【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光学产品，特别是涉及一种微纳光栅。
技术介绍
1、微纳光栅是一种纳米级别的光学产品，在激光加工、激光医疗、激光雷达等多个领域展现了巨大的应用价值。随着半导体技术的发展进步，微纳光栅特征尺寸已经逐渐到达纳米级别。
2、由于光学产品对外观的要求比较严格，微纳光栅容易因为各种物理、化学的损伤导致报废。因此，如何降低微纳光栅的报废率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种微纳光栅，降低其报废率，从而节约成本。
2、为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
3、本技术公开了一种微纳光栅，包括：
4、碳化硅基底，所述碳化硅基底的一侧具有刻蚀结构；
5、沉积于所述碳化硅基底上的光催化层，所述光催化层填充所述刻蚀结构；
6、沉积于所述光催化层上的保护层，所述保护层用于保护所述光催化层。
7、优选地，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧；所述背面保护胶层覆盖所述碳化硅基底背离所述光催化层的一侧。
8、优选地，所述光催化层包括锌、钛、铪中的至少一种元素，以提高光催化效果。
9、优选地，所述保护层为氧化铝层或氧化硅层。
10、优选地，所述保护层为多层。
11、本技术还公开了一种微纳光栅的制备方法，包括如下步骤：
12、s1、对洗净的碳化硅基底进行涂胶、曝
13、s2、使用等离子体干法刻蚀技术，对所述碳化硅基底涂有光刻胶的一面进行刻蚀，使所述碳化硅基底上形成刻蚀结构，所述刻蚀结构与所述光刻胶上显现的所述图形形状一致；
14、s3、使用原子层沉积技术在所述碳化硅基底上沉积光催化层，所述光催化层填充所述刻蚀结构；
15、s4、抛光所述光催化层，并对所述光催化层进行退火处理；
16、s5、使用原子层沉积技术和等离子增强式化学气相沉积技术，在所述光催化层上镀保护层。
17、优选地，在步骤s5之后，还包括：
18、s6、在所述保护层背离所述光催化层的一侧涂覆正面保护胶层，在所述碳化硅基底背离所述光催化层的一侧涂覆背面保护胶层。
19、优选地，在步骤s6之后，还包括：
20、s7、按照尺寸要求，对步骤s6得到的产品进行切割和磨边操作。
21、优选地，步骤s1～步骤s5中，任意相邻两个步骤之间均进行湿法酸洗操作。
22、优选地，所述光催化层包括锌、钛、铪中的至少一种元素，以提高光催化效果；所述保护层为氧化铝层或氧化硅层。
23、本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
24、本技术通过合理选择微纳光栅的结构及材质，降低微纳光栅的报废率，从而节约成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种微纳光栅，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧；所述背面保护胶层覆盖所述碳化硅基底背离所述光催化层的一侧。
3.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述保护层为氧化铝层或氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述保护层为多层。
【技术特征摘要】
1.一种微纳光栅，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧；所述背面保护胶层...
【专利技术属性】
技术研发人员：白喜青，颜吉祥，
申请(专利权)人：杭州邦齐州科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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