烧结体、烧结体的制造方法及包括烧结体的部件技术

本实施方式提供一种烧结体、烧结体的制造方法及包括烧结体的部件，上述烧结体包括碳化硼，包括从表面观察时相对于总晶粒而晶粒尺寸大于1μm且小于或等于4μm的晶粒的体积比为61％至86％的部分，根据X射线荧光分析的相对于总量的碳含量为18重量％至30重量％，孔隙率小于或等于5体积％。

【技术实现步骤摘要】

本实施方式涉及一种具有改进的等离子体蚀刻耐性的烧结体以及包括其的等离子体处理装置的部件。

技术介绍

1、在等离子体处理装置中，上电极和下电极设置在腔室内部，半导体晶圆、玻璃基板等安置在下电极上，通过在两个电极之间施加电力来动作。由于上电极和下电极之间的电场而加速的电子、从电极发射或加热的电子与处理气体的分子电离碰撞以产生处理气体的等离子体。在上述等离子体中的自由基或离子等活性种能够在蚀刻对象表面上实现期望的微细加工，例如可以进行蚀刻加工。

2、电子器件等的制造设计逐渐微细化，尤其，在等离子体蚀刻中要求更高的尺寸精度且使用显著高的功率。在这种等离子体处理装置中内置有受等离子体影响的聚焦环(focus ring)。

3、当等离子体功率增大时，可带来形成驻波的波长效应和电场集中在电极表面中心部的集肤效应等。结果，等离子体分布通常在蚀刻对象的中心部最高而在边缘部位最低，导致基板上的等离子体分布的不均匀性变得严重，且微细电子器件的质量可能劣化。

4、通过在蚀刻对象外围中安置蚀刻对象的聚焦环，可以影响外围的电场分布，且可以在一定程度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种烧结体，其中，

2.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

3.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

4.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

5.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

6.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

7.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

8.一种烧结体的制造方法，其中，包括：

9.根据权利要求8所述的烧结体的制造方法，其中，

10.一种包括烧结体的部件，其中，

【技术特征摘要】

1.一种烧结体，其中，

2.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

3.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

4.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

5.根据权利要求1所述的烧结体，其中，

6....

【专利技术属性】
技术研发人员：闵庚烈，崔容寿，黄成植，金京仁，姜仲根，蔡洙晚，
申请(专利权)人：SK恩普士有限公司，
类型：发明
国别省市：