【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种大面积、高速沉积硅基薄膜的真空镀膜装置，特别涉及一种带有 内加热器的PECVD系统。
技术介绍
围绕提高光电转换效率和降低生产成本两大目标的各种新型太阳能电池的研究 工作，一直在各发达国家及一些发展中国家积极进行。太阳电池薄膜化是降低成本的主要 发展方向，因此薄膜太阳能电池(非晶硅、非晶硅/微晶硅叠层电池等)成为全球新型太阳 能电池研究开发的一大热点。另外薄膜电池如何将新技术的突破和大规模产业化结合，生 产设备是制约薄膜电池发展的关键。现代的薄膜制备工艺，尤其是不断创新的PECVD技术 对设备的性能提出很高的要求。因此，先进的真空薄膜沉积设备构成了整个薄膜材料和器 件技术的重要环节。一般整套硅薄膜电池生产线包括超声清洗设备、等离子体增强化学气相沉积系 统(简称PECVD系统)、磁控溅射镀铝设备、激光刻划机、电池测试系统、烘烤系统和其他 辅助设备。其中PECVD系统为硅薄膜电池生产线的核心设备，制约着整条生产线的性能， PECVD系统即等离子体增强化学气相沉积系统，PECVD技术的原理是利用低温等离子体作 能量源，样品置于低压下射频放电的电极上，...
【技术保护点】
一种带有内加热器的ＰＥＣＶＤ系统，该系统包括带有进、出气口（２０、７）的真空室（１）和置于真空室内可移式等离子箱（２），所述真空室的外周四壁上设有加热板（５），其特征在于：该系统中的可移式等离子箱（２）至少为两个，各可移式等离子箱（２）平行排列于真空室内，各可移式等离子箱之间设有用于使真空室内均匀受热的内加热器（３）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴文基，郑泽文，刘丽娟，
申请(专利权)人：深圳市宇光高科新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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