本发明专利技术为一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法。一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，所述的还原进料方法中进料分4分项控制进料，按照顺序分为进料初期、提料期、生产期、稳定期；其中，N为第N次进料，三氯氢硅进料量用A表示，氢气进料量用B表示；所述的进料初期：三氯氢硅的进料量为A<subgt;1</subgt;，氢气的进料量为B<subgt;1</subgt;；所述的提料期：三氯氢硅的进料量为(A<subgt;1</subgt;+C×(N‑1))kg/h，氢气的进料量为(B<subgt;1</subgt;+(N‑1))kg/h；所述的生产期：三氯氢硅的进料量为(A<subgt;12</subgt;+2C×(N‑12))kg/h，氢气的进料量为(B<subgt;12</subgt;+2或1×(N‑12))kg/h；所述的稳定期：三氯氢硅的进料量为A<subgt;37</subgt;，氢气的进料量为B<subgt;37</subgt;或B<subgt;37</subgt;+D。本发明专利技术所述的一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，可以将进料配方有效固化的同时降低能耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路芯片用多晶硅，具体涉及一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法。
技术介绍
1、目前，太阳能级多晶硅追求大型还原炉(40对棒及以上)来提高产量和降低能耗、物耗水平的发展思路，集成电路芯片用多晶硅目前仍是以12对棒还原炉为主，虽然瓦克、三菱等公司都有开发24对还原炉，但是并未大规模推广和替代12对棒还原炉。12对棒还原炉的气场、温场相对简单，其稳定性、均匀性、可控性等方面都要强于24对棒的还原炉，清洁也相对容易。因此对于追求纯度和稳定性的集成电路芯片用多晶硅来说，12对棒集成电路芯片用多晶硅还原炉仍是主流。
2、集成电路芯片用多晶硅气相沉积反应是利用三氯氢硅与氢气持续反应生成硅沉积在硅芯的表面上，并使硅棒的直径不断长大的过程，其主要反应式为：2sihcl3+h2→si+sicl4+2hcl+(h2)。其中，还原进料是生产集成电路芯片用多晶硅的核心反应工序，其进料的控制方法，直接影响集成电路芯片用多晶硅棒生长形态，也决定着是否能成功产出合格的集成电路芯片用多晶硅棒。还原进料按自动化程序控制进料配比以及进料量，各参数的控制取决于硅棒的包括隐性指标在内的各项指标。
3、当前，国内生产高端集成电路芯片用多晶硅主要采用12对棒还原炉，为了提高产品质量，国内企业开始采用内衬银还原炉生产多晶硅棒。但是，由于国内集成电路芯片用多晶硅起步晚，国内集成电路芯片用多晶硅企业在本领域的相关技术仍处于探索阶段，故目前尚未见到与集成电路芯片用多晶硅进料方法的相关介绍，尤其在12对棒内衬银还原炉生产领域。
>4、并且，国内集成电路芯片用多晶硅企业的由于考虑沉积速率及追求硅棒的表面形态，电耗基本处于85kwh/kg.s左右。因此，集成电路芯片用多晶硅还原生产过程普遍存在能耗高、进料配方无法有效固化，产品质量控制不稳定的主要问题。5、有鉴于此，本专利技术提出一种新的集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，可以解决上述的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的专利技术目的在于提供一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，可以将进料配方有效固化的同时，并实现12对棒内衬银还原炉电耗控制在85kwh/kg.s以下。
2、为了实现上述目的，所采用的技术方案为：
3、一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，进料分4分项控制进料，按照顺序分为进料初期、提料期、生产期、稳定期；
4、其中，进料不超过75次，n为第n次进料，三氯氢硅进料量用a表示，氢气进料量用b表示；
5、所述的进料初期：三氯氢硅的进料量为a1，氢气的进料量为b1；
6、所述的提料期：三氯氢硅的进料量为(a1+c×(n-1))kg/h，氢气的进料量为(b1+(n-1))kg/h；
7、所述的生产期：三氯氢硅的进料量为(a12+2c×(n-12))kg/h，氢气的进料量为(b12+2或1×(n-12))kg/h；
8、所述的稳定期：三氯氢硅的进料量为a37，氢气的进料量为b37或b37+d。
9、进一步的，所述的a1为340-360kg/h，b1为14-17kg/h。
10、再进一步的，所述的a1为350kg/h。
11、进一步的，所述的进料初期n为1；
12、所述的提料期中1＜n≤12；
13、所述的生产期中13≤n≤37；
14、所述的稳定期中38≤n≤75。
15、再进一步的，所述的稳定期中，38≤n＜60时，bn的进料量为b37；
16、60≤n≤75时，bn的进料量为b37+d。
17、再进一步的，所述的c为20-25，d为15-22。
18、进一步的，所述的生产期：氢气的进料量为(b12+2×(n-12))kg/h。
19、进一步的，所述的还原进料方法中，每次进料的时间间隔为2h。
20、进一步的，所述的还原进料方法采用12对棒内衬银还原炉，其底盘喷嘴为1+8型。
21、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
22、目前，我国集成电路芯片用多晶硅的还原生产进料还处于技术空档期，尚未形成有效的控制方法，其还原生产工艺主要以人工控制为主，不同批次的生产人员产出的产品均存在一定的差异。由于半导体行业对于产品质量的稳定性要求极高，包括硅棒的生长形态都有严格标准，故本专利技术采用的分项进料方法，其进料控制精准，进料配方可固化，从而降低人工操作的误差，提高产品质量稳定性，并生产出表面形态致密的多晶硅棒，满足集成电路芯片用多晶硅的质量要求，并且具有更低的能耗。
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【技术保护点】
1.一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的还原进料方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的还原进料方法，其特征在于，
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7.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片用多晶硅的还原进料方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的还原进料方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的还原进料方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于跃，张泽玉，马英英，魏富增，王俊华，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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