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本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法、存储器；其中，半导体器件包括：衬底；位于所述衬底表面、且沿竖直方向依次堆叠的多个存储阵列；所述存储阵列包括沿第一方向或者第二方向间隔交替排列的第一有源区和第二有源区、位于所述第一有源区中的第一晶体...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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