一种透光性薄膜太阳电池及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种透光性薄膜太阳电池及其制造方法，本发明专利技术的太阳电池经1064nm的红外激光刻划后的所述透明导电膜TCO玻璃衬底通过掩膜板A沉积所述半导体层；在所述半导体层上通过掩膜板B蒸镀或磁控溅射制备背电极层形成电池芯板，电池芯板通过双玻璃和乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA材料层压制工艺封装成透光薄膜太阳电池组件。本发明专利技术能够低成本、高质量生产大面积高透光性薄膜太阳电池。

【技术实现步骤摘要】

: 本专利技术涉及一种硅薄膜太阳电池及其制造方法，更具体涉及一种用于光伏建筑一体化的透光性薄膜太阳电池及其制造方法。
技术介绍
: 传统硅基薄膜太阳电池，一般不具有透光性，结构为:在带有透明导电膜的玻璃基片上用技术沉积一层娃基薄膜光电转换层，然后蒸镀背电极形成芯板。一块电池包含多个子电池，各子电池通过激光刻划进行内部串联以获得较高的输出电压，传统的制作透光硅薄膜电池的方法有激光技术、喷砂、机械打磨。均是镀膜后再处理掉各功能层，使得工序复杂，其中最为常见的是用激光技术把硅薄膜和背电极薄膜有选择的从不透光的硅薄膜太阳电池芯片上移除，这样光可以透过被激光移除过的区域，其透光性由被移除的薄膜区域大小决定，透光性和光电转换区域的损失，既输出功率的损耗成正比。用这种移除的方式来制造透光薄膜太阳电池有下列几个缺点: 1)激光移除过程缓慢，限制了电池片的产量； 2)激光处理的图形看起来不统一； 3)移除过程需要昂贵高性能激光处理系统； 针对第1)和3)条，激光移除速度受输出功率、控制平台移动速度等的限制，每次移除的透光性开口孔的直径为30 11111-500 ^本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透光性薄膜太阳电池制造方法，包括在带有透明导电膜TCO玻璃衬底上用等离子体增强化学气相沉积法沉积半导体层，在所述半导体层上通过蒸镀制备背电极形成电池芯板，其特征在于：经1064nm的红外激光刻划后的所述透明导电膜TCO玻璃衬底通过掩膜板A沉积所述半导体层；在所述半导体层上通过掩膜板B蒸镀或磁控溅射制备背电极层形成电池芯板。

【技术特征摘要】
1.一种透光性薄膜太阳电池制造方法，包括在带有透明导电膜TCO玻璃衬底上用等离子体增强化学气相沉积法沉积半导体层，在所述半导体层上通过蒸镀制备背电极形成电池芯板，其特征在于:经1064nm的红外激光刻划后的所述透明导电膜TC0玻璃衬底通过掩膜板A沉积所述半导体层；在所述半导体层上通过掩膜板B蒸镀或磁控溅射制备背电极层形成电池芯板。2.如权利要求1所述的一种透光性薄膜太阳电池制造方法，其特征在于:所述红外激光将所述玻璃衬底上的透明导电膜TC0分割为8-20mm间隔的单元，所述单元间的绝缘电阻为2M。3.如权利要求2所述的一种透光性薄膜太阳电池制造方法，其特征在于:所述透明导电膜TC0为氧化铟锡IT0膜、氟掺杂氧化铟锡FT0膜或掺铝氧化锌AZ0膜。4.如权利要求1所述的一种透光性薄膜太阳电池制造方法，其特征在于:所述半导体层为单层半导体层、双层半导体层或三层半导体层，每层半导体均为p-1-n...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴文基，郑泽文，刘丽娟，
申请(专利权)人：深圳市宇光高科新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44