薄膜的光刻方法技术

一种薄膜的光刻方法，其特征在于，它包括如下步骤：　　　　在基板上形成至少一层薄膜；　　　　在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；　　　　利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；　　　　使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和　　　　对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
通常，液晶显示器(LCD)是最通用的平面显示器(FPD)，它具有两个基板，在基板上形成用来产生电场的两种电极，其间设有液晶层通过调整施加到液晶层的电场而控制入射光的透光量。形成电场的电极可形成在各个基板上或形成在基板之上。具有至少一种电极的的基板具有开关元件，例如薄膜晶体管(TFT)。一般地，LCD的TFT阵列基板具有多个像素极和用来控制供给像素极的信号的TFT。TFT阵列面板利用多个光掩模，由光刻工艺制造，一般经过五或六步光刻步骤来完成TFT阵列面板。光刻工艺成本高、时间长，人们希望能够减少光刻步骤数。韩国专利申请No.1995-189提出了利用四步光刻制造LCD的方法，对应的美国同族专利为US 5,818,551。同时，由于实际上，为了制成液晶显示器的阵列面板，需形成向各薄膜晶体管传送电信号的线路，及为了使线路与外部的驱动线路以电气连接的衬垫，故须揭示包括衬垫在内的制造工艺。但是，韩国专利申请第95-189号中，没有揭示如何形成衬垫。另外，在《以新光刻法利用四个光掩模制成的TFT》(ATFT ManufacturedBy 4 Masks Process with New Photolithography)，(即，Chang Wook Han等人在18届98年国际显示器研讨会亚洲展会议记录中，第1109-1112页，日期为1998年9月28日至10月1日)中，公开了利用四个光掩模制造薄膜晶体管的方法。为了长时间保持接通到像素中的电压，一般使用存储电容器，该存储电容器包括存储极和像素极的一部分以及其间的钝化层。存储极与栅线形成在同一层上，像素极的一部分形成在钝化层上。存储极是被栅绝缘层、半导体层及钝化层所覆盖，而像素极的大部分直接形成于基板上，所以，为了使像素极与存储极相重叠，必须把像素极阶梯上移(step up)到由栅绝缘层、半导体层及钝化层构成的三重层的之上。那么，就有可能因断差大而在阶梯区域发生断线的问题。另外，如专利申请第95-189号所揭示，传统的光刻工艺采用光致抗蚀层(PR)，传统的光致抗蚀层通过光掩模曝光，并分成两个部分，即曝光部分和不曝光部分。对光致抗蚀层的显影形成具有均匀厚度的光致抗蚀层图案，曝光的光致抗蚀层被去除。因此，光致抗蚀层图案之下的各层被蚀刻的厚度也是均匀的。但是，Han等人采用了具有格栅(grid)的光掩模，对阳性光致抗蚀层进行曝光，使通过格栅部分照射的光量减少，从而形成与其它部分相比，具有薄厚度部分的光致抗蚀层图案的技术。若在此状态下进行蚀刻，那么会使光致抗蚀层下部各层的蚀刻深度产生不同。如前述，利用专利申请第95-189中的技术进行蚀刻时，存在一个光刻工艺中不可能调整蚀刻深度的问题，在利用Han等人的技术进行蚀刻时，因利用格栅光掩模所能处理的区域是受限制的，所以存在不可能处理大的区域，或即使能处理，也存在着不可能在格栅区域内获得均一蚀刻深度的问题。另外，在美国专利第4,231,811号，第5,618,643号，第4,415,262号及日本专利公开昭和61-181130号等，提供了与Han等人的技术类似的方法，并存在同样的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的。本专利技术的另一目的是简化液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板的制造工艺，从而降低制造成本及提高生产率。本专利技术的再一目的是不仅在大范围内形成各自不同的蚀刻深度，而且在要求同一蚀刻深度时，能够蚀刻出均匀的蚀刻深度。为了实现本专利技术的所述目的，暴露栅衬垫的接触窗至少与一个以上另一薄膜同时形成。