【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造的领域。更具体来说，本公开涉及微电子装置以及形成微电子装置的相关电子系统及方法。
技术介绍
1、微电子工业的持续目标是增加存储器装置(例如非易失性存储器装置(例如，nand快闪存储器装置))的存储器密度(例如，每存储裸片的存储器单元的数目)。一种增加非易失性存储器装置中的存储器密度的方式是利用竖直存储器阵列(也被称为“三维(3d)存储器阵列”)架构。常规的竖直存储器阵列包含延伸穿过导电结构(例如，字线)的层级中的开口的竖直存储器串及竖直存储器串与导电结构的每一结合部处的介电材料。与具有常规的平面(例如，二维)晶体管布置的结构相比较，通过在裸片上向上(例如，纵向、竖直)构建阵列，此配置容许更大数目个开关装置(例如，晶体管)位于单位裸片面积(即，所消耗的有源表面的长度及宽度)中。
2、常规的竖直存储器阵列包含导电结构与存取线(例如，字线)之间的电连接，使得所述竖直存储器阵列中的存储器单元可被唯一地选择用于写入、读取或擦除操作。一种形成此电连接的方法包含在导电结构的层级的边缘(例如，水平端)处形成所谓的至少一个“楼梯”(或“阶梯”)结构。所述楼梯结构包含提供导电结构的接触区的个别“台阶”，导电接触结构可定位在所述接触区上以提供到导电结构的电接入。
3、随着竖直存储器阵列技术的发展，已通过形成竖直存储器阵列以包含导电结构的额外层级以及因此与其相关联的额外楼梯结构及/或个别楼梯结构中的额外台阶来提供额外存储器密度。然而，增加堆叠结构的导电结构的层级的数量(及因此，
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种微电子装置包含堆叠结构、体育场结构、第一凸缘及第二凸缘。所述堆叠结构包括布置成层级的导电结构与绝缘结构的竖直交替序列。电介质填充开口竖直延伸到所述堆叠结构中且被界定在所述堆叠结构的两个内部侧壁之间。所述体育场结构在所述堆叠结构内且包括由所述层级中的至少一些的水平端界定的台阶。所述第一凸缘从所述体育场结构的所述台阶中的第一最上台阶向上延伸且与所述堆叠结构的所述两个内部侧壁中的第一内部侧壁对接。所述第二凸缘从所述体育场结构的所述台阶中的第二相对最上台阶向上延伸且与所述两个内部侧壁的第二相对内部侧壁对接。
2、在额外实施例中，一种微电子装置包括第一体育场结构、第一凸缘、第二凸缘及相对侧壁。所述第一体育场结构在包括与绝缘结构竖直交错的导电结构的层级的堆叠结构内，所述第一体育场结构包括相对楼梯结构，所述相对楼梯结构包括由所述堆叠结构的第一群组的所述层级的水平端界定的台阶。所述第一凸缘竖直上覆于所述第一体育场结构且包括所述堆叠结构的第二群组的所述层级的水平端。所述水平端各自终止于第一水平位置处。所述第二凸缘与所述第一凸缘水平相对且包括所述堆叠结构的所述第二群组的所述层级的额外水平端。所述额外水平端各自终止于与所述第一水平位置不同的第二水平位置处。所述相对侧壁竖直上覆于所述第一凸缘及所述第二凸缘且包括所述堆叠结构的第三群组的所述层级的进一步水平端。所述进一步水平端水平偏离所有所述水平端及所有所述额外水平端。
3、在进一步实施例中，一种形成微电子装置的方法包括在堆叠结构中形成初始体育场结构，所述堆叠结构界定从所述初始体育场结构的最上台阶向上延伸的两个内部侧壁。在所述两个内部侧壁上面形成光致抗蚀剂涂层，所述光致抗蚀剂涂层在所述初始体育场结构上面界定开口。移除所述堆叠结构的竖直下伏于所述开口的水平区域且在所述水平区域内的部分以在所述堆叠结构内在比所述初始体育场结构相对更低的竖直位置处形成最终体育场结构。
4、在又进一步实施例中，一种电子系统包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其可操作地耦合到所述输入装置及所述输出装置；及存储器装置，其可操作地耦合到所述处理器装置且包括至少一个微电子装置。所述至少一个微电子装置包括第一体育场结构、第一组凸缘、第二体育场结构及第二组凸缘。所述第一体育场结构在堆叠结构内形成在第一竖直位置处。所述第一组凸缘从所述第一体育场结构的最上台阶向上延伸且竖直跨越所述堆叠结构的第一群组的层级。所述第二体育场结构形成在第二竖直位置处且竖直跨越所述第一群组的层级。所述第二组凸缘从所述第二体育场结构的最上台阶向上延伸且竖直跨越所述堆叠结构的第二群组的层级。
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1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者的高度至少基本上等于所述体育场结构与所述堆叠结构内的额外体育场结构之间的竖直距离。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的方向上具有在从约0.5μm到约5.0μm的范围内的宽度。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的方向上具有约1.0μm的宽度。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在所述堆叠结构内且在比所述体育场结构相对更高的竖直位置处的额外体育场结构。
6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中由所述第一凸缘及所述第二凸缘竖直跨越的所述层级是由所述额外体育场结构与所述堆叠结构跨越的相同层级。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的竖直平面内展现高度与宽度的高纵横比。
8.
