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本发明涉及一种双线性刻蚀因子的变迹E形光栅耦合器，该耦合器包括硅基波导和锥形模式转换器，所述耦合器包括E形光栅结构的衍射单元层；所述E形光栅结构的衍射单元层包括沿竖直方向设置的耦合光栅层、氧化物下包层、底部反射层；所述耦合光栅层沿水平方向包...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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