【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种包含氧化硅和部分碳的烧结体以及烧结体的制造方法。
技术介绍
1、作为半导体制造工艺中的干蚀刻法之一而使用的等离子体处理法是通过氟类气体等对待蚀刻物体进行蚀刻的方法。最近，在电子器件的制造中设计逐渐微细化，尤其，对等离子体蚀刻处理要求更高尺寸精度，且使用高功率。
2、这种等离子体处理装置可以内置有受等离子体影响的石英玻璃(quartz glass)部件。石英玻璃产生相对较少杂质，因此可以防止待蚀刻物体的污染。为了延长等离子体处理装置中的这些与石英玻璃相关的部件的寿命，已经进行了各种研究，并且有必要考虑通过改善石英玻璃的局限性来提高部件的寿命和耐久性的方法。
3、上述的
技术介绍
是专利技术人为导出本专利技术而拥有的技术信息或者在导出本专利技术的过程中掌握的技术信息，因此不能认为是在申请本专利技术之前向公众公开的公知技术。
4、作为相关的现有技术，有韩国授权专利第10-2388688号公开的“合成石英制造方法”和韩国公开专利第10-2006-0057618号公开的“sio2成型体、其制造方法及用途”。
技术实现思路
1、技术问题
2、本实施方式的目的在于，提供一种表现出优异的耐等离子体性的基于石英玻璃的烧结体及其制造方法。
3、解决问题的方案
4、为了实现上述目的，根据实施方式的烧结体可以包括氧化硅和碳，在拉曼光谱中的1311cm-1至1371cm-1波数处具有d带峰，且在1572cm-1至1632c
5、在一实施方式中，上述d带峰或g带峰的强度可以大于在762cm-1至822cm-1波数处存在的第四峰的强度。
6、在一实施方式中，在上述拉曼光谱中的1212cm-1至1262cm-1波数的平均强度可以大于上述第五峰的强度。
7、在一实施方式中，上述d带峰和g带峰的强度比率(id/ig)可以为0.9以上且1.5以下。
8、在一实施方式中，上述烧结体的压缩强度可以为380mpa以上且580mpa以下。
9、在一实施方式中，相对于烧结体的总量，上述碳含量可以为0.01重量％以上且1.5重量％以下。
10、在一实施方式中，上述烧结体在腔室内等离子蚀刻条件下，蚀刻后的厚度减少率与蚀刻前相比可以为1.38％以下，上述等离子体蚀刻条件可以如下：腔室压力100mtorr，等离子体功率为800w，暴露时间为300分钟，cf4流量为50sccm，ar流量为100sccm，o2流量为20sccm。
11、为了实现上述目的，根据本实施方式的烧结体的制造方法可以包括：造粒步骤，将原料组合物形成为颗粒状，以及烧结步骤，将上述颗粒状的原料组合物成型、碳化及烧结；上述原料组合物可以包括氧化硅、碳化用树脂及辅助添加剂。
12、在一实施方式中，相对于上述原料组合物的总量，上述碳化用树脂的含量可以为0.1重量％以上且8重量％以下。
13、在一实施方式中，上述造粒步骤可以通过将上述原料组合物喷雾干燥来进行。
14、专利技术效果
15、与现有的合成石英玻璃相比，根据本实施方式的基于石英玻璃的烧结体可具有改善的等离子体蚀刻耐性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种烧结体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
8.一种烧结体的制造方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的烧结体的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求8所述的烧结体的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种烧结体，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的烧结体，其特征在于，
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵庚烈，崔容寿，黄成植，南娜县，金京仁，姜仲根，李宇镇，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。