【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳结构，具体涉及一种微纳光栅阴极透镜的制备方法。
技术介绍
1、微纳光栅阴极透镜是超二代微光夜视仪的重要组成部件，其通常由光学输入窗和微纳光栅基片键合而成。
2、当前，微纳光栅阴极透镜的主要加工步骤包括微纳光栅基片的制作、光学输入窗与微纳光栅基片的键合以及键合半成品的外形加工，加工过程涉及多个部件且加工流程长，从而导致成品成本较高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种微纳光栅阴极透镜的制备方法。本专利技术提供的制备方法工艺简便。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，包括以下步骤：
4、在光学输入窗的表面制备光学介质层；
5、利用掩膜法在所述光学介质层的表面形成微纳光栅结构；
6、在所述微纳光栅结构的表面制备光学传输层，得到所述微纳光栅阴极透镜。
7、本专利技术提供了一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，包括以下步骤：
8、利用掩膜法在所述光学输入窗的表面形成微纳光栅结构；
9、在所述微纳光栅结构的表面制备光学传输层，得到所述微纳光栅阴极透镜。
10、优选的，所述光学输入窗的材料包括高硼硅酸盐玻璃、石英或蓝宝石。
11、优选的，所述光学介质层的材料为二氧化硅、氧化铝或氟化镁。
12、优选的，所述光学介质层的厚度为500～1000nm。
13、
14、在所述光学介质层的表面制备具有微纳光栅结构的光刻胶层，依次进行刻蚀和去胶。
15、优选的，所述掩膜法包括：
16、在所述光学输入窗的表面制备具有微纳光栅结构的光刻胶层，依次进行刻蚀和去胶。
17、优选的，所述微纳光栅结构中包括多个光栅单元；
18、每个光栅单元的凸起宽度为100～500nm，凹陷宽度为100～500nm；
19、每个光栅单元的高度为100～500nm。
20、优选的，所述光学传输层的材料包括氧化钛、氮化铝或氮化硅。
21、优选的，得到所述光学传输层后，还包括进行减薄处理。
22、本专利技术提供了一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，包括以下步骤：在光学输入窗的表面制备光学介质层；利用掩膜法在所述光学介质层的表面形成微纳光栅结构；在所述微纳光栅结构的表面制备光学传输层，得到所述微纳光栅阴极透镜。
23、本专利技术提供了一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，包括以下步骤：利用掩膜法在所述光学输入窗的表面形成微纳光栅结构；在所述微纳光栅结构的表面制备光学传输层，得到所述微纳光栅阴极透镜。
24、本专利技术提供了一种直接在光学输入窗或光学介质层的表面加工微纳光栅光学结构的方法，省去了传统工艺中键合和键合半成品的外形加工工序，减少了加工流程，提高了生产效率。
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1.一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述光学输入窗的材料包括高硼硅酸盐玻璃、石英或蓝宝石。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光学介质层的材料为二氧化硅、氧化铝或氟化镁。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述光学介质层的厚度为500～1000nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜法包括：
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜法包括：
8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述微纳光栅结构中包括多个光栅单元；
9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述光学传输层的材料包括氧化钛、氮化铝或氮化硅。
10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，得到所述光学传输层后，还包括进行减薄处理。
【技术特征摘要】
1.一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.一种微纳光栅阴极透镜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述光学输入窗的材料包括高硼硅酸盐玻璃、石英或蓝宝石。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光学介质层的材料为二氧化硅、氧化铝或氟化镁。
5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述光学介质层的厚度为500～1000nm。...
【专利技术属性】
技术研发人员：张一超，
申请(专利权)人：杭州邦齐州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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