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用于气体放电级的气体控制装置制造方法及图纸

技术编号:40799994 阅读:2 留言:0更新日期:2024-03-28 19:26
气体控制装置包括与气体放电室通信的控制系统。该控制系统包括性能监测模块,该性能监测模块被配置为在气体放电室的标准操作模式期间和气体恢复方案在使用气体恢复设置的气体放电室上的执行之间:将气体放电室的一个或多个性能参数与相应阈值进行比较;基于比较确定气体恢复设置是否需要被调整;以及基于确定来调整气体恢复设置的值。该控制系统包括被配置为执行气体恢复方案的气体恢复模块,该气体恢复模块被配置为当执行当前气体恢复方案时从性能监测模块访问气体恢复设置的最新调整值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

所公开的主题涉及一种用于气体放电级的气体控制装置,其包括在标准操作模式期间估计气体恢复设置的模块。


技术介绍

1、一种用于光刻的气体放电光源被称为准分子光源或激光器。通常,准分子激光器使用一种或多种稀有气体和反应性气体的组合,稀有气体可以包括氩、氪或氙,反应性气体可以包括氟或氯。准分子激光器可以在电模拟(提供能量)和(气体混合物的)高压的适当条件下产生准分子、伪分子,该准分子仅在激发态下存在。激发态的准分子在紫外范围内产生放大的光。准分子光源可以使用单个气体放电室或多个气体放电室。当执行准分子光源时,准分子光源产生深紫外(duv)光束。duv光可包括例如约100纳米(nm)至约400nm的波长。

2、可以将duv光束引导到光刻曝光装置或扫描仪,该曝光装置或扫描仪是将所需图案施加到衬底(诸如硅晶片)的目标部分上的机器。duv光束与投影光学系统相互作用,该投影光学系统通过掩模将duv光束投影到晶片的光致抗蚀剂上。以此方式,一层或多层芯片设计被图案化到光致抗蚀剂上,随后晶片被蚀刻和清洁。


技术实现思路

1、在一些一般方面,气体控制装置与光源内的气体放电室相关联。气体控制装置包括:监测系统,其被配置为估计气体放电室的一个或多个性能参数;以及控制系统,其与监测系统和气体放电室通信。控制系统被配置为,在气体放电室的标准操作模式期间和气体恢复方案在使用气体恢复设置的气体放电室上的恢复的执行之间:将所估计的一个或多个性能参数与相应阈值进行比较;基于比较确定气体恢复设置是否需要被调整;以及基于确定来调整气体恢复设置的值。

2、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如,该气体控制装置还可以包括气体供应系统,该气体供应系统被配置为在该气体恢复方案期间根据至少一个气体恢复设置并且在控制系统的控制下注入和/或去除气体放电室内的气体混合物的一种或多种气体组分。

3、控制系统可以被配置为在气体放电室的标准操作期间和在对使用气体恢复设置的气体放电室执行气体恢复方案之间,保存气体恢复设置的调整值。当执行下一个气体恢复方案时,控制系统可以访问气体恢复设置的最新调整值。气体恢复设置可以是气体特性的极端操作值。气体恢复设置可以是气体放电室中压力的极值。

4、被配置为估计气体放电室的一个或多个性能参数的监测系统可以包括估计以下中的一项或多项的监测系统:从气体放电室输出的光束的能量、气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从气体放电室输出的光束的光谱特征、通过能量源致动器提供给气体放电室的能量以及电弧风险灵敏度。

5、控制系统被配置为基于确定来调整气体恢复设置的值,该调整可以包括将气体恢复设置的值在最大极值与最小极值之间调整增量。控制系统被配置为将所估计的一个或多个性能参数与相应阈值进行比较,该比较可以包括确定每个性能参数是否超过其相应阈值。如果性能参数超过其相应的阈值,则其可以是可接受的值。

6、在气体放电室的标准操作期间以及在对使用气体恢复设置的气体放电室执行气体恢复方案之间,监测系统可以以周期性间隔估计气体放电室的一个或多个性能参数。控制系统可以被配置为每次由监测系统估计的一个或多个性能参数,将所估计的一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,基于比较来确定是否调整气体恢复设置,并且基于确定来调整气体恢复设置的值。

7、控制系统可以被配置为当接收到指示气体恢复方案开始的命令时停止调整气体恢复设置的值。控制系统可以被配置为在将气体再填充物引导到气体放电室上之后并且在气体放电室上的气体再填充完成之后执行气体恢复方案。

