一种四(二甲氨基)锡的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种四(二甲氨基)锡的制备方法，属于有机合成技术领域。本发明专利技术的制备方法包括以下步骤：S1：向金属氢化物中加入溶剂，得到悬浊液；S2：向悬浊液中滴加无水四氯化锡，反应得到反应液；S3：向反应液通入二甲胺，搅拌反应，得到混合物；S4：对混合物进行减压去低沸、减压蒸馏、精馏得到所述的四(二甲氨基)锡。本发明专利技术的制备方法以金属氢化物替换了活性极高且难以控制的正丁基锂，金属氢化物活性大大降低，不会发生剧烈反应，因此安全性大大提高，并且金属氢化物可以替代正丁基锂作为缚酸剂参与反应，促进反应进行，从而得到目标产物，且金属氢化物不会和产物发生反应，使得成本大幅度降低，大大提高了安全性，有利于大规模制备。有利于大规模制备。有利于大规模制备。

【技术实现步骤摘要】
一种四(二甲氨基)锡的制备方法


[0001]本专利技术属于有机合成
，尤其涉及一种四(二甲氨基)锡的制备方法。

技术介绍

[0002]氧化锡(SnO2)作为第一个投入商用的透明导电材料，由于其出色的导电性、高透光率和高化学稳定性而受到大量的研究和关注，在气体传感器、燃料电池、光电探测器、发光二极管、透明电子器件、薄膜晶体管(TFT)和太阳能电池等领域都有非常广泛的应用。高质量的SnO2薄膜可以采用多种方法制备，比如磁控溅射、化学气相沉积(CVD)、喷雾热解、脉冲激光沉积(PLD)以及原子层沉积(ALD)等。
[0003]其中ALD技术是一种通过将前驱体依次脉冲通入腔室，实现原子级控制的薄膜生长方法。相比于其他薄膜沉积技术，该方法具有衬底温度较低、可精确控制膜厚、大面积生长、薄膜均匀性好、可实现完美的三维保形性等特点，另外其与柔性基底/器件完全兼容，因此ALD技术逐渐受到人们越来越多的关注。
[0004]常用的原子层沉积法制备SnO2薄膜所用到的前驱体源是四(二甲氨基)锡，CAS号为1066
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四(二甲氨基)锡的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，S1：向金属氢化物中加入溶剂，得到悬浊液；S2：向S1所述的悬浊液中滴加无水四氯化锡，反应得到反应液；S3：向S2所述的反应液通入二甲胺，搅拌反应，得到混合物；S4：对S3所述的混合物进行减压去低沸、减压蒸馏、精馏得到所述的四(二甲氨基)锡。2.根据权利要求1所述的四(二甲氨基)锡的制备方法，其特征在于，所述金属氢化物、无水四氯化锡和二甲胺的摩尔比为4
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5：1：6
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7。3.根据权利要求1所述的四(二甲氨基)锡的制备方法，其特征在于，在S1中，所述金属氢化物选自氢化钠、氢化钾、氢化锂和氢化铝锂中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的四(二甲氨基)锡的制备方法，其特征在于，在S1中，所述溶剂选自四氢呋喃、正己烷、正庚烷和甲苯中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的四(二甲氨基)锡的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐爱民，陈鹏宇，
申请(专利权)人：苏州源展材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：