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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ald前驱体锡配合物合成的,尤其是指一种ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺。
技术介绍
1、在原子层沉积(ald)过程中,前驱体锡配合物通常作为锡源,与另一种反应物(通常是氧气、水或其他氧化剂)交替脉冲进入反应室。这些前驱体锡配合物在基底表面与氧化剂发生化学反应,形成所需的锡氧化物薄膜材料。
2、不同的前驱体锡配合物可以提供不同的锡氧化物,如二氧化锡或其他锡氧化物,这些氧化物是一种重要的半导体材料,具有良好的导电性和稳定性。在电子器件、光电器件、传感器和催化剂等领域具有广泛的应用。
3、乙酰丙酮类的前驱体锡配合物是ald中重要的锡源。其中双(乙酰丙酮)锡(sn(acac)2)(cas:16009-86-2),沸点:110℃/0.1mmhg和二正丁基双(乙酰丙酮基)锡(cas:22673-19-4),沸点:150℃/3mmhg作为液体锡源,沸点较低,饱和蒸汽压较大,在半导体材料行业上应用广阔。关于以上两种产品的合成方法如下:对水氧比较敏感的双(乙酰丙酮)锡(sn(acac)2)的合成方法,乙酰丙酮碱金属盐、乙酰丙酮与溶剂混合,得到反应液,再与二氯化锡反应制备此产品或使用有机胺作为缚酸剂合成此产品;对水氧不是特别敏感的二正丁基双(乙酰丙酮基)锡的合成方法,乙酰丙酮、二正丁基氧化锡和溶剂混合,在无催化剂的作用下,进行回流反应并在反应过程中除去生成的水以促进反应的进行。以及乙酰丙酮、二正丁基二氯化锡、碱金属化合物(甲醇钠,氢氧化钾和叔丁醇钠等)和溶剂在无催化剂的作用下,进行回流反应制备此产品。
...【技术保护点】
1.一种ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤S1中,所述锡的卤化物溶液中锡的卤化物选自二氯化锡、二正丁基二氯化锡、四氯化锡和二溴化锡中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤S1中,所述冷浴的温度为-78℃~0℃。
4.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤S2中,所述氨基碱金属化合物溶液中氨基碱金属化合物选自二异丙基氨基锂、双(三甲基硅基)氨基钾和二乙氨基锂中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,所述锡的卤化物溶液的溶剂与所述氨基碱金属化合物溶液的溶剂独立地为醚类溶剂。
6.根据权利要求5所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,所述醚类溶剂选自乙醚、乙二醇二甲醚和1,4-二氧六环中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅
8.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,锡的卤化物、氨基碱金属化合物和乙酰丙酮类化合物的摩尔比为1:2~2.5:2~2.5。
9.根据权利要求1所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,还包括对所述ALD前驱体锡配合物进行纯化,采用重结晶的方法或加热升华的方法进行纯化。
10.根据权利要求9所述的ALD前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,所述重结晶的溶剂选自正己烷、甲苯、乙醚中的一种或多种;所述加热升华的温度为70-150℃。
...【技术特征摘要】
1.一种ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤s1中,所述锡的卤化物溶液中锡的卤化物选自二氯化锡、二正丁基二氯化锡、四氯化锡和二溴化锡中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤s1中,所述冷浴的温度为-78℃~0℃。
4.根据权利要求1所述的ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,步骤s2中,所述氨基碱金属化合物溶液中氨基碱金属化合物选自二异丙基氨基锂、双(三甲基硅基)氨基钾和二乙氨基锂中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺,其特征在于,所述锡的卤化物溶液的溶剂与所述氨基碱金属化合物溶液的溶剂独立地为醚类溶剂。
6.根据权利要求5所述的ald前驱体锡配合物的一锅法制备工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱可可,胡之琛,陈鹏宇,
申请(专利权)人:苏州源展材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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