8、监测系统可以被配置为监测两级光源的至少一个气体放电室,该两级光源包括主振荡器气体放电室和功率放大器气体放电室。控制系统可以与主振荡器气体放电室和功率放大器气体放电室通信,并且气体恢复设置可以涉及功率放大器气体放电室。气体放电室可以在光源的气体放电级中实现,当能量被提供给气体混合物时,气体放电级从发生在气体放电室内的气体混合物中的粒子数反转产生放大的光束。

9、被配置为估计气体放电室的一个或多个性能参数的监测系统可以包括测量与气体放电室的性能有关的一个或多个方面并分析所测量的方面的监测系统。

10、在其他一般方面,一种方法被配置用于控制气体放电光源内的气体放电室的气体混合物。该方法包括,在气体放电室的标准操作期间和在对使用气体恢复设置的气体放电室执行气体恢复方案之间:估计气体放电室的一个或多个性能参数;将所估计的一个或多个性能参数与相应阈值进行比较;基于比较确定是否需要调整气体恢复设置;以及基于确定来调整气体恢复设置的值。

11、实现方式可以包括以下特征中的一个或多个特征。例如,该方法还可以包括,在气体放电室的标准操作期间和在对使用气体恢复设置的气体放电室执行气体恢复方案之间,保存气体恢复设置的调整值。该方法还可以包括将气体恢复设置的最新调整值提供给下一气体恢复方案。

12、气体恢复设置可以是气体特性的极端操作值。气体恢复设置可以是气体放电室中压力的极值。

13、可以通过估计以下中的一项或多项来估计气体放电室的一个或多个性能参数:从气体放电室输出的光束的能量、气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从气体放电室输出的光束的光谱特征、通过能量源致动器提供给气体放电室的能量以及电弧风险灵敏度。

14、可以基于通过以下方式的比较来确定是否需要调整气体恢复设置:如果所估计的一个或多个性能参数的全部超过它们相应的阈值,则确定不需要调整气体恢复设置。如果性能参数大于其阈值,则其可以超过其阈值。可以基于通过以下方式的比较来确定是否需要调整气体恢复设置:如果所估计的一个或多个性能参数中的一个性能参数没有超过其相应的阈值并且所估计的一个或多个性能参数中的剩余一个性能参数超过其相应的阈值,则确定气体恢复设置需要被调整。可以基于通过以下方式的比较来确定是否需要调整气体恢复设置:如果所有估计的一个或多个性能参数不超过它们相应的阈值,则确定不需要调整气体恢复设置。

15、气体恢复设置的值可以通过在最大和最小极值之间且以增量调整气体恢复设置的值来基于确定被调整。

16、可以通过确定每个性能参数是否超过其相应的阈值来将所估计的一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,其中如果性能参数超过其相应的阈值,则其在可接受的值处。

17、在气体放电室的标准操作期间以及在对使用气体恢复设置的气体放电室执行气体恢复方案之间,可以以周期性间隔估计气体放电室的一个或多个性能参数。该方法还可以包括:每次估计一个或多个性能参数,则将所估计的一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,可以基于该比较来确定是否调整气体恢复设置,并且可以基于该确定来调整气体恢复设置的值。

18、该方法还可以包括当接收到指示气体恢复方案开始的命令时停止调整气体恢复设置的值。该方法还可包括在对气体放电室执行气体再填充之后对气体放电室执行气体恢复方案。

19、气体放电室的一个或多个性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种与光源内的气体放电室相关联的气体控制装置,所述气体控制装置包括:

2.根据权利要求1所述的气体控制装置,还包括气体供应系统,所述气体供应系统被配置为在所述气体恢复方案期间根据至少一个气体恢复设置并在所述控制系统的控制下注入和/或去除所述气体放电室内的气体混合物的一种或多种气体组分。

3.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,保存所述气体恢复设置的经调整的所述值。

4.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中当执行下一个气体恢复方案时,所述控制系统访问所述气体恢复设置的最新调整的所述值。

5.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是气体特性的极端操作值。

6.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是所述气体放电室中的压力的极值。

7.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的一个或多个性能参数,所述估计包括所述监测系统估计以下中的一项或多项:从所述气体放电室输出的光束的能量、所述气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从所述气体放电室输出的光束的光谱特征、通过所述能量源致动器提供给所述气体放电室的能量以及电弧风险灵敏度。

8.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为基于所述确定来调整所述气体恢复设置的所述值包括:在最大极值和最小极值之间且以增量调整所述气体恢复设置的所述值。

9.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较包括确定每个性能参数是否超过其相应的阈值,其中如果性能参数超过其相应的阈值,则所述性能参数在可接受的值处。

10.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,所述监测系统以周期性间隔估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数。

