对于高效的激光器，对于电极之间的给定电势差应该产生尽可能多的能量。
2、激光腔室性能的另一个标准是作为电极两端的电压的函数的能量产生随时间的稳定性。换句话说，通常希望由给定电极电压产生的能量的量随时间保持相同或尽可能接近相同。然而，通常期望该函数关系将在诸如腔室寿命的长时间段内改变，使得新的激光腔室将期望呈现这样的能量对电压关系，其不同于腔室在其寿命结束时可期望呈现的能量对电压关系。然而，存在这样的情况，即，当对于给定的电极电压产生的能量的量可以在短得多的时间段内变化，并且甚至在脉冲突发内变化。实际上，已经观察到一种现象，其中对于给定电压差产生的能量的量在突发内相对快速地下降。这可能导致利用激光能量突发的制造工艺如半导体光刻工艺缺乏可重复性。
3、因此，希望能够提供一种激光腔室，特别是用于激光腔室的电极，其中作为所施加电压的函数的输出能量的快速衰减被减轻。
技术实现思路
1、以下给出了一个或多个实施例的简明概述，以便提供对本专利技术的基本理解。本概述不是所有预期实施例的广泛综述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素，也不描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是
2、根据实施例的一个方面，激光放电室中的电极的面对的放电表面中的一个或两个表面，即，等离子体在其间被撞击的表面，设置有工程化的表面结构，该工程化的表面结构提供分布式放电起始或成核(nucleation)位置，以便控制放电过程的空间均匀性。
3、根据一个实施例的一个方面，公开了一种用于激光放电室的电极，该电极包括工程化的放电表面，该工程化的放电表面包括多个工程化的放电成核位置的分布。工程化的放电表面可以包括多个工程化的凹痕，每个工程化的凹痕具有边缘，并且其中每个工程化的成核位置可以包括每个工程化的凹痕的边缘的至少一部分。工程化的放电表面可以包括多个工程化的突起，每个工程化的突起具有边缘，并且其中每个工程化的成核位置可以包括每个工程化的突起的边缘的至少一部分。工程化的放电表面可以包括多个工程化的轨道，每个工程化的轨道具有边缘，并且其中每个工程化的成核位置可以包括每个工程化的轨道的边缘的至少一部分。工程化的凹痕的深度在约10μm至约1000μm的范围内。
4、可以通过激光钻孔、化学蚀刻、等离子蚀刻、机械钻孔和/或机械压印来形成工程化的凹痕。
5、工程化的放电成核位置的第一子集具有第一形状，工程化的放电成核位置的第二子集具有不同于第一子集形状的第二子集形状。
6、工程化的凹痕可以是圆形的工程化凹痕。圆形的工程化凹痕具有相同长度的半径。圆形的工程化凹痕的第一子集的半径可具有第一子集长度，圆形的工程化凹痕的第二子集的半径可具有不同于第一子集长度的第二子集长度。圆形的工程化凹痕的半径在约10μm至约1000μm的范围内。圆形的工程化凹痕可以以中心到中心间距在约10μm到约1000μm范围内的周期性布置来被布置。
7、工程化的放电表面可以具有在1mm-1至约20mm-1范围内的每单位面积的周边。
8、工程化的凹痕可以是长形的工程化凹痕。长形的工程化凹痕可以纵向尺寸上的间距在约10μm至约1000μm的范围内的周期性布置来被布置。
9、多个工程化的放电成核位置的分布可以包括工程化的放电成核位置的布置。该布置可以是周期性的或随机的。
10、工程化的放电成核位置在放电表面的纵向方向上具有第一间距，在放电表面的横向方向上具有第二间距。第一间距可以与第二间距相同，或者第一间距可以与第二间距不同。
11、根据一个实施例的另一方面，公开了一种用于产生激光辐射的系统，该系统包括放电室、至少部分地位于放电室内的第一电极以及至少部分地位于放电室内的第二电极，第一电极具有第一放电表面，并且第二电极具有第二放电表面，第一放电表面和第二放电表面被布置成跨间隙彼此面对，其中第一放电表面和第二放电表面中的至少一个表面可以包括多个工程化的放电成核位置的分布。第一电极可以被连接以用作阴极，并且第一放电表面可以包括多个工程化的放电成核位置的分布。第一放电表面可以包括多个工程化的凹痕，每个工程化的凹痕具有边缘，并且其中每个工程化的成核位置可以包括每个工程化的凹痕的边缘的至少一部分。
12、根据一个实施例的另一方面，公开了一种制造用于激光放电室的放电电极的方法，该方法包括提供具有放电表面的电极，以及在放电表面上产生多个工程化的放电成核位置的分布。在放电表面上产生多个工程化的放电成核位置的分布可以包括激光钻孔以形成工程化的放电成核位置、化学蚀刻以形成工程化的放电成核位置、等离子蚀刻以形成工程化的放电成核位置、机械钻孔以形成工程化的放电成核位置和/或机械压印工程化的放电成核位置。
13、下面参考附图详细描述本公开的主题的其它实施例、特征和优点，以及各种实施例的结构和操作。
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1.一种用于激光放电室的电极，所述电极包括工程化的放电表面，所述工程化的放电表面包括多个工程化的放电成核位置的分布。
2.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的凹痕，所述多个工程化的凹痕各自具有边缘，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的凹痕中相关联的一个凹痕的所述边缘的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的突起，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的突起中的相关联的一个突起的边缘的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的轨道，所述多个工程化的轨道各自具有边缘，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的轨道中的每个轨道的所述边缘的至少一部分。
5.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕具有在约10μm到约1000μm范围内的深度。
6.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕通过激光钻孔形成。
7.根据权利要求2所述的电极，其中所
8.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕通过等离子蚀刻形成。
9.根据权利要求2所述的电极，其中所述多个工程化的凹痕通过机械钻孔形成。
10.根据权利要求2所述的电极，其中所述多个工程化的凹痕由机械压印形成。
11.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电成核位置的第一子集具有第一形状，并且其中所述工程化的放电成核位置的第二子集具有不同于所述第一子集形状的第二形状。
12.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕是圆形的工程化凹痕。
13.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕的半径具有相同长度。