9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者具有至少基本上等于所述第一体育场结构与所述堆叠结构内的相邻的第二体育场结构之间的竖直距离的高度。
10.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述相对侧壁从所述第一凸缘及所述第二凸缘竖直延伸到所述堆叠结构的最上边界。
11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的竖直平面内展现高度与宽度的高纵横比。
12.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者。
13.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的方向上具有在从约0.5μm到约5.0μm的范围内的宽度。
14.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的方向上具有约1.0μm的宽度。
15.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：
16.根据权利要求15所述的方法，其中在所述内部侧壁上面形成光致抗蚀剂涂层包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中通过所述掩模开口移除所述光致抗蚀剂材料的部分包括形成所述光致抗蚀剂涂层以在法向于所述两个内部侧壁的方向上具有在从约0.5μm到约5.0μm的范围内的厚度。
18.根据权利要求16所述的方法，其中在所述初始体育场结构上面形成所述光致抗蚀剂材料包括将所述光致抗蚀剂材料形成为具有在从约7.0μm到约10.0μm的范围内的竖直厚度。
19.根据权利要求16所述的方法，其中通过所述掩模开口移除所述光致抗蚀剂材料的部分包括形成所述光致抗蚀剂涂层以在法向于所述两个内部侧壁的竖直平面内展现高度与宽度的高纵横比。
20.根据权利要求16所述的方法，其中通过所述掩模开口移除所述光致抗蚀剂材料的部分包括形成所述光致抗蚀剂涂层以在法向于所述两个内部侧壁的竖直平面内展现线性轮廓。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述线性轮廓是至少基本上竖直的。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述线性轮廓向竖直轴倾斜。
23.根据权利要求16所述的方法，其中通过所述掩模开口移除所述光致抗蚀剂材料的部分包括形成所述光致抗蚀剂涂层以在法向于所述两个内部侧壁的竖直平面内展现弓形或不规则轮廓。
24.根据权利要求15至23中任一权利要求所述的方法，其中通过所述开口移除所述堆叠结构的部分及所述初始体育场结构包括形成从所述最终体育场结构的第一最上台阶向上竖直延伸的第一凸缘及从所述最终体育场结构的第二相对最上台阶向上竖直延伸的第二凸缘。
25.根据权利要求15至23中任一权利要求所述的方法，其中通过所述开口移除所述堆叠结构的部分及所述初始体育场结构包括使所述堆叠结构的所述部分经受各向异性蚀刻工艺。
26.一种电子系统，其包括：
27.根据权利要求26所述的电子系统，其中所述至少一个微电子装置的所述堆叠结构进一步包括从所述第一组凸缘竖直延伸到所述堆叠结构的最上层级的内部侧壁。
28.根据权利要求26及27中任一权利要求所述的电子系统，其中所述第一组凸缘竖直跨越所述堆叠...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者的高度至少基本上等于所述体育场结构与所述堆叠结构内的额外体育场结构之间的竖直距离。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的方向上具有在从约0.5μm到约5.0μm的范围内的宽度。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的方向上具有约1.0μm的宽度。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在所述堆叠结构内且在比所述体育场结构相对更高的竖直位置处的额外体育场结构。
6.根据权利要求5所述的微电子装置，其中由所述第一凸缘及所述第二凸缘竖直跨越的所述层级是由所述额外体育场结构与所述堆叠结构跨越的相同层级。
7.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述两个内部侧壁的竖直平面内展现高度与宽度的高纵横比。
8.一种微电子装置，其包括：
9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者具有至少基本上等于所述第一体育场结构与所述堆叠结构内的相邻的第二体育场结构之间的竖直距离的高度。
10.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述相对侧壁从所述第一凸缘及所述第二凸缘竖直延伸到所述堆叠结构的最上边界。
11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的竖直平面内展现高度与宽度的高纵横比。
12.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述层级中的每一者个别地包括所述导电结构中的一者及所述绝缘结构中的一者。
13.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的方向上具有在从约0.5μm到约5.0μm的范围内的宽度。
14.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述第一凸缘及所述第二凸缘中的每一者在法向于所述相对侧壁的方向上具有约1.0μm的宽度。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵博，M·J·金，J·里斯，M·J·戈斯曼，S·K·瓦迪韦尔，M·J·巴克利，徐丽芳，J·D·彼得松，M·帕克，A·L·奥尔森，D·A·奎利，张晓松，J·B·德胡特，Z·F·尤，K·S·周，T·M·Q·陈，王淼鑫，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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