11.根据权利要求10所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,对于每次由所述监测系统估计的所述一个或多个性能参数,有:将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,基于所述比较确定是否调整所述气体恢复设置,以及基于所述确定调整所述气体恢复设置的所述值。

12.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统还被配置为当接收到指示所述气体恢复方案开始的命令时,停止调整所述气体恢复设置的所述值。

13.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为在将气体再填充物引导到所述气体放电室上之后执行气体恢复方案。

14.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为监测两级光源的至少一个气体放电室,所述两级光源包括主振荡器气体放电室和功率放大器气体放电室。

15.根据权利要求14所述的气体控制装置,其中所述控制系统与所述主振荡器气体放电室和所述功率放大器气体放电室通信,并且所述气体恢复设置与所述功率放大器气体放电室相关。

16.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体放电室在所述光源的气体放电级中实现,当能量被提供给气体混合物时,所述气体放电级从所述气体放电室内的所述气体混合物中发生的粒子数反转产生放大的光束。

17.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数包括:所述监测系统测量与所述气体放电室的性能有关的一个或多个方面并分析所测量的所述方面。

18.一种用于控制气体放电光源内的气体放电室的气体混合物的方法,所述方法包括:

19.根据权利要求18所述的方法,还包括:在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,保存所述气体恢复设置的经调整的所述值。

20.根据权利要求18所述的方法,还包括将所述气体恢复设置的最新调整的所述值提供给下一个气体恢复方案。

21.根据权利要求18所述的方法,其中所述气体恢复设置是气体特性的极端操作值。

22.根据权利要求18所述的方法,其中所述气体恢复设置是所述气体放电室中的压力的极值。

23.根据权利要求18所述的方法,其中估计所述气体放电室的一个或多个性能参数包括估计以下中的一项或多项:从所述气体放电室输出的光束的能量、所述气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从所述气体放电室输出的光束的光谱...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种与光源内的气体放电室相关联的气体控制装置,所述气体控制装置包括:

2.根据权利要求1所述的气体控制装置,还包括气体供应系统,所述气体供应系统被配置为在所述气体恢复方案期间根据至少一个气体恢复设置并在所述控制系统的控制下注入和/或去除所述气体放电室内的气体混合物的一种或多种气体组分。

3.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,保存所述气体恢复设置的经调整的所述值。

4.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中当执行下一个气体恢复方案时,所述控制系统访问所述气体恢复设置的最新调整的所述值。

5.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是气体特性的极端操作值。

6.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体恢复设置是所述气体放电室中的压力的极值。

7.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的一个或多个性能参数,所述估计包括所述监测系统估计以下中的一项或多项:从所述气体放电室输出的光束的能量、所述气体放电室的能量源致动器的能量变化预测器、从所述气体放电室输出的光束的光谱特征、通过所述能量源致动器提供给所述气体放电室的能量以及电弧风险灵敏度。

8.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为基于所述确定来调整所述气体恢复设置的所述值包括:在最大极值和最小极值之间且以增量调整所述气体恢复设置的所述值。

9.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较包括确定每个性能参数是否超过其相应的阈值,其中如果性能参数超过其相应的阈值,则所述性能参数在可接受的值处。

10.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中在所述气体放电室的标准操作期间且在对使用所述气体恢复设置的所述气体放电室执行气体恢复方案之间,所述监测系统以周期性间隔估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数。

11.根据权利要求10所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为,对于每次由所述监测系统估计的所述一个或多个性能参数,有:将所估计的所述一个或多个性能参数与相应的阈值进行比较,基于所述比较确定是否调整所述气体恢复设置,以及基于所述确定调整所述气体恢复设置的所述值。

12.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统还被配置为当接收到指示所述气体恢复方案开始的命令时,停止调整所述气体恢复设置的所述值。

13.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述控制系统被配置为在将气体再填充物引导到所述气体放电室上之后执行气体恢复方案。

14.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为监测两级光源的至少一个气体放电室,所述两级光源包括主振荡器气体放电室和功率放大器气体放电室。

15.根据权利要求14所述的气体控制装置,其中所述控制系统与所述主振荡器气体放电室和所述功率放大器气体放电室通信,并且所述气体恢复设置与所述功率放大器气体放电室相关。

16.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述气体放电室在所述光源的气体放电级中实现,当能量被提供给气体混合物时,所述气体放电级从所述气体放电室内的所述气体混合物中发生的粒子数反转产生放大的光束。

17.根据权利要求1所述的气体控制装置,其中所述监测系统被配置为估计所述气体放电室的所述一个或多个性能参数...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈思宇S·R·威廉姆斯
申请(专利权)人:西默有限公司
类型:发明
国别省市:

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