【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及还原炉，尤其涉及一种还原炉钟罩及多晶硅还原炉。
技术介绍
1、还原炉是生产多晶硅的核心设备，其主要由钟罩、底盘、电极等关键部件组成。为了保证多晶硅产品的质量，还原炉需具备反应气体流型稳定，反应温度均匀分布，避免金属杂质引入等性能。
2、传统的还原炉钟罩的内表面的银层采用冷喷银技术喷涂，银层较薄，在反复高温的环境中，银层容易脱落，银层脱落后，不仅会影响还原炉内温度的均匀分布，而且容易引入金属杂质，进而影响多晶硅产品质量；并且，传统的钟罩的内壁采用不锈钢材料，局部超温时，容易导致银层产生隐裂，不仅容易引入金属杂质，还会影响还原炉的使用寿命，对连续稳定生产带来不稳定因素。传统的还原炉底盘的硬度较低，在硅棒倾倒后，容易造成底盘损伤，增加底盘的杂质释放，进而影响产品质量；并且，传统的单对电极之间的距离较小，不利于温场及气场的均匀分布，较难产出大尺寸棒径的硅棒。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种还原炉钟罩及多晶硅还原炉，主要目的在于改善还原炉的性能，进而提升还原炉的产品质量。
2、为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：
3、一方面，本专利技术的实施例提供一种还原炉钟罩，包括:钟罩本体和附着于所述钟罩本体的内表面的银层；
4、所述银层通过爆炸焊接工艺固定在所述钟罩本体的内表面。
5、进一步地，所述钟罩本体的内壁为q235r材质。
6、进一步地，所述银层的厚度不小于1mm。
7
8、所述底盘上设置有多对电极；
9、所述底盘上设置有多个喷嘴；
10、所述底盘上设置有至少一个排气口；
11、所述还原炉钟罩能够拆卸地设置在所述底盘上。
12、进一步地，所述底盘的上表面采用碳钢层与c276层的复合材质。
13、进一步地，所述c276层的厚度为2.8mm～3.3mm。
14、进一步地，单对所述电极的间距为240mm～280mm。
15、进一步地，所述电极采用银和无氧铜的复合材料。
16、进一步地，所述喷嘴出口方向垂直于所述底盘；
17、内层的所述喷嘴的口径大于外层的所述喷嘴的口径。
18、进一步地，所述喷嘴为9个；9个所述喷嘴采用内层1个和外层8个的方式排布；
19、所述电极为12对；12对所述电极采用内层4对和外层8对的方式排布；
20、外层的所述喷嘴位于外层的所述电极与内层的所述电极中间；
21、内层的所述电极处于外层的所述电极与内层的所述喷嘴中间。
22、借由上述技术方案，本专利技术多晶硅还原炉至少具有下列优点：
23、能够改善还原炉的性能，进而提升还原炉的产品质量。
24、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种还原炉钟罩，其特征在于，包括:钟罩本体和附着于所述钟罩本体的内表面的银层；
2.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，
4.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括:底盘和权利要求1-3任一项所述的还原炉钟罩；
5.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
9.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
10.根据权利要求4所述的多晶硅还原炉，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种还原炉钟罩，其特征在于，包括:钟罩本体和附着于所述钟罩本体的内表面的银层；
2.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的还原炉钟罩，其特征在于，
4.一种多晶硅还原炉，其特征在于，包括:底盘和权利要求1-3任一项所述的还原炉钟罩；
5.根据权利要求4所述的多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈远新，于跃，王阳，王俊华，张泽玉，
申请(专利权)人：内蒙古大全半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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