【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种用于磁开关网络的电子模块。磁开关网络可以用于光学系统中。光学系统可以是或包括例如准分子激光器，并且可以产生深紫外(duv)光。
技术介绍
1、光刻是一种用于在诸如硅晶片等衬底上对半导体电路系统进行图案化的工艺。光刻光源(或光源)提供用于曝光晶片上的光致抗蚀剂的深紫外(duv)光。在光刻中使用的一种类型的气体放电光源称为准分子光源或激光器。准分子光源通常使用一种或多种稀有气体(诸如氩、氪或氙)和反应性气体(诸如氟或氯)的组合。准分子光源的名字来源于这样一个事实，即，在适当的电刺激(供应的能量)和(气体混合物的)高压条件下，产生了一种称为准分子的伪分子，它只存在于通电状态下，并且在紫外线范围内产生放大的光。准分子光源产生波长在深紫外(duv)范围内的光束，并且该光束用于在光刻装置中对半导体衬底(或晶片)进行图案化。准分子光源可以使用单个气体放电腔或使用多个气体放电腔来构建。
技术实现思路
1、在一个方面，一种系统包括：被配置为产生脉冲种子光束的第一光学子系统，第一光学子系统包括：...
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络被配置为通过减小所述电压差，来控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述电子网络被配置为通过消除所述电压差，来控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差。
4.根据权利要求3所述的系统，其中消除所述电压差包括使得所述第一附加能量存储节点和所述第二附加能量处于相同电压。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一附加能量存储节点包括第一能量存储设备，并且所述第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络被配置为通过减小所述电压差，来控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差。
3.根据权利要求2所述的系统，其中所述电子网络被配置为通过消除所述电压差，来控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差。
4.根据权利要求3所述的系统，其中消除所述电压差包括使得所述第一附加能量存储节点和所述第二附加能量处于相同电压。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一附加能量存储节点包括第一能量存储设备，并且所述第二附加能量存储节点包括第二能量存储设备。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述电子网络被配置为：仅当所述电子网络处于活动状态时，控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差，并且当所述第一能量存储设备和所述第二能量存储设备正在累积电荷时，所述电子网络处于所述活动状态。
7.根据权利要求5所述的系统，其中所述电子网络被配置为：仅当所述电子网络处于活动状态时，控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差，
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络被配置为：仅当处于活动状态时，控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差，
9.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络被配置为：仅当处于活动状态时，控制所述第一附加能量存储节点与所述第二附加能量存储节点之间的所述电压差，并且
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一附加能量存储节点和所述第二附加能量存储节点中的每个包括至少一个电容器。
11.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一附加能量存储节点是所述第一磁开关网络中的多个附加存储节点之一，并且所述第二附加能量存储节点是所述第二磁开关网络中的多个附加存储节点之一，并且所述系统还包括第二电子网络，所述第二电子网络电连接到所述第一磁开关网络中的除所述第一附加存储节点之外的附加存储节点中一个附加存储节点、以及所述第二磁开关网络中的除所述第二附加存储节点之外的附加存储节点中一个附加存储节点。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一磁开关网络中的多个附加存储节点中的至少一个附加存储节点是变压器的初级侧，并且所述第二磁开关网络中的多个附加存储节点中的至少一个附加存储节点是变压器的初级侧。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络包括至少两个晶体管。
14.根据权利要求1所述的系统，其中所述电子网络包括多个可控开关，并且每个可控开关与电阻网络并联。
15.根据权利要求14所述的系统，还包括接地路径网络，所述接地路径网络位于所述电子网络与地之间。
16.根据权利要求15所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·C·梅尔彻，王昱达，尤昌琦，
申请(专利权)人：西默有限公司，
类型：发明
国别省市：
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