半导体器件及其形成方法、存储器技术

本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法、存储器；其中，半导体器件包括：衬底；位于所述衬底表面、且沿竖直方向依次堆叠的多个存储阵列；所述存储阵列包括沿第一方向或者第二方向间隔交替排列的第一有源区和第二有源区、位于所述第一有源区中的第一晶体管、以及位于所述第二有源区表面的第二晶体管；其中，一个所述第一晶体管与沿所述第二方向相邻的一个所述第二晶体管电连接；所述第一方向与所述第二方向相交、且均平行于所述衬底所在平面；所述竖直方向与所述衬底所在的平面相交。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，涉及但不限于一种半导体器件及其形成方法、存储器。

技术介绍

1、传统的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)单元由一个晶体管和一个电容结构组成。但随着集成度的增加，dram单元中的电容结构持续微缩，导致电荷存储量持续降低，漏电更快。基于此，相关技术中提出了一种无电容的dram结构。然而，当前的无电容的dram结构存在占用面积大、集成度低等缺点。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法、存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供一种半导体器件，包括：

3、衬底；位于所述衬底表面、且沿竖直方向依次堆叠的多个存储阵列；所述存储阵列包括沿第一方向或者第二方向间隔交替排列的第一有源区和第二有源区、位于所述第一有源区中的第一晶体管、以及位于所述第二有源区表面的第二晶体管；

4、其中，一个所述第一晶体管与沿所述第二方向相邻的一个所述第二晶体管电连接；所述第一方向与所述第二方向相交、且均平行于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于沿所述竖直方向堆叠的每两个所述存储阵列之间的绝缘结构。

3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管至少包括第一源极；所述存储阵列还包括沿第三方向延伸的第一导电结构；所述第一源极与所述第一导电结构电连接；

4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第二晶体管至少包括第二漏极；所述存储阵列还包括沿第四方向延伸的第四导电结构；

5.根据权利要求4所述半导体器件，其特征在于，所述第二有源区在所述第一方向上的尺寸大...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于沿所述竖直方向堆叠的每两个所述存储阵列之间的绝缘结构。

3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管至少包括第一源极；所述存储阵列还包括沿第三方向延伸的第一导电结构；所述第一源极与所述第一导电结构电连接；

4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述第二晶体管至少包括第二漏极；所述存储阵列还包括沿第四方向延伸的第四导电结构；

5.根据权利要求4所述半导体器件，其特征在于，所述第二有源区在所述第一方向上的尺寸大于所述第一有源区在所述第一方向上的尺寸，且所述第二有源区沿所述第一方向延伸；

6.根据权利要求4所述半导体器件，其特征在于，所述第一晶体管还包括第一沟道、第一漏极和第一栅极；所述第一沟道沿所述竖直方向延伸；

7.根据权利要求6所述半导体器件，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二栅极；所述第二栅极位于所述第二晶体管的表面。

8.根据权利要求6所述半导体器件，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二栅极；所述第二栅极位于所述第二晶体管的内部。

9.根据权利要求7或8所述半导体器件，其特征在于，所述第二栅极包括第二栅极介质层、以及位于所述第二栅极介质层表面的第二栅极导电层；其中，所述第二栅极导电层沿所述第二方向延伸；

10.根据权利要求9所述半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：