14.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕的第一子集的半径具有第一子集长度，并且其中所述圆形的工程化凹痕的第二子集的半径具有不同于所述第一子集长度的第二子集长度。
15.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕具有在约10μm到约1000μm范围内的半径。
16.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕以中心到中心间距在约10μm到约1000μm范围内的周期性布置来被布置。
17.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面具有在1mm-1到约20mm-1范围内的每单位面积的周边。
18.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕是长形的工程化凹痕。
19.根据权利要求18所述的电极，其中所述放电表面具有纵向尺寸和较短的横向尺寸，并且其中所述长形的工程化凹痕以所述纵向尺寸中的间距在约10μm到约1000μm的范围内的周期性布置来被布置。
20.根据权利要求1的电极，其中多个工程化的放电成核位置的所述分布包括工程化的放电成核位置的布置。
21.根据权利要求20所述的电极，其中所述布置是周期性的。
22.根据权利要求20所述的电极，其中所述布置是随机的。
23.根据权利要求1所述的电极，其中所述放电表面具有纵向尺寸和较短的横向尺寸，并且其中所述工程化的放电成核位置具有在所述纵向尺寸上的第一间距和在所述横向尺寸上的第二间距。
24.根据权利要求23所述的电极，其中所述第一间距与所述第二间距相同。
25.根据权利要求23所述的电极，其中所述第一间距不同于所述第二间距。
26.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电成核位置包括多个基本上平行的脊，其中相邻的脊在其间限定相关联的槽。
27.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有弓形的横截面。
28.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有基本上半圆形的横截面。
29.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有基本上矩形的横截面。
30.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有基本上梯形的横截面。
31.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有基本上V形的横截面。
32.根据权利要求26所述的电极，其中所述槽具有弓形的横截面，所述弓形的横截面具有高出与所述槽相关联的相邻脊的相邻部分的横向突起。
33.一种用于产生激光辐射的系统，包括：
34.根据权利要求33所述的系统，其中所述第一电极被连接以用作阴极，并且其中所述第一放电表面包括多个工程化的放电成核位置的所述分布...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于激光放电室的电极，所述电极包括工程化的放电表面，所述工程化的放电表面包括多个工程化的放电成核位置的分布。
2.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的凹痕，所述多个工程化的凹痕各自具有边缘，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的凹痕中相关联的一个凹痕的所述边缘的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的突起，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的突起中的相关联的一个突起的边缘的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面包括多个工程化的轨道，所述多个工程化的轨道各自具有边缘，并且其中所述工程化的成核位置中的每个位置包括所述工程化的轨道中的每个轨道的所述边缘的至少一部分。
5.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕具有在约10μm到约1000μm范围内的深度。
6.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕通过激光钻孔形成。
7.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕通过化学蚀刻形成。
8.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕通过等离子蚀刻形成。
9.根据权利要求2所述的电极，其中所述多个工程化的凹痕通过机械钻孔形成。
10.根据权利要求2所述的电极，其中所述多个工程化的凹痕由机械压印形成。
11.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电成核位置的第一子集具有第一形状，并且其中所述工程化的放电成核位置的第二子集具有不同于所述第一子集形状的第二形状。
12.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕是圆形的工程化凹痕。
13.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕的半径具有相同长度。
14.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕的第一子集的半径具有第一子集长度，并且其中所述圆形的工程化凹痕的第二子集的半径具有不同于所述第一子集长度的第二子集长度。
15.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕具有在约10μm到约1000μm范围内的半径。
16.根据权利要求12所述的电极，其中所述圆形的工程化凹痕以中心到中心间距在约10μm到约1000μm范围内的周期性布置来被布置。
17.根据权利要求1所述的电极，其中所述工程化的放电表面具有在1mm-1到约20mm-1范围内的每单位面积的周边。
18.根据权利要求2所述的电极，其中所述工程化的凹痕是长形的工程化凹痕。
19.根据权利要求18所述的电极，其中所述放电表面具有纵向尺寸和较短的横向尺寸，并且其中所述长形的工程化凹痕以所述纵向尺寸中的间距在约10μm到约1000μm的范围内的周期性布置来被布置。
20.根据权利要求1的电极，其中多个工程化的放电成核位置的所述分布包括工程化的放电成核位置的布置。
21.根据权利要求20所述的电极，其中所述布置是周期性的。
22.根据权利要求20所述的电极，其中所述布置是随机的。
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