一种存储器件包括多个存储单元和外围电路。每个存储单元包括至少一个第一晶体管、形成在第一晶体管上方并与至少一个晶体管电接触的至少一个第一互连层、以及通过至少一个第一互连层电耦合到至少一个第一晶体管的至少一个电容器。走线结构设置在多个存储单...

一种存储器件包括多个存储单元及与存储单元电接触的布线互连结构。每个存储单元包括至少一个第一晶体管、单元互连结构及至少一个电容器。该单元互连结构形成在至少一个第一晶体管上方并与至少一个第一晶体管电性接触，且包括设置在单元互连结构的顶层处的...

本发明公开一种铁电存储单元结构及其制造方法，先通过原位清洁方法清除电极形成过程中生成的原生阻挡层，然后采用原位沉积方法在现有的电极与铁电层的界面处形成阻挡层，用高质量的界面层来抑制氧空位的生长，有效地提高了电极与铁电层之间的有效势垒高度...

一种存储器，其包括多个存储单元。每一存储单元包括至少一个晶体管和电耦合至该至少一个晶体管的至少一个电容器。每一电容器包括第一电极、围绕该第一电极的至少第一部分的第二电极、以及设置在该第一电极和该第二电极之间的铁电层。

本发明公开了一种三维铁电存储器结构及其制造方法，其中该三维铁电存储其结构包括半导体衬底、第一导电柱、第一介质层、铁电电容器、第二导电柱以及第二介质层。其中铁电电容器为FIN结构，其包覆于第一导电柱的上半部的外表面，包括依次沉积的第一电极...