【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、以应对高电压及大电流为目的而将通电路径设为元件的纵向这一类型的半导体元件通常称为功率半导体元件。作为功率半导体元件,例如存在igbt(insulated gatebipolar transistor)元件、mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor)元件、双极晶体管元件及二极管元件等。
2、作为搭载有功率半导体元件的半导体装置而存在模塑封装型的半导体装置。模塑封装型的半导体装置的组装通过如下方式进行,即,首先在引线框之上安装半导体元件,接下来通过导线键合将半导体元件和引线框接合,通过环氧树脂等模塑树脂对它们进行封装。作为通过模塑树脂实现的封装方法,通常是利用上模具和下模具将引线框夹紧,将模塑树脂注入至模腔内的传递模塑。
3、作为在模塑封装型的半导体装置中生产率高的成型方法,通常已知由多列构成的模塑树脂注入工艺。在该树脂注入工艺中,通过流道将相邻的模腔连接,重复经由流道向模腔注入模
...【技术保护点】
1.一种半导体制造装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
5.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其中,
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体制造装置,其中,
8.一种半导体装置的制造方法,其具有如下工序:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体制造装置,其具有:
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
3.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
4.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,
5.根...
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