【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅基光子学领域的一种光耦合器，尤其是涉及一种双线性刻蚀因子的变迹e形光栅耦合器。
技术介绍
1、在光通信领域，为了满足人们对光器件速率的更高需求，降低光波导和单模光纤之间的耦合损耗显得尤为重要。目前，主流的两种方法分别是端面耦合和光栅耦合。端面耦合采用锥形透镜光纤，其作用是减小光纤的模斑，从而增大两者的重叠积分，进而提高耦合效率。而光栅耦合则是通过精确设计光栅的周期、刻蚀深度、刻蚀因子等参数，使在波导中传输的光经过光栅衍射后耦合入光纤。与端面耦合器件相比，光栅耦合器的优势在于可以在芯片的任意位置进行耦合，无需复杂的后处理，对准容差较高。然而，光栅耦合器目前仍存在一些问题，如耦合损耗较大以及带宽较窄等。
2、目前行业中针对光栅耦合器已经有了很多优化设计。针对光栅耦合器的水平结构的优化，例如daniel b等l-shaped fiber-chip grating couplers with highdirectionality and low reflectivity fabricated with deep-uv...
【技术保护点】
1.一种双线性刻蚀因子的变迹E形光栅耦合器，该耦合器包括硅基波导(1)和锥形模式转换器(2)，其特征在于，所述耦合器包括E形光栅结构的衍射单元层；
2.根据权利要求1所述的一种双线性刻蚀因子的变迹E形光栅耦合器，其特征在于，所述底部反射层采用四层布拉格底部反射镜的结构设计，包括竖直方向依次邻接的第一底部反射层(8)、第二底部反射层(9)、第三底部反射层(10)和第四底部反射层(11)，并采用硅薄层与二氧化硅薄层交替沉积。
3.根据权利要求2所述的一种双线性刻蚀因子的变迹E形光栅耦合器，其特征在于，所述的光栅耦合器还包括覆盖层(5)；
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