微纳光栅制造技术

本技术公开了一种微纳光栅，包括碳化硅基底、光催化层和保护层。碳化硅基底的一侧具有刻蚀结构。光催化层沉积于碳化硅基底上，光催化层填充刻蚀结构。保护层沉积于光催化层上，保护层用于保护光催化层。相比于现有技术，本技术通过合理选择微纳光栅的结构及材质，降低微纳光栅的报废率，从而节约成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光学产品，特别是涉及一种微纳光栅。

技术介绍

1、微纳光栅是一种纳米级别的光学产品，在激光加工、激光医疗、激光雷达等多个领域展现了巨大的应用价值。随着半导体技术的发展进步，微纳光栅特征尺寸已经逐渐到达纳米级别。

2、由于光学产品对外观的要求比较严格，微纳光栅容易因为各种物理、化学的损伤导致报废。因此，如何降低微纳光栅的报废率，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、本技术的目的是提供一种微纳光栅，降低其报废率，从而节约成本。

2、为实现上述目的，本技术提供了如下方案：

3、本技术公开了一种微纳光栅，包括：

4、碳化硅基底，所述碳化硅基底的一侧具有刻蚀结构；

5、沉积于所述碳化硅基底上的光催化层，所述光催化层填充所述刻蚀结构；

6、沉积于所述光催化层上的保护层，所述保护层用于保护所述光催化层。

7、优选地，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微纳光栅，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧；所述背面保护胶层覆盖所述碳化硅基底背离所述光催化层的一侧。

3.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述保护层为氧化铝层或氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述保护层为多层。

【技术特征摘要】

1.一种微纳光栅，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的微纳光栅，其特征在于，所述微纳光栅还包括正面保护胶层和背面保护胶层；所述正面保护胶层覆盖所述保护层背离所述光催化层的一侧；所述背面保护胶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：白喜青，颜吉祥，
申请(专利权)人：杭州邦齐州科技有限公司，
类型：新型
国别省市：