根据本专利技术的一个方面，提供一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板的制造方法，它包括如下步骤在包括显示部和周边部的绝缘基板上，形成包括多条栅线和与所述栅线连接的栅极衬垫的栅线路，栅线大致上位于显示部，栅线衬垫大致上位于周边部；形成栅绝缘膜图案，其覆盖所述显示部的基板及所述栅线路，并且暴露各个栅极衬垫的至少一部分；在所述栅绝缘膜图案上形成半导体层图案；在所述半导体层图案上形成欧姆接触层图案；在所述欧姆接触层图案上，形成包括大致上位于所述显示部上的多条数据线、与数据线相连的源极电极及漏极电极和大致上位于所述周边部的数据衬垫的数据线路；形成钝化层图案；和形成与所述漏极电极相连接的多个像素极，其中，所述栅绝缘膜图案，是按不同位置使用不同厚度的光致抗蚀层图案，通过一步光刻工艺，随着所述半导体层图案、所述欧姆接触层图案、所述数据线路、所述钝化层图案和所述像素极中的至少一个形成的。根据本专利技术的另一方面，提供一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括如下步骤形成包括栅线、栅极以及栅极衬垫的栅线路；形成栅绝缘膜图案，其覆盖除所述栅极衬垫的一部分之外所述栅线路；在所述栅绝缘膜图案上形成半导体层图案；在所述半导体层图案上形成欧姆接触层图案；在所述欧姆接触层图案上，形成包括数据线、源极电极、漏极电极及数据衬垫的数据线路；形成钝化层图案；以及形成与所述漏极电极相连接的像素极，其中，所述栅绝缘膜图案，通过一次光刻工艺，至少与所述半导体层图案、所述欧姆接触层图案、所述数据线路、所述钝化层图案或所述像素极中的一个一起形成，其中，所述光刻工艺包括涂敷光致抗蚀层；通过具有各自不同光透射量的第一部分、第二部分及第三部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；和使所述光致抗蚀层显影，从而形成光致抗蚀层图案。根据本专利技术的再一方面，提供一种供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板的制造方法，其包括如下步骤形成包括栅线、栅极以及栅极衬垫的栅线路；形成栅绝缘膜图案，其覆盖栅线并暴露栅极衬垫的至少一部分；在所述栅绝缘膜图案上形成半导体层图案；在所述半导体层图案上形成欧姆接触层图案；在所述欧姆接触层图案上形成包括数据线、源极电极、漏极电极及数据衬垫的数据线路；形成钝化层图案；和形成与所述漏极电极相连接的像素极，其中，所述栅绝缘膜图案，通过一次光刻工艺，至少与所述半导体层图案、所述欧姆接触层图案、所述数据线路、所述钝化层图案或所述像素极中的一个一起形成，其中，所述光刻工艺包括如下步骤涂敷光致抗蚀层；利用具有第一部分及光的透射量比第一部分高的第二部分的第一光掩模，和具有光透射量比所述第一部分高，比所述第二部分低的第三部分的第二光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；和使所述光致抗蚀层显影，从而形成光致抗蚀层图案。根据本专利技术的又一方面，提供一种，其包括如下步骤在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。根据本专利技术的又一方面，提供一种，其包括如下步骤在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上，形成具有第一部分、比第一部分厚的第二部分以及比所述第二部分厚的第三部分的光致抗蚀层图案；蚀刻所述光致抗蚀层图案所述第一部分下部的所述薄膜，所述光致抗蚀层图案的所述第二部分和所述第三部分保护其下部的所述薄膜；清除所述光致抗蚀层图案的第二部分，从而暴露其下部的所述薄膜，所述第三部分残留一定厚度；和蚀刻所述薄膜被暴露出的部分，而所述光致抗蚀层图案的第三部分保护其下部的所述薄膜。根据本专利技术的又一方面，提供一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的光刻方法，其特征在于，它包括如下步骤在基板上形成至少一层薄膜；在所述薄膜上涂敷光致抗蚀层；利用至少一个具有至少三个不同透射量部分的光掩模，使所述光致抗蚀层曝光；使所述光致抗蚀层显影，从而根据不同位置而形成不同厚度光致抗蚀层图案；和对所述光致抗蚀层及薄膜同时进行蚀刻。2.按照权利要求1所述的光刻方法，其中所述蚀刻步骤是采用干式蚀刻法。3.按照权利要求1所述的光刻方法，其中所述光致抗蚀层是正性光致抗蚀层。4.一种薄膜的光刻方法，其特征在于，它包括如下步骤在基板上形成至...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴云用，白范基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：