【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【】本专利技术实施例涉及存储器件及其制造方法，具体涉及铁电存储器件及其制造方法。
技术介绍
0、【现有技术】
1、对于适用于诸如便携式终端和集成电路(ic)卡等各种电子设备的具有低工作电压、低功耗和高速工作的非易失性存储器的需求已经增加。铁电存储器，例如铁电ram(feram或fram)，使用铁电材料层来实现非易失性。铁电材料在施加的电场和所储存的表观电荷之间具有非线性关系，因此可以在电场下切换极性。铁电存储的优点包括低功耗、快速写入性能和良好的最大读取/写入耐久度。
技术实现思路
0、
技术实现思路
1、本文公开了铁电存储器件及其制造方法的实施例。
2、在一方面，公开了一种存储设备。该存储器件包括多个存储单元，以及与多个存储单元电接触的布线互连结构。每个存储单元包括至少一个第一晶体管、单元互连结构及至少一个电容器。该单元互连结构形成在该至少一个第一晶体管上方并与该至少一个第一晶体管电接触，且包括设置在该单元互连结构的顶层处的单元板。该至少一个电容器通...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上且与第一电极直接接触。
3.如权利要求1所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上并且通过第二通孔结构与第一电极电接触。
4.如权利要求1所述的存储器件，其中单元板和第一导电层在同一制造工序中形成。
5.如权利要求1所述的存储器器件，还包括：
6.如权利要求5所述的存储器件，其中第三导电层和第一导电层相互延伸并直接连接。
7.一种存储器件，包括：
8.如权利要求7所述的存储器件，其中在存储器件的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器件，包括：
2.如权利要求1所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上且与第一电极直接接触。
3.如权利要求1所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上并且通过第二通孔结构与第一电极电接触。
4.如权利要求1所述的存储器件，其中单元板和第一导电层在同一制造工序中形成。
5.如权利要求1所述的存储器器件，还包括：
6.如权利要求5所述的存储器件，其中第三导电层和第一导电层相互延伸并直接连接。
7.一种存储器件，包括：
8.如权利要求7所述的存储器件，其中在存储器件的平面图中，第一通孔结构与伪存储单元重叠。
9.如权利要求7所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上并且与第一电极直接接触。
10.如权利要求7所述的存储器件，其中第二导电层设置在第一电极上并且通过第二通孔结构与第一电极电接触。
11.如权利要求7所述的存储器件，其中单元板和第一导电层在同一制造工序中形成。
12.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭美澜，胡禺石，吕震宇，
申请(专利权)人：无锡舜铭存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。