用于气体放电级的气体控制装置制造方法及图纸

技术编号:40799994 阅读:33 留言:0更新日期:2024-03-28 19:26
气体控制装置包括与气体放电室通信的控制系统。该控制系统包括性能监测模块,该性能监测模块被配置为在气体放电室的标准操作模式期间和气体恢复方案在使用气体恢复设置的气体放电室上的执行之间:将气体放电室的一个或多个性能参数与相应阈值进行比较;基于比较确定气体恢复设置是否需要被调整;以及基于确定来调整气体恢复设置的值。该控制系统包括被配置为执行气体恢复方案的气体恢复模块,该气体恢复模块被配置为当执行当前气体恢复方案时从性能监测模块访问气体恢复设置的最新调整值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

所公开的主题涉及一种用于气体放电级的气体控制装置,其包括在标准操作模式期间估计气体恢复设置的模块。


技术介绍

1、一种用于光刻的气体放电光源被称为准分子光源或激光器。通常,准分子激光器使用一种或多种稀有气体和反应性气体的组合,稀有气体可以包括氩、氪或氙,反应性气体可以包括氟或氯。准分子激光器可以在电模拟(提供能量)和(气体混合物的)高压的适当条件下产生准分子、伪分子,该准分子仅在激发态下存在。激发态的准分子在紫外范围内产生放大的光。准分子光源可以使用单个气体放电室或多个气体放电室。当执行准分子光源时,准分子光源产生深紫外(duv)光束。duv光可包括例如约100纳米(nm)至约400nm的波长。

2、可以将duv光束引导到光刻曝光装置或扫描仪,该曝光装置或扫描仪是将所需图案施加到衬底(诸如硅晶片)的目标部分上的机器。duv光束与投影光学系统相互作用,该投影光学系统通过掩模将duv光束投影到晶片的光致抗蚀剂上。以此方式,一层或多层芯片设计被图案化到光致抗蚀剂上,随后晶片被蚀刻和清洁。


技术实现思路</b>

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【技术保护点】

1.一种与光源内的气体放电室相关联的气体控制装置,所述气体控制装置包括:

2.根据权利要求1所述的气体控制装置,还包括气体供应系统,所述气体供应系统被配置为在所述气体恢复方案期间根据至少一个气体恢复设置并在所述控制系统的控制下注入和/或去除所述气体放电室内的气体混合物的一种或多种气体组分。

3.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,保存所述气体恢复设置的经调整的所述值。

4.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中当执行下一个气体恢复方案时...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种与光源内的气体放电室相关联的气体控制装置,所述气体控制装置包括:

2.根据权利要求1所述的气体控制装置,还包括气体供应系统,所述气体供应系统被配置为在所述气体恢复方案期间根据至少一个气体恢复设置并在所述控制系统的控制下注入和/或去除所述气体放电室内的气体混合物的一种或多种气体组分。

3.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,保存所述气体恢复设置的经调整的所述值。

4.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中当执行下一个气体恢复方案时,所述控制系统访问所述气体恢复设置的最新调整的所述值。

5.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是气体特性的极端操作值。

6.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是所述气体放电室中的压力的极值。

7.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的一个或多个性能参数,所述估计包括所述监测系统估计以下中的一项或多项:从所述气体放电室输出的光束的能量、所述气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从所述气体放电室输出的光束的光谱特征、通过所述能量源致动器提供给所述气体放电室的能量以及电弧风险灵敏度。

8.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为基于所述确定来调整所述气体恢复设置的所述值包括:在最大极值和最小极值之间且以增量调整所述气体恢复设置的所述值。

9.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较包括确定每个性能参数是否超过其相应的阈值,其中如果性能参数超过其相应的阈值,则所述性能参数在可接受的值处。

10.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,所述监测系统以周期性间隔估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数。

11.根据权利要求10所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,对于每次由所述监测系统估计的所述一个或多个性能参数,有:将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,基于所述比较确定是否调整所述气体恢复设置,以及基于所述确定调整所述气体恢复设置的所述值。

12.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统还被配置为当接收到指示所述气体恢复方案开始的命令时,停止调整所述气体恢复设置的所述值。

13.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为在将气体再填充物引导到所述气体放电室上之后执行气体恢复方案。

14.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为监测两级光源的至少一个气体放电室,所述两级光源包括主振荡器气体放电室和功率放大器气体放电室。

15.根据权利要求14所述的气体控制装置,其中所述控制系统与所述主振荡器气体放电室和所述功率放大器气体放电室通信,并且所述气体恢复设置与所述功率放大器气体放电室相关。

16.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体放电室在所述光源的气体放电级中实现,当能量被提供给气体混合物时,所述气体放电级从所述气体放电室内的所述气体混合物中发生的粒子数反转产生放大的光束。

17.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈思宇S·R·威廉姆斯
申请(专利权)人:西默有限公司
类型:发明
国别省市:

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