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本发明涉及一种透光性薄膜太阳电池及其制造方法,本发明的太阳电池经1064nm的红外激光刻划后的所述透明导电膜TCO玻璃衬底通过掩膜板A沉积所述半导体层;在所述半导体层上通过掩膜板B蒸镀或磁控溅射制备背电极层形成电池芯板,电池芯板通过双玻璃和...该专利属于深圳市宇光高科新能源技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市宇光高科新能源技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种透光性薄膜太阳电池及其制造方法,本发明的太阳电池经1064nm的红外激光刻划后的所述透明导电膜TCO玻璃衬底通过掩膜板A沉积所述半导体层;在所述半导体层上通过掩膜板B蒸镀或磁控溅射制备背电极层形成电池芯板,电池芯板通过双玻璃和...